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    상변화 메모리 소자 및 그의 제조방법
    1.
    发明公开
    상변화 메모리 소자 및 그의 제조방법 无效
    相变存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020090076597A

    公开(公告)日：2009-07-13

    申请号：KR1020080002636

    申请日：2008-01-09

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

    Inventor： 김철규 ,  권민호 ,  강윤호 ,  강윤선 ,  이태연 ,  허성 ,  김기범 ,  남성욱 ,  이동복

    IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

    CPC classification number: H01L45/126 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/143

    Abstract: A phase change memory device and a method of manufacturing the same are provided, which can prevent misalignment problem of the bottom electrode and diffusion stopper. The phase change memory device comprises the storage node and the switching element connected to the storage node. The storage node comprises electrode and phase-change layer(30). The diffusion stopper(20) includes the silicide compound between the electrode and phase-change layer. The silicide compound includes at least one among silicide, silicide oxide, and silicide nitride. The electrode is the bottom electrode(10).

    Abstract translation: 提供了一种相变存储器件及其制造方法，其可以防止底部电极和扩散塞的不对准问题。 相变存储器件包括存储节点和连接到存储节点的开关元件。 存储节点包括电极和相变层（30）。 扩散阻挡层（20）包括电极和相变层之间的硅化物。 硅化物化合物包括硅化物，硅化物氧化物和氮化硅中的至少一种。 电极是底部电极（10）。

    상변화 메모리 소자의 동작 방법
    2.
    发明公开
    상변화 메모리 소자의 동작 방법 无效
    操作相变存储器件的方法

    公开(公告)号：KR1020090068817A

    公开(公告)日：2009-06-29

    申请号：KR1020070136585

    申请日：2007-12-24

    Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

    Inventor： 김철규 ,  남성욱 ,  김기준 ,  강윤호 ,  이태연 ,  김기범 ,  권민호 ,  이동복

    IPC: G11C13/02 ,  G11C5/14

    CPC classification number: G11C13/0038 ,  G11C5/14 ,  G11C7/20 ,  G11C13/0004

    Abstract: An operation method of the phase change memory device is provided, which recovers the phase-change layer to the steady-state by authorizing the treatment voltage greater than the reset voltage to the phase-change layer. An operation method of the phase change memory device authorizes the treatment voltage which is greater than the reset voltage to the phase-change layer. The authentication hour of the treatment voltage is longer than the authentication hour of the reset voltage. The intensity of the treatment voltage is 1.1 times or greater of the reset voltage. The authentication hour of the treatment voltage is one micro-second or greater. The treatment voltage is one pulse voltage. The treatment voltage comprises two or more pulse voltages which are consecutively applied.

    Abstract translation: 提供了相变存储器件的操作方法，通过授权处理电压大于相变层的复位电压，将相变层恢复到稳态。 相变存储器件的操作方法授权处理电压大于相变层的复位电压。 处理电压的认证时间长于复位电压的认证时间。 处理电压的强度是复位电压的1.1倍以上。 治疗电压的认证时间为1微秒或更大。 处理电压为一脉冲电压。 处理电压包括连续施加的两个或更多个脉冲电压。

    반도체 소자의 테스트 패턴
    5.
    发明公开
    반도체 소자의 테스트 패턴 审中-实审
    半导体器件的测试图案

    公开(公告)号：KR1020150071726A

    公开(公告)日：2015-06-29

    申请号：KR1020130152414

    申请日：2013-12-09

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 강대림 ,  권민호 ,  쉬웨이화 ,  우상현 ,  이화성 ,  최준석

    IPC: H01L21/66 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L27/0886

    Abstract: 반도체소자의테스트패턴이제공된다. 반도체소자의테스트패턴은, 기판으로부터돌출된형상을갖고서로이격되어배치되는제1 핀및 제2 핀, 상기제1 핀및 제2 핀각각을교차하도록형성된제1 게이트구조체및 제2 게이트구조체, 상기제1 게이트구조체의일 측및 타측의상기제1 핀에배치된제1 소오스영역및 제1 드레인영역, 상기제2 게이트구조체의일 측및 타측의상기제2 핀에배치된제2 소오스영역및 제2 드레인영역, 상기제1 및제2 드레인영역과연결되어제1 전압을인가하는제1 도전패턴, 및상기제1 소오스영역과상기제2 게이트구조체를연결하는제2 도전패턴을포함한다.

