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公开(公告)号：KR101821852B1
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：KR1020147028526
申请日：2013-01-09
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C23C18/50 , H01L21/288
CPC classification number: C23C18/50 , C23C18/1633
Abstract: 본발명은안정화제로서프로파르길유도체를포함하는, 3원및 4원코발트합금 Co-M-P, Co-M-B 및 Co-M-B-P (식중, M 은 Mn, Zr, Re, Mo, Ta 및 W 로이루어진군에서선택된다) 의무전해석출을위한수성, 알칼리성도금조조성물에관한것이다. 이것으로부터유도되는코발트합금층은반도체장치, 인쇄회로기판및 IC 기판과같은전자장치에서장벽층및 피복층으로서유용하다.
Abstract translation: 本发明涉及一种含有稳定剂炔丙基衍生物，三和四赢得钴合金共同MP，钴-MB和Co-MBP（式中，M是由Mn，Zr的，RE，钼，Ta和W的 用于强制电解沉积的碱性镀液组合物。 由此衍生的钴合金层可用作电子器件如半导体器件，印刷电路板和IC基板中的阻挡层和涂层。
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公开(公告)号：KR1020170093870A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：KR1020177017899
申请日：2015-12-04
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C23C18/50 , C23C18/34 , C23C18/36 , C23C18/40 , C23C18/405 , C23C18/48 , C23C18/1641
Abstract: 본발명은무전해금속및 금속합금도금조들에채용될수 있는첨가제들및 상기도금조들의사용방법에관한것이다. 이러한첨가제는도금속도를감소시키고무전해도금조의안정성을증가시키므로, 이러한무전해도금조는인쇄회로기판, IC 기판및 반도체기판의트렌치및 비아와같은리세스구조로의상기금속또는금속합금의데포지션에특히적합하다. 무전해도금조는디스플레이용도의금속화에더욱유용하다.
Abstract translation: 本发明涉及可用于无电镀金属和金属合金镀浴中的添加剂以及使用这些镀层的方法。 这种添加剂降低了电镀速率并增加了无电镀浴的稳定性，从而可以使用无电电镀将金属或金属合金沉积到凹陷结构如印刷电路板中， 是特别合适的。 无电镀铜对于显示用途的金属化更有用。
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公开(公告)号：KR102080421B1
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：KR1020187018098
申请日：2016-11-28
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor： 발터안드레아스 , 주헨트룬크크리슈토프 , 벡크토마스 , 슈타인베르거게르하르트 , 베라홀거 , 브루너하이코 , 뤽브로트슈펜
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公开(公告)号：KR1020170138520A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：KR1020177033366
申请日：2016-04-20
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Abstract: 본발명은전자적용을위한인쇄회로기판, IC 기판, 반도체및 유리소자의제조에서의구리및 구리합금침착을위한수성산성도금배쓰에관한것이다. 본발명에따른도금배쓰는적어도하나의구리이온의공급원, 적어도하나의산 및적어도하나의구아니딘화합물을포함한다. 도금배쓰는리세스된구조의구리도금및 구리필러범프구조의빌드-업에특히유용하다.
Abstract translation: 本发明涉及在制造用于电子应用的印刷电路板，IC基板，半导体和玻璃元件中用于铜和铜合金沉积的酸性水浴槽。 根据本发明的电镀浴包含至少一种铜离子源，至少一种酸和至少一种胍化合物。 电镀对凹槽镀铜和铜填充物凸点结构的建立特别有用。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR102070536B1
公开(公告)日：2020-01-29
申请号：KR1020187018109
申请日：2016-11-28
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor： 발터안드레아스 , 주헨트룬크크리슈토프 , 벡크토마스 , 슈타인베르거게르하르트 , 베라홀거 , 브루너하이코 , 프뢰제베른트
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公开(公告)号：KR1020150024317A
公开(公告)日：2015-03-06
申请号：KR1020147033024
申请日：2013-05-31
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C23C18/34 , C23C18/1633 , C23C18/50 , H01L21/288 , H01L21/76849
Abstract: 본 발명은 욕 성능을 향상시키도록 탄소-탄소 삼중 결합과 작용기를 가지는 신규한 안정화제를 이용한 니켈 및 니켈 합금들의 성막을 위한 수성 도금욕 조성물들에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR101094117B1
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：KR1020057011603
申请日：2003-12-09
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C07D241/46 , C25D3/38
CPC classification number: C25D3/38 , C25D7/12 , H01L21/2885 , H05K3/423
Abstract: 특히 균일하고 빛나는, 즉, 평활하고 유연하며 매우 빛나는 구리 피복물의 재생 가능한 제조를 위해, 소중합체 페나지늄 화합물의 혼합물을 첨가물로서 포함하는 구리 도금욕이 이용된다. 상기 혼합물은 특허 청구 범위 및 명세서에 설명된 일반 화학식 및 를 갖는, 2개의 단량체 단위를 포함하는 화합물 및 3개의 단량체 단위를 포함하는 화합물을 포함하는 군으로부터 선택된 하나 이상의 페나지늄 화합물, 또한 추가적인 소중합체 페나지늄 화합물을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020050085841A
公开(公告)日：2005-08-29
申请号：KR1020057011603
申请日：2003-12-09
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C07D241/46 , C25D3/38
CPC classification number: C25D3/38 , C25D7/12 , H01L21/2885 , H05K3/423
Abstract: For the reproducible manufacturing of particularly uniform and brilliant i.e., highly bright copper coatings that are leveled and ductile as well, a copper plating bath is utilized that contains as an additive a mixture of oligomeric phenazinium compounds. The mixture contains at least one phenazinium compound selected from the group comprising compounds containing two monomeric units and compounds containing three monomeric units having the general chemical formulae and set forth in the patent claims and in the specification as well as further oligomeric phenazinium compounds.
Abstract translation: 对于特别均匀和辉煌的可重复制造，即均匀且延性良好的高亮度铜涂层，使用含有低聚菲嗪化合物的混合物作为添加剂的镀铜浴。 该混合物含有至少一种选自含有两个单体单元的化合物的化合物，以及含有三个具有一般化学式的单体单元并在专利权利要求书和说明书中阐述的化合物以及其它低聚苯并嗪化合物。
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