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公开(公告)号：KR101695320B1
公开(公告)日：2017-01-13
申请号：KR1020140031644
申请日：2014-03-18
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03H7/38 , H01L23/642 , H01L2224/49175 , H01P1/2039 , H01P5/12 , H05K1/025 , H05K2201/09781
Abstract: 본발명에서는정합회로를포함하는소자패키지및 그것의정합방법을제공한다. 본발명에따른소자패키지는정합부를포함하고, 정합부는기판, 기판에형성되고소자패키지의단자와연결되는전송선로, 전송선로와중심소자를전기적으로연결하는본딩와이어및 배선연결을통해전송선로와전기적으로연결되는복수의캐패시터를구비한캐패시터부를포함하고, 본딩와이어의길이조정을통해정합부의인덕턴스가가변되고, 배선연결의연장또는차단을통해캐패시터부중 전송선로와전기적으로연결되는캐패시터들의수를증가또는감소시킴으로써정합부의캐패시턴스가가변된다.
Abstract translation: 本文提供了一种包括匹配单元及其匹配方法的组件封装，所述匹配单元包括：衬底; 形成在所述基板上的传输线，所述传输线连接到所述部件封装的端子; 电连接所述传输线和中心部件的接合线; 以及具有通过布线连接与传输线电连接的多个电容器的电容器单元，其中匹配单元的电感通过调整接合线的长度而变化，并且匹配单元的电容可通过增加或减小而变化 通过延长或切断布线连接，在电容器单元内的电容器之间电连接到传输线的电容器的数量。
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公开(公告)号：KR1020160065366A
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：KR1020140168969
申请日：2014-11-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7831
Abstract: 서로다른게이트길이(Gate Length)를갖는소자를결합시켜구조적인안정성과신뢰성을가진반도체소자에관한기술이개시된다. 반도체소자는기판상에이격되어위치하는소스전극및 드레인전극, 및소스전극과드레인전극사이에위치하는게이트전극을포함하고, 게이트전극은기판상에위치하는복수의제1 게이트발 및복수의제2 게이트발을포함하는게이트발(Gate Foot) 및게이트발 상에위치하고, 게이트발보다크기가큰 게이트머리(Gate Head)를포함하되, 제2 게이트발은제1 게이트발보다큰 게이트길이(Gate Length)를갖고, 제1 게이트발과상기제2 게이트발은교대로배열된다.
Abstract translation: 公开了通过组合具有不同栅极长度的器件的具有结构稳定性和可靠性的半导体器件的技术。 半导体器件包括在基板上彼此间隔开的源电极和漏电极，以及位于源电极和漏电极之间的栅电极。 栅电极包括具有多个第一栅极脚和多个第二栅极脚的栅极脚和位于栅极脚之上并且大于栅极脚的栅极头。 第二栅极脚的栅极长度大于第一栅极脚的栅极长度，并且第一栅极脚和第二栅极脚交替布置。
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公开(公告)号：KR1020150083483A
公开(公告)日：2015-07-20
申请号：KR1020140002967
申请日：2014-01-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/402 , H01L21/283 , H01L21/28593 , H01L29/2003 , H01L29/42312 , H01L29/42356 , H01L29/66462 , H01L29/66477 , H01L29/7787
Abstract: 본발명은고전압구동용전계효과트랜지스터및 그의제조방법에관한것으로, 고전압구동이가능하도록게이트머리영역밑에내재된전계전극에의해드레인방향으로확장된게이트머리가지지되는게이트전극구조를포함한다. 이에따라드레인방향으로확장된게이트머리를절연막을이용하여전기적으로이격시킨전계전극으로지지함으로써게이트머리가확장되어있는게이트전극을안정적으로제작할수 있고, 드레인방향으로확장된게이트머리에의해게이트저항이감소하고, 드레인방향으로확장된게이트머리를가지는게이트전극및 게이트에근접된전계전극에의해게이트와드레인사이의전계피크치가감소하여, 소자의파괴전압이높아지는효과를얻을수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及用于高电压操作的场效应晶体管及其制造方法。 场效应晶体管包括栅电极结构，其中栅极通过设置在栅极头区域下方的场电极在漏极方向延伸以实现高电压操作。 因此，通过使用绝缘膜通过使用电极分离的场电极来支持在漏极方向上延伸的栅极头，能够稳定地制造具有扩展栅头的栅电极，通过在 漏极方向和栅极和漏极之间的场峰值通过具有在漏极方向延伸的栅电极的栅电极和与栅极相邻的场电极而减小，从而提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：KR1020150060417A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020130144810
申请日：2013-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778 , H01L29/78 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/42316 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: 고주파소자는에피택셜구조상에형성된캡핑층; 상기캡핑층 상에형성된소스및 드레인전극; 상기소스및 드레인전극과상기캡핑층의전면을따라계단형태로형성된다층절연패턴; 상기다층절연패턴및 상기캡핑층을관통하여상기에피택셜구조와접하는 T형게이트; 및상기 T형게이트및 상기다층절연패턴의전면을따라형성된보호막을포함한다.