    Abstract translation: 提供半导体器件的测试图案。 半导体器件的测试图案包括：从基板突出并彼此分离的第一引脚和第二引脚; 与第一销和第二销相交的第一栅极结构和第二栅极结构; 第一源区和第一漏区，布置在第一栅结构的一侧和另一侧的第一引脚中; 第二源区和第二漏区，布置在第二栅结构的一侧和另一侧的第二引脚中; 第一导电图案，其连接到第一和第二漏极区域并接收第一电压; 以及连接第一源极区域和第二栅极结构的第二导电图案。

    연산 증폭기 회로, 이를 포함하는 이미지 센서, 및 연산 증폭기의 주파수 응답 보상 방법
    6.
    发明公开
    연산 증폭기 회로, 이를 포함하는 이미지 센서, 및 연산 증폭기의 주파수 응답 보상 방법 审中-实审
    具有该功能的操作放大器，图像传感器及其相应的频率响应的方法

    公开(公告)号：KR1020130059995A

    公开(公告)日：2013-06-07

    申请号：KR1020110126262

    申请日：2011-11-29

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 박유진 ,  유귀성 ,  권민호 ,  임승현 ,  강순화 ,  김재홍

    IPC: H03F3/45 ,  G06G7/184

    CPC classification number: H03F1/34 ,  G11C27/026 ,  H03F1/086 ,  H03F3/45188 ,  H03F2200/153 ,  H03F2203/45512 ,  H03F2203/45514

    Abstract: PURPOSE: An operational amplifier circuit, an image sensor including the same, and a method for compensating a frequency response of an operational amplifier are provided to output a high frequency signal by widening a bandwidth and implementing stability by adjusting capacitance according to a feedback gain. CONSTITUTION: An operational amplifier circuit includes a first operational amplifier(10), a second operational amplifier(20), a feedback block(30) and a variable compensation capacitor(Cc). The first operational amplifier differentially amplifies an input signal. A load capacitor and the variable compensation capacitor are connected to an output port of the first operational amplifier. The feedback block adds a feedback gain to the output of the first operational amplifier and then feeds back the result to the input of the first operational amplifier. The capacitance of the variable compensation capacitor varies on the basis of the feedback gain.

    Abstract translation: 目的：提供一种运算放大器电路，包括该运算放大器电路的图像传感器和用于补偿运算放大器的频率响应的方法，以通过根据反馈增益调节电容来增加带宽并实现稳定性来输出高频信号。 构成：运算放大器电路包括第一运算放大器（10），第二运算放大器（20），反馈块（30）和可变补偿电容器（Cc）。 第一运算放大器对输入信号进行差分放大。 负载电容器和可变补偿电容器连接到第一运算放大器的输出端口。 反馈块向第一运算放大器的输出添加反馈增益，然后将结果反馈到第一运算放大器的输入。 可变补偿电容的电容根据反馈增益而变化。

    아날로그 디지털 컨버터 및 이를 포함하는 이미지 센서
    8.
    发明授权
    아날로그 디지털 컨버터 및 이를 포함하는 이미지 센서 有权
    模拟数字转换器和包括它的图像传感器

    公开(公告)号：KR101758310B1

    公开(公告)日：2017-07-27

    申请号：KR1020110002764

    申请日：2011-01-11

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 유귀성 ,  권민호 ,  정운기 ,  서진호 ,  이동훈 ,  임승현 ,  김재홍

    IPC: H04N5/378 ,  H03M1/16 ,  H03M3/00 ,  H03M1/50

    CPC classification number: H03M1/164 ,  H03M1/50 ,  H03M3/424 ,  H03M3/456 ,  H03M3/458 ,  H04N5/378

    Abstract: 본발명에따른이미지센서는복수의행과복수의열을갖는매트릭스형상으로배열되며, 각각이입사광세기를전기적인영상신호로변환하여출력하는복수의화소들을포함하는화소어레이; 및상기화소어레이의출력신호를디지털신호로변환하는제1 아날로그디지털변환을수행하고, 상기화소어레이의출력신호및 상기디지털신호를이용하여레지듀(residue)를얻고, 상기레지듀를이용하여제2 아날로그디지털변환을수행하는확장아날로그디지털컨버터를포함한다.

    Abstract translation: 根据本发明的图像传感器被布置在具有多个行和多个列，像素阵列，其每一个包括多个用于转换和输出该入射光强度成电图象信号的像素矩阵; 并且执行用于将像素阵列的输出信号转换为数字信号的第一模数转换，使用像素阵列的输出信号和数字信号获得残差， 2模数转换。

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