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    Verfahren zur selbstjustierten Freilegung von Seitenflächen eines Halbleiterkörpers
    2.
    发明专利
    Verfahren zur selbstjustierten Freilegung von Seitenflächen eines Halbleiterkörpers 未知

    公开(公告)号：DE102017104282A1

    公开(公告)日：2018-09-06

    申请号：DE102017104282

    申请日：2017-03-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： EBBECKE JENS ,  TAEGER SEBASTIAN

    IPC: H01L33/20

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Freilegung von Seitenflächen (31) eines Halbleiterkörpers (2) angegeben, bei dem der Halbleiterkörper (2) aufweisend eine sich lateral erstreckende erste Hauptfläche (201) bereitgestellt wird. Eine Mehrzahl von vertikalen Seitenflächen (31) wird ausgebildet, indem Material des Halbleiterkörpers (2) teilweise abgetragen wird und die erste Hauptfläche (201) dadurch bereichsweise entfernt wird, wobei die Seitenflächen (31) jeweils mit der verbleibenden ersten Hauptfläche (201) einen Winkel (α) zwischen einschließlich 110° und 160° bilden. Eine Schutzschicht (4) wird auf den Halbleiterkörper (2) aufgebracht, sodass die Schutzschicht (4) in Draufsicht die verbleibende erste Hauptfläche (201) und die schräg ausgebildeten Seitenflächen (31) vollständig bedeckt. Anschließend wird die Schutzschicht (4) bereichsweise entfernt, wobei die Schutzschicht (4) während eines gemeinsamen Verfahrensschritts aufgrund der Neigung in Bereichen auf den schräg ausgebildeten Seitenflächen (31) entfernt wird und in Bereichen auf der verbleibenden ersten Hauptfläche (201) zumindest teilweise erhalten bleibt.

    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
    3.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开
    光电子半导体芯片

    公开(公告)号：WO2012159615A3

    公开(公告)日：2013-05-23

    申请号：PCT/DE2012100118

    申请日：2012-04-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  MAUTE MARKUS ,  ENGL KARL ,  TAEGER SEBASTIAN ,  WALTER ROBERT ,  STOCKER JOHANNES

    Inventor： MAUTE MARKUS ,  ENGL KARL ,  TAEGER SEBASTIAN ,  WALTER ROBERT ,  STOCKER JOHANNES

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42

    CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (10), which comprises a semiconductor body (1) made of semiconductor material, a p-contact layer (21a) and an n-contact layer (2). The semiconductor body (1) comprises an active layer (1a) provided for generating radiation. The semiconductor body has a p-side (1c) and an n-side (1b), between which the active layer (1a) is arranged. The p-contact layer (21a) is provided for electrical contacting of the p-side (1c). The n-contact layer (2) is provided for electrical contacting of the n-side (1b). The n-contact layer (2) contains a TCO layer (2a) and a mirror layer (2b), wherein the TCO layer (2a) is arranged between the n-side (1b) of the semiconductor body (1) and the mirror layer (2b).

    Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片（10），包括半导体材料的半导体主体（1），p型接触层（21a）和一个n型接触层（2）。 半导体本体（1）具有用于产生辐射活性层（LA）中的开口。 该半导体主体包括一p侧（1c）和n侧（1b）中，活性层（LA）被布置在它们之间。 p接触层（21a）的电接触的p侧（1c）中被提供。 提供了一种用于在n侧（1b）的电接触n型接触层（2）。 的n型接触层（2）含有（1b）的（2b）中设置在所述半导体主体（1）和镜层的n侧之间的TCO层（2a）和镜面层（2b）中，其中，所述TCO层（2a）的 是。

    RADIATION-EMITTING COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
    4.
    发明申请
    RADIATION-EMITTING COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
    辐射发射组件及其生产方法

    公开(公告)号：WO2010054628A2

    公开(公告)日：2010-05-20

    申请号：PCT/DE2009001571

    申请日：2009-11-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  TAEGER SEBASTIAN

    Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  TAEGER SEBASTIAN

    IPC: H01L33/56

    CPC classification number: H01L33/44 ,  C08G61/02 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00

    Abstract: The invention relates to a radiation-emitting component, comprising a carrier, a semiconductor chip arranged on said carrier, the semiconductor chip having an active layer for generating electromagnetic radiation and a radiation exit surface, a first and a second contact structure for electrically contacting the semiconductor chip, a first and a second contact layer, the semiconductor chip being electrically connected to the first contact structure via the first contact layer and to the second contact structure via the second contact layer, and a passivation layer arranged on the semiconductor chip. Said passivation layer comprises an organic polymer of the general formula (I) wherein the groups R1 to R16 independently represent H, CH3, F, Cl or Br, and n has a value of from 10 to 500.000.

    Abstract translation: 发射辐射的部件，其包括支撑件，设置在所述基板上的半导体芯片，其中，所述半导体芯片具有用于产生电磁辐射和辐射出射表面，第一和用于半导体芯片，第一和第二接触层的电接触的第二接触结构的有源层，其中 第一接触层与第一接触结构和第二接触层与第二接触结构在半导体芯片导电连接，设置在所述半导体芯片，其中所述钝化层包括有机聚合物上的钝化层，其具有通式（I），其中基团 R1至R16可以各自独立地为H，CH3，F，Cl或Br，并且n具有10至500,000的值。

    Laserdiodenchip
    7.
    发明专利
    Laserdiodenchip 未知

    公开(公告)号：DE102014102360A1

    公开(公告)日：2015-08-27

    申请号：DE102014102360

    申请日：2014-02-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LELL ALFRED ,  TAEGER SEBASTIAN ,  HUPPMANN SOPHIA

    IPC: H01S5/028

    Abstract: Es wird ein Laserdiodenchip (1) beschrieben, bei dem mindestens eine Laserfacette (9) eine Beschichtung (10) aufweist. Die Beschichtung (10) weist mindestens eine anorganische Schicht (14, 15, 16, 17, 18) und mindestens eine organische Schicht (20, 21, 22) auf.

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