Abstract translation: 微波器件包括形成在外延结构上的覆盖层，形成在覆盖层上的源电极和漏电极，沿着覆盖层和源的前侧形成阶梯形的多层绝缘图案，以及 漏电极，经由覆盖层和多层绝缘图案与外延结构接触的T形栅极以及沿多层绝缘图案和T形栅极的前侧形成的保护层。
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公开(公告)号：KR1020140089052A
公开(公告)日：2014-07-14
申请号：KR1020130000317
申请日：2013-01-02
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H03F3/08 , H03G1/0047 , H03G1/0088 , H03G3/02 , H03G3/3084 , H03G11/02
Abstract: The present invention relates to a feedback amplifier. The feedback amplifier according to the present invention includes an amplification circuit unit which amplifies a burst packet signal inputted from an input terminal and outputs the amplified signal to an output terminal, a feedback circuit unit which is located between the input terminal and the output terminal and is controlled for applying a fixed resistance value to the signal outputted to the output terminal, a packet signal detecting unit which detects the peak of the burst packet signal from the output terminal and controls whether to apply the fixed resistance value, and a bias circuit unit which generates a bias voltage. The feedback circuit unit controls a gain by determining a feedback resistance value for changing the fixed resistance value according to at least one control signal and receiving a bias voltage.
Abstract translation: 本发明涉及一种反馈放大器。 根据本发明的反馈放大器包括：放大电路单元，其放大从输入端输入的突发分组信号，并将放大的信号输出到输出端;反馈电路单元，位于输入端和输出端之间;以及 被控制为对输出到输出端子的信号施加固定电阻值;分组信号检测单元，其检测来自输出端子的突发分组信号的峰值，并控制是否施加固定电阻值;偏置电路单元 其产生偏置电压。 反馈电路单元通过根据至少一个控制信号确定用于改变固定电阻值并接收偏置电压的反馈电阻值来控制增益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130066071A
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：KR1020110132746
申请日：2011-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B1/005 , G02B1/02 , G03F7/0002
Abstract: PURPOSE: A photochromic photonic crystal structure and a manufacturing method of the same are provided to improve a photochromic property using an asymmetrical monomer. CONSTITUTION: A monomer includes a second layer greater than a first layer and a fourth layer that is greater than a third layer. The second and fourth layers include a horizontal unit extended to a horizontal direction. An asymmetrical monomer is repeatedly arranged on the substrate leaving a fixed gap to a first direction which is a horizontal direction of the substrate and is stacked to a second direction which is perpendicular to the first direction.
