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公开(公告)号：KR100551323B1
公开(公告)日：2006-02-13
申请号：KR1020030046357
申请日：2003-07-09
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 기질 위에 수산화 기 단층을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 반도체 또는 금속 표면에 할로겐 원소를 흡착시킨 후 물을 이용하여 수산화 기 단층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 반도체 또는 금속 표면에 수산화 기 단층을 형성할 수 있고, 박막 침착 공정에서 별도로 반도체 또는 금속 표면에 산화막을 형성할 필요가 없으며 특히 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD) 공정 초기의 부화 기간 (incubation period)을 줄일 수 있는 장점이 있다.
본 발명에 따른 수산화 기 단층을 형성한 반도체 및 금속의 표면은 표면 과학의 새로운 연구 대상이 될 수 있고 또한 이들을 기질로 하여 분자 단층 (molecular monolayer)을 입힐 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020050033737A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：KR1020030069585
申请日：2003-10-07
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F15/04
CPC classification number: C07F15/045 , C23C16/18
Abstract: Volatile nickel aminoalkoxide complexes, a preparation method thereof and a process for formation of a nickel thin film by using the same compounds are provided, which compounds have high volatility and sufficient thermal stability, and are reduced to nickel by self-pyrolysis without a reducing agent. so that the compounds are useful as a MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) precursor for formation of the nickel thin film. The volatile nickel aminoalkoxide complexes represented by formula (1) are provided, wherein m is an integer of 1 to 3; and R and R' are C1-C4 linear or branched alkyl. The volatile nickel aminoalkoxide complexes represented by formula (2) are provided, wherein m is an integer of 1 to 3; n is an integer of 2 to 4; and R and R' are C1-C4 linear or branched alkyl. The method for preparing the volatile nickel aminoalkoxide complexes of formula (1) or (2) comprises a halogenized hexamine nickel compound of Ni(NH3)6X2 with an alkali metal salt of aminoalkoxide of MOCR'2(CH2)mNR2 or MOCR'2(CH2)mO(CH2)nNR2, wherein X is Cl, Br or I; and M is Li or Na. The process for formation of the nickel thin film comprises growing the nickel thin film by using the volatile nickel aminoalkoxide complexes of formula (1) or (2) as a precursor at 250 to 350 deg. C.
Abstract translation: 提供挥发性镍氨基醇氧化物络合物，其制备方法和通过使用相同化合物形成镍薄膜的方法，该化合物具有高挥发性和足够的热稳定性，并且通过自热解而不用还原剂还原成镍 。 使得这些化合物可用作用于形成镍薄膜的MOCVD（金属有机化学气相沉积）前体。 提供由式（1）表示的挥发性镍氨基醇氧化物络合物，其中m为1至3的整数; 并且R和R'是C 1 -C 4直链或支链烷基。 提供由式（2）表示的挥发性镍氨基醇盐络合物，其中m为1至3的整数; n为2〜4的整数， 并且R和R'是C 1 -C 4直链或支链烷基。 制备式（1）或（2）的挥发性镍氨基醇氧化物配合物的方法包括Ni（NH 3）6 X 2的卤化六甲基镍化合物与MOCR'2（CH2）mNR2或MOCR'2（CH2）mNR2的氨基醇盐的碱金属盐 CH2）mO（CH2）nNR2，其中X是Cl，Br或I; M为Li或Na。 形成镍薄膜的方法包括使用式（1）或（2）的挥发性镍氨基醇氧化物配合物作为前体在250至350℃下生长镍薄膜。 C。
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公开(公告)号：KR102260185B1
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：KR1020200022895
申请日：2020-02-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C09D11/03 , C09D11/033 , C01B32/921 , C01B32/949
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公开(公告)号：KR101627324B1
公开(公告)日：2016-06-03
申请号：KR1020140113489
申请日：2014-08-28
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하이드로발포탄소재료및 그제조방법에관한것이다. 구체적으로, 분말형태의탄소재료를용매에분산시킨후 장뇌를첨가하고, 상기용매가휘발되고장뇌가녹을수 있는온도에서교반함으로써, 장뇌내에탄소재료가고르게분산되어있는상태로만들어서상온이하에서빠르게고체화시키는방법을이용하는, 다양한모양의고체화된형태를갖는하이드로발포탄소재료및 그제조방법이제공된다.
