公开(公告)号：TW200849338A

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：TW097115888

申请日：2008-04-30

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 米利根 羅伯特B MILLIGAN, ROBERT B.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/56 ,  H01L21/76843

Abstract: 本發明提供在原子層沈積期間執行周期性電漿退火以及藉由該等方法所生成的結構。該等方法包括使基板與金屬源化學品和一或多種電漿激發還原物質的氣相衝接觸持續一時段。基板周期性地與一或多種電漿激發還原物質的氣相衝接觸持續更長的時段。重複該等步驟直至在基板上形成所要厚度的金屬薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供在原子层沉积期间运行周期性等离子退火以及借由该等方法所生成的结构。该等方法包括使基板与金属源化学品和一或多种等离子激发还原物质的气相冲接触持续一时段。基板周期性地与一或多种等离子激发还原物质的气相冲接触持续更长的时段。重复该等步骤直至在基板上形成所要厚度的金属薄膜。

公开(公告)号：TW200845157A

公开(公告)日：2008-11-16

申请号：TW097108686

申请日：2008-03-12

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 馬高特森 弗拉基米爾 MACHKAOUTSAN, VLADIMIR ,  葛藍尼門 恩斯特H A GRANNEMAN, ERNST H. A.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28518

Abstract: 一種具有高熱穩定性之金屬矽化物以及一種於半導體處理中利用金屬矽化物的方法。此金屬矽化物較佳為將鎳與具有約等於或大於2原子百分比之可置換型碳之置換型碳摻雜單晶矽化物反應而形成之鎳矽化物。出乎意料地,此金屬矽化物在約900℃或更高之溫度下非常穩定,並且其薄膜電阻實質上不會因暴露於高溫而受到影響。此金屬矽化物與後續包括BPSG回流退火之高溫處理步驟相容。

Abstract in simplified Chinese: 一种具有高热稳定性之金属硅化物以及一种于半导体处理中利用金属硅化物的方法。此金属硅化物较佳为将镍与具有约等于或大于2原子百分比之可置换型碳之置换型碳掺杂单晶硅化物反应而形成之镍硅化物。出乎意料地,此金属硅化物在约900℃或更高之温度下非常稳定,并且其薄膜电阻实质上不会因暴露于高温而受到影响。此金属硅化物与后续包括BPSG回流退火之高温处理步骤兼容。

公开(公告)号：TW200823309A

公开(公告)日：2008-06-01

申请号：TW096137237

申请日：2007-10-04

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 王長工 WANG, CHANG-GONG ,  雪洛 艾立克 SHERO, ERIC ,  威爾克 格蘭 WILK, GLEN

IPC: C23C ,  C30B

CPC classification number: C23C16/405 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531

Abstract: 一種用於形成金屬矽化物膜之方法。所述方法包含使基板交替且連續地與矽來源化學品、金屬來源化學品及氧化劑之氣相脈衝接觸,其中所述金屬來源化學品是在所述矽來源化學品後提供的下一個反應物。根據一些實施例之方法可用於在基板表面上形成一層覆蓋基板且實質上均一而富含矽之矽酸鉿及矽酸鋯膜。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于形成金属硅化物膜之方法。所述方法包含使基板交替且连续地与硅来源化学品、金属来源化学品及氧化剂之气相脉冲接触,其中所述金属来源化学品是在所述硅来源化学品后提供的下一个反应物。根据一些实施例之方法可用于在基板表面上形成一层覆盖基板且实质上均一而富含硅之硅酸铪及硅酸锆膜。

公开(公告)号：TW200701301A

公开(公告)日：2007-01-01

申请号：TW095101879

申请日：2006-01-18

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 馬伊夫 維基 VERGHESE, MOHITH ,  雪洛 艾立克 SHERO, ERIC ,  貝比克 達寇 BABIC, DARKO ,  特后司特 赫伯特 TERHORST, HERBERT ,  沛薩 瑪寇 PEUSSA, MARKO ,  洋 敏 YAN, MIN

IPC: H01L ,  C23C ,  C30B

CPC classification number: H01L21/68785 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4586 ,  C30B35/00 ,  H01L21/67236 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68742