Abstract translation: 目的：提供光致变色光子晶体结构及其制造方法，以提高使用不对称单体的光致变色性能。 构成：单体包括大于第一层的第二层和大于第三层的第四层。 第二层和第四层包括向水平方向延伸的水平单元。 不对称单体重复地布置在基板上，留下与基板的水平方向相对的第一方向的固定间隙，并且与第一方向垂直的第二方向堆叠。
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公开(公告)号：KR1020130031776A
公开(公告)日：2013-03-29
申请号：KR1020120077726
申请日：2012-07-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/66462
Abstract: PURPOSE: A power semiconductor device and a fabrication method thereof are provided to increase the break down voltage. CONSTITUTION: A source electrode(303) and a drain electrode(305) are formed on a substrate(301). A dielectric layer(307) is formed between the source electrode and the drain electrode. A field plate(311) is formed on the dielectric layer. A metal connects the field plate to the source electrode.
Abstract translation: 目的：提供功率半导体器件及其制造方法以增加击穿电压。 构成：在基板（301）上形成源电极（303）和漏电极（305）。 在源电极和漏电极之间形成电介质层（307）。 在电介质层上形成场板（311）。 金属将场板连接到源电极。
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公开(公告)号：KR101184321B1
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：KR1020090081990
申请日：2009-09-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명은 전계 효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법을 개시한다. 이 방법은 기판 상에 쇼트키 장벽 층을 형성하는 단계; 상기 쇼트키 장벽 층 상에 제 1 최하부 금속 층을 포함하는 제 1 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 쇼트키 장벽 층 상에, 상기 제 1 게이트 전극과 이격되고, 제 2 최하부 금속 층을 포함하는 제 2 게이트 전극을 형성하는 단계; 및 상기 기판을 열처리하여 상기 제 1 최하부 금속 층과 상기 제 2 최하부 금속 층의 물질들이 각각 상기 쇼트키 장벽 층의 내부로 확산되는 제 1 확산 층과 제 2 확산 층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제 1 확산 층과 제 2 확산 층은 상기 쇼트키 장벽 층의 상부표면에서부터 내부로 확산되는 깊이가 서로 다르게 나타난다.
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公开(公告)号：KR101094359B1
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：KR1020080118553
申请日：2008-11-27
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명의 고주파 증폭기는, 공핍형 전계효과 트랜지스터를 통해 고주파 신호를 증폭하는 증폭회로, 입력된 고주파 신호를 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터에 정합시키는 입력 정합회로, 상기 증폭된 신호를 정합하여 출력하는 출력 정합회로, 그리고 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 소오스로 양의 전압을 인가하여 상기 공핍형 전계효과 트랜지스터의 게이트-소오스간 전압이 음의 값을 가지도록 바이어싱하는 바이어스 회로를 포함한다.
증폭기, 공핍형 FET, 바이어스-
公开(公告)号：KR1020110066624A
公开(公告)日：2011-06-17
申请号：KR1020090123356
申请日：2009-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/02225 , H01L29/41725 , H01L29/42312
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing field effect transistor is provided to increase production by simultaneously forming a gate electrode and an electric field electrode in a first opening and a second opening . CONSTITUTION: In a method for manufacturing field effect transistor, an active layer(12) and a capping layer(14) are laminated on a substrate(10). A source electrode(16) and a drain electrode(18) are formed on the capping layer. An insulating layer(20) and a first resist layer(28) are successively formed in the top of the substrate. A first opening(32) and a second opening(34) are formed on the first resist layer. The gate electrode and electric field electrodes are formed within the first opening and the second opening at the same time.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造场效应晶体管的方法，以通过在第一开口和第二开口中同时形成栅电极和电场电极来增加产量。 构成：在制造场效应晶体管的方法中，有源层（12）和覆盖层（14）层叠在基板（10）上。 源极电极（16）和漏电极（18）形成在封盖层上。 绝缘层（20）和第一抗蚀剂层（28）依次形成在基板的顶部。 第一开口（32）和第二开口（34）形成在第一抗蚀剂层上。 栅电极和电场电极同时形成在第一开口和第二开口内。
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