公开(公告)号：DE102014208960A1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：DE102014208960

申请日：2014-05-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/58

Abstract: Es wird ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement mit einem ersten Strukturelement, einem zweiten Strukturelement und einem optoelektronischen Chip beschrieben, wobei eine Strahlungsfläche des optoelektronischen Chips senkrecht zu einer Montagefläche des Bauelements angeordnet ist. An der Montagefläche ist an dem ersten Strukturelement und an dem zweiten Strukturelement ein erster und zweiter elektrischer Anschlusskontakt vorgesehen, die geeignet sind, das Bauelement elektrisch und mechanisch mit einem Schaltungsträger zu verbinden. In dem ersten und/oder dem zweiten Strukturelement ist eine Aussparung vorgesehen, die das erste und/oder das zweite Strukturelement in einer Richtung senkrecht zur Montagefläche vollständig durchdringt. Der Chip ist in der Aussparung angeordnet und zumindest über eine senkrecht zur Montagefläche angeordnete Seitenfläche mechanisch mit dem ersten und/oder dem zweiten Strukturelement verbunden. Das erste und zweite Strukturelement sind aus einem elektrisch leitenden Material geformt sind und voneinander elektrisch isoliert.

公开(公告)号：DE112013003760A5

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：DE112013003760

申请日：2013-07-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  MÖNCH WOLFGANG

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50

公开(公告)号：DE102013112881A1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：DE102013112881

申请日：2013-11-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN ,  HAHN BERTHOLD ,  ENGL KARL ,  BAUR JOHANNES ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  PLÖSSL ANDREAS ,  KATZ SIMEON ,  MEYER TOBIAS ,  ZINI LORENZO ,  MAUTE MARKUS

IPC: H01L33/14 ,  H01L23/60 ,  H01L27/15 ,  H01L33/22

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit einem integrierten Überbrückungselement angegeben, das zum Schutz vor Überspannungen dient.

公开(公告)号：DE102012112988A1

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：DE102012112988

申请日：2012-12-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PLÖSSL ANDREAS ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  WEGLEITER WALTER

IPC: H01L33/62 ,  F21S8/12 ,  F21W101/10

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angegeben, aufweisend einen Träger (2), wobei auf dem Träger (2) eine elektrisch leitende Schicht (3) angeordnet ist, und wenigstens einen Halbleiterchip (4). Der Halbleiterchip (4) weist eine aktive Schicht (15) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung auf. Der Halbleiterchip (4) ist über die elektrisch leitende Schicht (3) elektrisch leitend und mechanisch mit dem Träger (2) verbunden. Das optoelektronische Bauelement (1) weist ferner eine Halterung (11) auf, wobei eine dem Halbleiterchip (4) abgewandte Oberfläche des Trägers (2) auf der Halterung (11) angeordnet ist, wobei der Träger (2) durch wenigstens ein Befestigungselement (5) mit der Halterung (11) mechanisch verbunden ist, wobei das Befestigungselement (5) den Träger (2) vollständig durchdringt, und wobei der Halbleiterchip (4) durch das Befestigungselement (5) mit der Halterung (11) elektrisch leitend verbunden ist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (1) und ein Scheinwerfer mit einem optoelektronischen Bauelement (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102012217776A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：DE102012217776

申请日：2012-09-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  DIRSCHERL GEORG ,  HAHN BERTHOLD

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/44

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (201), umfassend: – Bereitstellen (101) eines Aufwachssubstrats (301), auf welchem eine Halbleiterschichtenfolge (203) umfassend eine aktive Zone (205) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung angeordnet ist, – Anordnen (103) eines Hilfsträgersubstrats (321) einer dem Aufwachssubstrat (301) gegenüberliegenden ersten Oberfläche (320) der Halbleiterschichtenfolge (203), – Entfernen (105) des Aufwachssubstrats (301), – Bilden (107) einer die Halbleiterschichtenfolge (203) mechanisch stabilisierende Konverterschicht (207) zum Konvertieren einer Wellenlänge zumindest eines Teils der mittels der aktiven Zone (205) erzeugten elektromagnetischen Strahlung in eine von der Wellenlänge verschiedenen anderen Wellenlänge auf einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (326) der Halbleiterschichtenfolge (203) und – Entfernen (109) des Hilfsträgersubstrats (321). Die Erfindung betrifft ferner ein optoelektronisches Bauelement (201).