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公开(公告)号：KR1020160041190A
公开(公告)日：2016-04-18
申请号：KR1020140134684
申请日：2014-10-07
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B32/184 , C01B32/192 , C01B2204/00
Abstract: 본발명은환원된산화그래핀및 이의제조방법에관한것으로, 본발명에따른제조방법은유독한화학처리또는고온어닐링의필요없이고전도성, 가요성및 가공성을가지는환원된산화그래핀을제공할수 있으며, 이는지속가능하고, 간단한화학적환원방법이다.
Abstract translation: 本发明涉及还原型石墨烯氧化物及其制备方法。 根据本发明的制备方法可以提供具有高导电性，柔韧性和生产率的还原型石墨烯氧化物，而不需要苛刻的化学处理或高温退火。 另外，制备方法是可持续，简单的化学还原方法。 还原型石墨烯氧化物的制备方法包括以下步骤：通过干式氧化石墨烯氧化物和叔取代的二卤化二膦来制备还原的氧化石墨烯，或者在氧化石墨烯分散体中混合二卤化物和膦类化合物，然后进行脱氧反应，其中 通过将氧化石墨烯分散在溶剂中形成氧化石墨烯分散体; 并且通过多级连续地洗涤还原的石墨烯氧化物并将其干燥。
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公开(公告)号：KR101503011B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130118360
申请日：2013-10-04
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/1606 , H01L29/66742 , H01L29/66969
Abstract: 본 발명은 전하이동도와 점멸비의 제어가 가능한 박막 트랜지스터와 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 박막 트랜지스터는 그래핀층과 산화물층의 적층구조를 가지는 채널층을 구비하여 용이하게 전하이동도와 점멸비의 제어가 가능하다.
Abstract translation: 本发明涉及能够控制开 - 关比和电荷迁移率的薄膜晶体管及其制造方法。 根据本发明的薄膜晶体管通过包括具有氧化物层和石墨烯层的层叠结构的沟道层来容易地控制开 - 关比和电荷迁移率。
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公开(公告)号：KR101451334B1
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：KR1020130039133
申请日：2013-04-10
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C01B32/194 , B82B1/008 , B82B3/0009
Abstract: The present invention relates to a manufacturing method of brominated graphene using organic synthesis. According to the manufacturing method of the present invention, brominated graphene can be manufactured by a simple and efficient method, and the brominated graphene manufactured by the present invention is functionalized to be able to control graphene characteristics by introducing a functional group.
Abstract translation: 本发明涉及使用有机合成的溴化石墨烯的制造方法。 根据本发明的制造方法，可以通过简单有效的方法制造溴化石墨烯，通过引入官能团，能够使本发明制造的溴化石墨烯功能化，从而能够控制石墨烯特性。
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公开(公告)号：KR1020140112633A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130026189
申请日：2013-03-12
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: The present invention relates to a deposition device for an organic-inorganic hybrid thin film and a method for manufacturing an organic-inorganic hybrid thin film using the same. In the deposition device for an organic-inorganic hybrid thin film, an atomic layer deposition chamber for the deposition of inorganic matters and a thermal deposition chamber for the depositing of organic matters are vertically connected. A gate valve is arranged in a connection path connecting the chambers. An injection port for supplying an inorganic deposition source is arranged in the atomic layer deposition chamber. A unit for heating an organic deposition source is arranged in the thermal deposition chamber. In the formation of a molecular organic-inorganic thin film, the present invention can form the multi-layered physical thin film of the organic and inorganic layers using a thermal deposition method and an atomic layer deposition method and the multi-layered thin film of the organic and inorganic layers through a chemical combination on the interface of the organic and inorganic layers.
Abstract translation: 本发明涉及一种有机 - 无机混合薄膜的沉积装置及其制造方法。 在有机 - 无机混合薄膜的沉积装置中，垂直连接用于沉积无机物质的原子层沉积室和用于沉积有机物的热沉积室。 闸阀布置在连接腔室的连接路径中。 用于提供无机沉积源的注入口布置在原子层沉积室中。 用于加热有机沉积源的单元布置在热沉积室中。 在分子有机 - 无机薄膜的形成中，本发明可以使用热沉积法和原子层沉积法形成有机和无机层的多层物理薄膜，并且可以形成多层薄膜 有机和无机层通过化学组合在有机和无机层的界面上。
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