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    Integrierte Halbleitereinheiten mit Träger aus amorphem Silicium, Verfahren zur Herstellung und Entwurfsstruktur
    91.
    发明专利
    Integrierte Halbleitereinheiten mit Träger aus amorphem Silicium, Verfahren zur Herstellung und Entwurfsstruktur 未知

    公开(公告)号：DE112012004340T5

    公开(公告)日：2014-07-03

    申请号：DE112012004340

    申请日：2012-10-03

    Applicant: IBM

    Inventor： LUCE STEPHEN E ,  STAMPER ANTHONY K

    IPC: B81C1/00

    Abstract: Es werden akustische Bulk-Wellen-Filter und/oder akustische Bulk-Resonatoren, die mit CMOS-Einheiten kombiniert sind, Verfahren zur Herstellung sowie Entwurfsstrukturen bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet ein Bilden von wenigstens einem Träger (44), der ein Material (29) aus amorphem Silicium aufweist, sowie ein Bereitstellen eines Isolatormaterials (32) über und benachbart zu dem Träger aus amorphem Silicium. Das Verfahren beinhaltet des Weiteren ein Bilden eines Durchkontakts (50) durch das Isolatormaterial hindurch sowie ein Freilegen eines Materials (25), das unter dem Träger (44) aus amorphem Silicium liegt. Das Verfahren beinhaltet des Weiteren ein Bereitstellen eines Opfermaterials (36) in dem Durchkontakt und über dem Träger aus amorphem Silicium. Das Verfahren beinhaltet des Weiteren das Bereitstellten eine Kappe (38) auf dem Opfermaterial und über dem Isolatormaterial. Das Verfahren beinhaltet des Weiteren ein Abführen des Opfermaterials und des darunter liegenden Materials durch die Kappe (Öffnung 40 zum Abführen) hindurch, um einen oberen Hohlraum (42a) oberhalb des Trägers aus amorphem Silicium beziehungsweise einen unteren Hohlraum (42b) unterhalb des Trägers aus amorphem Silicium zu bilden.

    Micro-electro-mechanical system (MEMS) structures and design structures
    93.
    发明专利
    Micro-electro-mechanical system (MEMS) structures and design structures 未知

    公开(公告)号：GB2497641B

    公开(公告)日：2014-03-26

    申请号：GB201221473

    申请日：2012-11-29

    Applicant: IBM

    Inventor： DEMUYNCK DAVID ALAN ,  CZABAJ BRIAN MATTHEW ,  STAMPER ANTHONY K

    IPC: B81C1/00 ,  H01H1/00

    Abstract: Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) structures, methods of manufacture and design structures are disclosed. The method includes layering metal and insulator materials on a sacrificial material formed on a substrate. The method further includes masking the layered metal and insulator materials. The method further includes forming an opening in the masking which overlaps with the sacrificial material. The method further includes etching the layered metal and insulator materials in a single etching process to form the beam structure, such that edges of the layered metal and insulator material are aligned. The method further includes forming a cavity about the beam structure through a venting.

    Micro-electro-mechanical system (MEMS) and related actuator bumps, methods of manufacture and design structures
    94.
    发明专利
    Micro-electro-mechanical system (MEMS) and related actuator bumps, methods of manufacture and design structures 未知

    公开(公告)号：GB2505825A

    公开(公告)日：2014-03-12

    申请号：GB201322198

    申请日：2012-06-01

    Applicant: IBM

    Inventor： JAHNES CHRISTOPHER V ,  STAMPER ANTHONY K

    IPC: B81B3/00

    Abstract: Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) structures, methods of manufacture and design structures are provided. The method of forming a MEMS structure includes forming a wiring layer (14) on a substrate (10) comprising actuator electrodes (115) and a contact electrode (110). The method further includes forming a MEMS beam (100) above the wiring layer (14). The method further includes forming at least one spring (200) attached to at least one end of the MEMS beam (100). The method further includes forming an array of mini -bumps (105') between the wiring layer (14) and the MEMS beam (100).

