公开(公告)号：KR100340235B1

公开(公告)日：2002-10-12

申请号：KR1019970058853

申请日：1997-11-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데구치요이치 ,  아키모토마사미

IPC: H01L21/68

Abstract: 연직방향을 따라 이어지는 반송로와, 이 반송로의 주위에 배치되고, 연직방향으로 적층하여 배설되며, 피처리체에 대하여 소정의 처리를 각각 실시하는 복수의 처리유니트로 각각이 구성되는 복수의 처리부와, 반송로를 이동함과 동시에, 복수의 처리부의 각 처리유니트에 대하여 상기 피처리체를 반입반출하는 주반송기구를 구비한 복수의 처리세트와, 인접하는 처리세트 사이에서 피처리체를 반송하는 세트간 반송기구를 가지는 처리장치.

公开(公告)号：KR100315137B1

公开(公告)日：2002-02-28

申请号：KR1019950029396

申请日：1995-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 히로세오사무 ,  아키모토마사미 ,  사카모토야스히로 ,  하라다고오지

IPC: H01L21/02

Abstract: 기판처리장치는, 적어도 기판을 가열하는 가열 유니트와, 기판을 냉각하는 냉각 유니트를 포함하는 여러개의 처리 유니트와, 처리 유니트를 출입시키기 위한 개구를 가지는 상하 여러단으로 배치되어 있는 여러개의 컴파트먼트를 가지는 외장 프레임을 구비하면, 또 컴파트먼트는, 처리 유니트의 조작에 필요로 하는 전기계, 제어계 및 유체계를 포함하는 유틸리티 라인에 연결되는 여러개의 제 1 이음부재를 가지며, 처리 유니트는, 상기 제 1 이음부재에 접속되는 여러개의 제 2 이음부재를 가진다.

公开(公告)号：KR100299114B1

公开(公告)日：2001-11-30

申请号：KR1019950034071

申请日：1995-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 우에다잇세이 ,  아키모토마사미 ,  구도히로유키

IPC: H01L21/68

Abstract: 복수의 처리위치에서 피반송기판의 받음 및 받아넘김을 하고, 상기 처리위치 사이에서 피 반송기판을 반송하는 기판반송장치는, 장치본체와; 기판을 지지하여 반송하며, 상기 장치본체에 지지된 제 1 끝단부 및 장치본체에 구속되지 않은 제 2 끝단부를 가지고, 동일평면 내에서 복수의 다른 지지위치에서 기판을 지지하는 복수의 지지수단을 구비하며, 이 지지수단은 기판이 그에 대응하는 지지위치 이외의 지지위치에 있는 경우에는 상기 기판에 접촉하지 않고, 인접하는 지지위치에서의 상기 기판의 존재영역은 서로 일부 오버랩하고 있으며, 기판의 외주 끝단부의 서로 마주보는 위치에서 기판을 지지하는 제 1 및 제 2 지지부를 가지는 반송아암부재와; 상기 반송아암부재에 대한 상기 기판의 받고 받아넘김 동작을 하기 위해 반송아암부재를 이동하는 이동수단과; 상기 반송아암부재를 상기 동일평면 내에서 평행이동 시프트시키는 것에 의해 상기 복수의 다른 지지위치 사이에서 상기 제 1지지부재와 제 2지지부재를 전환하는 전환수단을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020010105258A

公开(公告)日：2001-11-28

申请号：KR1020010027109

申请日：2001-05-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  데구치요이치

IPC: H01L21/304

Abstract: 다마신 공정을 사용하여 절연막안에 도전층을 제조하는 방법에 있어서, 성막장치의 구리형성 처리실에서 웨이퍼상에 구리막을 형성한 후에 CMP처리실에서 CMP처리가 웨이퍼에 이루어진다. CMP처리후에 웨이퍼는 세정처리실에서 세정처리되고, 감압건조실에서 감압건조된다. 감압건조하고 처리된 웨이퍼는 감압상태에서 CVD장치로 반입되기 때문에 웨이퍼상에 형성된 구리막의 자연산화가 확실하게 억제된다. 이렇게 함으로써 도전성 재료의 산화를 최대한 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020010062440A

公开(公告)日：2001-07-07

申请号：KR1020000076709

申请日：2000-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노타카히로 ,  모리카와마사테루 ,  에사키유키히코 ,  이시자카노부카즈 ,  코가노리히사 ,  타케시타카즈히로 ,  오오쿠마히로후미 ,  아키모토마사미