Abstract: 一種原子沈積薄膜沈積設備包含一沈積室,此沈積室被配置用於在固定於其內部所界定之一空間內之一晶圓上沈積一薄膜。沈積室包括一與空間連通之進氣口。一氣體系統被配置用於將氣體傳輸至沈積室之進氣口。氣體系統之至少一部分被定位於沈積室的上方。氣體系統包含一被配置用於混合多種氣體流之混合器。一傳輸部件與混合器及進氣口流體連通。傳輸部件包括一對被配置用於在進入進氣口之前在水平方向散播氣體之水平擴散壁。

Abstract in simplified Chinese: 一种原子沉积薄膜沉积设备包含一沉积室,此沉积室被配置用于在固定于其内部所界定之一空间内之一晶圆上沉积一薄膜。沉积室包括一与空间连通之进气口。一气体系统被配置用于将气体传输至沉积室之进气口。气体系统之至少一部分被定位于沉积室的上方。气体系统包含一被配置用于混合多种气体流之混合器。一传输部件与混合器及进气口流体连通。传输部件包括一对被配置用于在进入进气口之前在水平方向散播气体之水平扩散壁。

公开(公告)号：TW200636827A

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：TW095109402

申请日：2006-03-20

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 梅斯 强 威廉 MAES, JAN WILLEM ,  懷特 海蒂 迪 WITTE, HILDE DE ,  波馬瑞德 克里斯多夫 POMAREDE, CHRISTOPHE

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28194 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/482 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 一種可在半導體基底上成形積體電路結構之方法。該方法包括使用原子層沈積處理，在半導體基底上沈積高k閘介電材料層。接下來，用快速熱化學氣相沈積處理，在閘介電材料層層上沈積氧化矽頂蓋層。最後在氧化矽頂蓋層上成形閘電極。

Abstract in simplified Chinese: 一种可在半导体基底上成形集成电路结构之方法。该方法包括使用原子层沉积处理，在半导体基底上沉积高k闸介电材料层。接下来，用快速热化学气相沉积处理，在闸介电材料层层上沉积氧化硅顶盖层。最后在氧化硅顶盖层上成形闸电极。

公开(公告)号：TW200633021A

公开(公告)日：2006-09-16

申请号：TW095103699

申请日：2006-02-03

Applicant: ASM美國公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS ,  威克斯 基斯 多倫 WEEKS, KEITH DORAN ,  托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE ,  寇帝 奈爾 CODY, NYLES

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

Abstract: 製造含有相對高含量的置換性摻雜劑之含矽薄膜之方法包括使用三矽烷及摻雜劑前驅體進行之化學氣相 積法。可獲得極高含量之置換性併入，包括含有2.4原子％或更多置換性碳之結晶矽薄膜。置換性摻雜之含矽薄膜可藉由在 積過程中引入蝕刻劑氣體而選擇性地 積於混合基板之結晶表面上。

Abstract in simplified Chinese: 制造含有相对高含量的置换性掺杂剂之含硅薄膜之方法包括使用三硅烷及掺杂剂前驱体进行之化学气相 积法。可获得极高含量之置换性并入，包括含有2.4原子％或更多置换性碳之结晶硅薄膜。置换性掺杂之含硅薄膜可借由在 积过程中引入蚀刻剂气体而选择性地 积于混合基板之结晶表面上。

公开(公告)号：TWI578398B

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：TW104131335

申请日：2010-01-21

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 米利根羅伯特B. ,  MILLIGAN,ROBERT B. ,  李東 ,  LI,DONG ,  馬庫斯史蒂芬 ,  MARCUS,STEVEN

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/562 ,  C23C16/32 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI547975B

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW101148792

申请日：2012-12-20

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 寇帝 奈爾W ,  CODY, NYLES W. ,  湯瑪斯 蕭恩 ,  THOMAS, SHAWN ,  托馬西尼 皮爾瑞 ,  TOMASINI, PIERRE

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02661

公开(公告)号：TWI509699B

公开(公告)日：2015-11-21

申请号：TW097133445

申请日：2008-09-01

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 湯瑪斯 蕭恩 ,  THOMAS, SHAWN ,  托馬西尼 皮爾瑞 ,  TOMASINI, PIERRE

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848 ,  Y10T428/2462

公开(公告)号：TWI508175B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：TW099101667

申请日：2010-01-21

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 米利根 羅伯特B ,  MILLIGAN, ROBERT B. ,  李 東 ,  LI, DONG ,  馬庫斯 史蒂芬 ,  MARCUS, STEVEN

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/562 ,  C23C16/32 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00