    KONDENSATOREINHEITEN MIT MIKROELEKTROMECHANISCHER STRUKTUR (MEMS), KONDENSATORTRIMMUNG DIESER UND DESIGN-STRUKTUREN
    96.
    发明专利
    KONDENSATOREINHEITEN MIT MIKROELEKTROMECHANISCHER STRUKTUR (MEMS), KONDENSATORTRIMMUNG DIESER UND DESIGN-STRUKTUREN 未知

    公开(公告)号：DE102012221815A1

    公开(公告)日：2013-06-20

    申请号：DE102012221815

    申请日：2012-11-29

    Applicant: IBM

    Inventor： JAHNES CHISTOPHER V ,  STAMPER ANTHONY K

    IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/66

    Abstract: Es werden Kondensatoreinheiten mit mikroelektromechanischer Struktur (MEMS), eine Kondensatortrimmung für MEMS-Kondensatoreinheiten und Design-Strukturen offenbart. Das Verfahren weist das Identifizieren einer Verfahrensschwankung in Bezug auf eine Bildung von Kondensatoreinheiten mit mikroelektromechanischer Struktur (MEMS) über ein Substrat auf. Das Verfahren weist ferner das Bereitstellen von Design-Veränderungen oder Verfahrensveränderungen in Elektrodenflächen der MEMS-Kondensatoreinheiten über das Substrat auf der Grundlage der identifizierten Verfahrensschwankung auf.

    Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures
    97.
    发明专利
    Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures 未知

    公开(公告)号：GB2494359A

    公开(公告)日：2013-03-06

    申请号：GB201300085

    申请日：2011-06-08

    Applicant: IBM

    Inventor： HERRIN RUSSELL T ,  JAHNES CHRISTOPHER V ,  STAMPER ANTHONY K ,  WHITE ERIC J

    IPC: B81C1/00 ,  H01H57/00

    Abstract: A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) cavity (60b) includes forming a first sacrificial cavity layer (18) over a wiring layer (14) and substrate (10). The method further includes forming an insulator layer (40) over the first sacrificial cavity layer. The method further includes performing a reverse damascene etchback process on the insulator layer. The method further includes planarizing the insulator layer and the first sacrificial cavity layer. The method further includes venting or stripping of the first sacrificial cavity layer to a planar surface for a first cavity (60b) of the MEMS.

    Micro-electro-mechanical system structures
    98.
    发明专利
    Micro-electro-mechanical system structures 未知

    公开(公告)号：GB2494355A

    公开(公告)日：2013-03-06

    申请号：GB201300041

    申请日：2011-06-15

    Applicant: IBM

    Inventor： STAMPER ANTHONY K ,  JAHNES CHRISTOPHER VINCENT

    IPC: B81C1/00 ,  H01H57/00

    Abstract: A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System(MEMS) cavity includes forming a first sacrificial cavity layer over a lower wiring layer. The method further includes forming a layer. The method further includes forming a second sacrificial cavity layer over the first sacrificial layer and in contact with the layer. The method further includes forming a lid on the second sacrificial cavity layer. The method further includes forming at least one vent hole in the lid, exposing a portion of the second sacrificial cavity layer. The method further includes venting or stripping the second sacrificial cavity layer such that a top surface of the second sacrificial cavity layer is no longer touching a bottom surface of the lid, before venting or stripping the first sacrificial cavity layer thereby forming a first cavity and second cavity, respectively.

    Durchgehende Silizium Verbindung mit lithographischer Ausrichtung und Registrierung
    99.
    发明专利
    Durchgehende Silizium Verbindung mit lithographischer Ausrichtung und Registrierung 未知

    公开(公告)号：DE112011100134T5

    公开(公告)日：2012-10-04

    申请号：DE112011100134

    申请日：2011-01-12

    Applicant: IBM

    Inventor： SPROGIS EDMUND J ,  HERRIN RUSSELL T ,  LINDGREN PETER J ,  STAMPER ANTHONY K

    IPC: H01L21/768

    Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltkreisstruktur bildet eine erste Öffnung in einem Substrat (100; 1) und liniert die erste Öffnung mit einer Schutzschicht. (102) Das Verfahren lagert Material in die erste Öffnung (104) ab und bildet ein Schutzmaterial über dem Substrat. Das Schutzmaterial enthält eine Prozess Kontrollmarkierung sowie eine zweite Öffnung oberhalb und ausgerichtet an der ersten Öffnung. (108) Das Verfahren entfernt das Material aus der ersten Öffnung durch die zweite Öffnung in dem Schutzmaterial. (110) Die Prozess-Kontrollmarkierung besteht aus einer Aussparung innerhalb des Schutzmaterials, die sich nur teilweise erstreckt durch das Schutzmaterial, so daß Teile des Substrats unter der Prozess Kontrollmarkierung nicht betroffen sind von dem Prozess des Entfernens des Materials.

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