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/162 ,  Y10S134/902

Abstract: PURPOSE: A coating film forming apparatus is provided to increase yields of a coating solution and forming a uniform coating film, and a coating unit. CONSTITUTION: The coating film forming apparatus includes a cassette mounting section(11) on which a substrate cassette housing a plurality of substrates is mounted; a coating unit(U1) for applying the coating solution to the substrate taken out of the substrate cassette which is mounted on the cassette mounting section; plural treatment units(U2) for performing at least either pre-treatment or post-treatment for treatment of applying the coating solution; and a main transfer mechanism(U3,U4) for transferring the substrate between the coating unit and the treatment units, wherein the coating unit has a coating section including a substrate holding portion for holding the substrate, a coating solution nozzle for discharging the coating solution to the substrate, provided to be opposed to the substrate held by the substrate holding portion, and a drive mechanism for moving the coating solution nozzle relatively to the substrate along a surface thereof while discharging the coating solution to the surface of the substrate from the coating solution nozzle, and a reduced-pressure drying section for drying under a reduced-pressure atmosphere the substrate which is applied with the coating solution in the coating section.

Abstract translation: 目的：提供一种涂膜形成装置，以提高涂布液的产率和形成均匀的涂膜，以及涂布单元。 构成：涂膜形成装置包括：盒安装部（11），安装有容纳多个基板的基板盒; 涂布单元（U1），用于将涂布溶液施加到从安装在盒安装部上的基板盒取出的基板; 用于至少进行预处理或后处理以处理涂布溶液的多个处理单元（U2）; 以及用于在所述涂布单元和所述处理单元之间转印所述基板的主转印机构（U3，U4），其中所述涂布单元具有包括用于保持所述基板的基板保持部的涂布部，用于将所述涂布溶液排出的涂布溶液喷嘴 设置成与由基板保持部保持的基板相对的基板和用于使涂布溶液喷嘴相对于基板沿其表面移动的驱动机构，同时从涂层排出涂布溶液到基板的表面 溶液喷嘴和用于在减压气氛下干燥涂布部分中涂布溶液的基材的减压干燥部。

公开(公告)号：KR1020010030214A

公开(公告)日：2001-04-16

申请号：KR1020000051475

申请日：2000-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야노미쓰테루 ,  셈바노리오 ,  가나가와고조 ,  우에다잇세이 ,  아키모토마사미 ,  오이가즈히코

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67248 ,  G03F7/16 ,  G03F7/30 ,  H01L21/67109 ,  Y10S134/902

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to regulate the temperature and humidity of air to be supplied to a coating processing unit and the developing processing unit and to reduce running costs for electric power consumption and the like. CONSTITUTION: Outside air taken in form the outside is cooled to a predetermined temperature by a cooler, and the air cooled by the cooler flows through a low temperature side flow path in a heat exchanger, whereas outside air flows through a high temperature side flow path in the heat exchanger, which allows heat to be exchanged between the cooled air and the outside air. The air, flowing through the low temperature side flow path in the heat exchanger and warmed up by the outside air flowing through the high temperature side flow path, is warmed and humidified by a warmer and a humidifier, and the air with predetermined temperature and humidity is supplied to a coating processing unit. Moreover, the outside air, flowing through the high temperature side flow path in the heat exchanger and cooled by the air flowing through the low temperature side flow path, is warmed by a warmer, and the air with a predetermined temperature is supplied to a developing processing unit.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，用于调节供给涂布处理单元和显影处理单元的空气的温度和湿度，并降低电力消耗的运行成本等。 构成：通过冷却器将形成外部的外部空气冷却至规定的温度，由冷却器冷却的空气在热交换器中流过低温侧流路，而外部空气流过高温侧流路 在热交换器中，其允许在冷却的空气和外部空气之间进行热交换。 在热交换器中流过低温侧流路并流过高温侧流路的外部空气加热的空气通过加温器和加湿器进行加热和加湿，并且具有预定温度和湿度的空气 被供给到涂布处理单元。 此外，在热交换器中流过高温侧流路并通过流经低温侧流路的空气进行冷却的外部空气被加热器加热，并且将具有预定温度的空气供给到显影 处理单元。

公开(公告)号：KR1020010029969A

公开(公告)日：2001-04-16

申请号：KR1020000041329

申请日：2000-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키모토마사미

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus of substrate treatment are provided to perform application process after cooling process without increasing the cost of equipment and decreasing throughput at the same time. CONSTITUTION: A wafer after being subjected to heat-treatment at a hot plate unit(HP) is carried by a carriage unit to a normal cooling unit(COL)(52). After subjecting it to considerable cooling treatment, the wafer is carried to a highly precise cooling unit(HCOL), and cooled with high precision, and then carried to a coating process unit(COT) or to a development unit(DEV).