公开(公告)号：DE102012217533A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：DE102012217533

申请日：2012-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  MALM NORWIN VON

IPC: H01L33/62 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L33/36 ,  H01L33/46

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, wobei auf einem Aufwachssubstrat eine Schichtstruktur mit einer positiv dotierten Halbleiterschicht und einer negativ dotierten Halbleiterschicht mit einer aktiven Zone zur Erzeugung von Licht und einer Spiegelschicht aufgewachsen wird, wobei die Schichtstruktur über eine Verbindungsschicht auf einer ersten Seite eines Trägers befestigt wird, und wobei über eine zweite Seite des Trägers elektrische Kontakte für die Schichtstruktur eingebracht werden und das Aufwachssubstrat entfernt wird.

公开(公告)号：DE112012002368A5

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：DE112012002368

申请日：2012-05-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00 ,  H01L33/48

公开(公告)号：DE102012200416A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：DE102012200416

申请日：2012-01-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  ILLEK STEFAN

IPC: G02B27/10 ,  G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  G02B27/14

Abstract: Ein optoelektronisches Modul (202, 204, 206, 208, 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232, 234) weist einen Träger (102) auf, an dem und/oder in dem mindestens zwei Halbleiterchips (104, 104a1, 104a2, 104b; 106, 106a1, 106a2, 106b, 106c) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (108a, 108b) angeordnet sind. Auf oder in dem Träger (102) ist eine Abstrahleinheit (110) zur Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung (109) aus dem optoelektronischen Modul (202, 204, 206, 208, 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232, 234) angeordnet. Mindestens einer der Halbleiterchips (106, 106a1, 106a2, 106b, 106c) ist von der Abstrahleinheit (110) beabstandet. Ein Wellenleiter (112) leitet die elektromagnetische Strahlung (108a) des mindestens einen beabstandeten Halbleiterchips (106, 106a1, 106a2, 106b, 106c) zur Abstrahleinheit (110). Die Abstrahleinheit (110) weist eine Auskoppelstruktur (114, 114a, 114b, 114c) zur Auskopplung der elektromagnetischen Strahlung (108a) aus dem Wellenleiter (112) auf.

公开(公告)号：DE102010045054A1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：DE102010045054

申请日：2010-09-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  MALM NORWIN VON DR ,  HOEPPEL LUTZ DR

IPC: F21V14/02 ,  F21V19/02 ,  F21V23/00 ,  H05B44/00 ,  F21V25/00 ,  F21V33/00 ,  H01L25/075

Abstract: Es wird eine Beleuchtungsvorrichtung angegeben, mit – einem Piezo-Transformator (1), der eine Montagefläche (10) aufweist, an der zumindest zwei ausgangseitige Anschlussstellen (11) angeordnet sind, und – zumindest einer substratlosen Lumineszenzdiode (2), die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist, wobei – die zumindest eine substratlose Lumineszenzdiode (2) zumindest mittelbar auf die Montagefläche (10) aufgebracht und mechanisch an der Montagefläche (10) befestigt ist, und – die zumindest eine substratlose Lumineszenzdiode (2) elektrisch an zumindest zwei der ausgangseitigen Anschlussstellen (11) elektrisch leitend angeschlossen ist.

公开(公告)号：DE102009053064A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：DE102009053064

申请日：2009-11-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHEUBECK MANFRED ,  HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L23/60 ,  H01L33/38