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理方法和装置，以在冷却过程之后执行应用程序，而不会同时增加设备成本和降低吞吐量。 构成：在热板单元（HP）进行热处理后的晶片由托架单元承载到普通冷却单元（COL）（52）。 经过相当大的冷却处理后，将晶片运送到高精度冷却单元（HCOL），并以高精度冷却，然后运送到涂覆处理单元（COT）或显影单元（DEV）。

公开(公告)号：KR100241291B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019930020311

申请日：1993-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 아키모토마사미

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02043 ,  B08B1/04 ,  B08B3/02 ,  B08B5/02 ,  B08B11/00 ,  H01L21/67046

Abstract: 반도체 웨이퍼의 이면을 세정하는 장치는, 주면이 상향이면서 또한 실질적으로 수평으로 되도록 웨이퍼를 끼워지지하여 유지하기 위한 1쌍의 홀더를 구비한다. 홀더는 수평방향에 있어서 상대적으로 접근, 이반이동가능함과 함께, 승강가능하도록 되어 있다. 홀더에 유지된 상태의 웨이퍼의 이면에는 회전브러쉬가 접촉한다. 회전브러쉬는, 그 자신의 축 주위에서 자전구동함과 함께, 웨이퍼의 실질적인 중심을 축으로 공전 구동된다. 회전브러쉬의 샤프트에는 플렉시블관이 접속되고, 플렉시블관을 통하여 세정수인 순수한 물과, 200℃ 정도로 가열된 건조용의 질소가스가 선택적으로 웨이퍼의 이면에 공급된다. 또한, 웨이퍼의 주면에는, 웨이퍼의 이면으로부터의 비상물이, 주면에 이르는 것을 방지하는 배리어 가스로서 청정한 질소가스가 공급된다.

公开(公告)号：KR100199680B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960000326

申请日：1996-01-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까무라고오지 ,  아키모토마사미

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67173 ,  G03F7/38 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/67276 ,  Y10S438/908 ,  Y10T29/41

Abstract: 인터페이스부에 있어서, 노광처리장치로부터 반출된 상기 기판을 받아들이고, 이어서, 기판반송수단에 의해 인터페이스부로부터 기판을 열처리부까지 반송하고, 열처리부에 있어서, 기판에 열처리를 수행한다. 그 다음, 기판 반송수단에 의해 열처리부로부터 냉각처리부까지 반송하고, 냉각처리부에 있어서 기판을 냉각한다. 냉각처리종료후, 기판 반송수단에 의해 냉각처리부로부터 현상처리부까지 반송하고, 현상처리부에 있어서 기판상의 레지스트막을 현상한다. 이 레지스트처리에 있어서, 노광처리장치에서의 처리 소요시간을 토대로 열처리부에서의 처리 소요시간을 변경한다. 열처리부에서의 처리 소요시간은, 노광처리장치에서의 처리 소요시간과 같게 한다.
열처리부에서의 처리 소요시간의 변경은, 열처리부에서의 전대기 시간의 연장 또는 단축에 의해 수행된다.

公开(公告)号：KR1019980042217A

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019970058853

申请日：1997-11-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데구치요이치 ,  아키모토마사미

IPC: H01L21/68

Abstract: 연직방향을 따라 이어지는 반송로와, 이 반송로의 주위에 배치되고, 연직방향으로 적층하여 배설되며, 피처리체에 대하여 소정의 처리를 각각 실시하는 복수의 처리유니트로 각각이 구성되는 복수의 처리부와, 반송로를 이동함과 동시에, 복수의 처리부의 각 처리유니트에 대하여 상기 피처리체를 반입반출하는 주반송기구를 구비한 복수의 처리세트와, 인접하는 처리세트 사이에서 피처리체를 반송하는 세트간 반송기구를 가지는 처리장치.