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    METHOD FOR FABRICATING SUSPENDED MEMS STRUCTURES
    91.
    发明申请
    METHOD FOR FABRICATING SUSPENDED MEMS STRUCTURES 审中-公开
    制造悬挂MEMS结构的方法

    公开(公告)号：WO2016167848A1

    公开(公告)日：2016-10-20

    申请号：PCT/US2016/012133

    申请日：2016-01-05

    Applicant: THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF THE NAVY ,  MEYER, David, J. ,  DOWNEY, Brian, P.

    Inventor： MEYER, David, J. ,  DOWNEY, Brian, P.

    IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  H01L27/04

    CPC classification number: B81C1/00539 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0177

    Abstract: A process for fabricating a suspended microelectromechanical system (MEMS) structure comprising epitaxial semiconductor functional layers that are partially or completely suspended over a substrate. A sacrificial release layer and a functional device layer are formed on a substrate. The functional device layer is etched to form windows in the functional device layer defining an outline of a suspended MEMS device to be formed from the functional device layer. The sacrificial release layer is then etched with a selective release etchant to remove the sacrificial release layer underneath the functional layer in the area defined by the windows to form the suspended MEMS structure.

    Abstract translation: 一种用于制造悬浮微机电系统（MEMS）结构的方法，其包括部分或完全悬浮在衬底上的外延半导体功能层。 在基板上形成牺牲剥离层和功能元件层。 功能器件层被蚀刻以在功能器件层中形成窗口，其限定要由功能器件层形成的悬置的MEMS器件的轮廓。 然后用选择性释放蚀刻剂蚀刻牺牲剥离层，以去除由窗口限定的区域中的功能层下方的牺牲剥离层，以形成悬浮的MEMS结构。

    HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EIN MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT UND ENTSPRECHENDES MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT
    92.
    发明申请
    HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EIN MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT UND ENTSPRECHENDES MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    用于微机械结构及相应的微机械部件

    公开(公告)号：WO2014140120A1

    公开(公告)日：2014-09-18

    申请号：PCT/EP2014/054876

    申请日：2014-03-12

    Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

    Inventor： HEUCK, Friedjof ,  SCHELLING, Christoph

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81C1/00412 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2201/0188

    Abstract: Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauelement und ein entsprechendes mikromechanisches Bauelement. Das Herstellungsverfahren umfasst die Schritte: Bereitstellen eines Substrats (1) mit einer in Strukturbereichen(3a-3e) freiliegenden einkristallinen Startschicht (1c), wobei die Strukturbereiche (3a-3e) eine Oberseite (O) und laterale Flanken (F) aufweisen, wobei auf der Oberseite (O) eine Katalysatorschicht (2) vorgesehen ist, welche geeignet ist, ein Siliziumwachstum der freiliegenden Oberseite (O) der strukturierten einkristallinen Startschicht (1c) zu fördern, und wobei auf den Flanken (F) keine Katalysatorschicht (2) vorgesehen ist; und Durchführen eines selektiven Aufwachsprozesses an der Oberseite (O) der einkristallinen Startschicht (1c) mittels der Katalysatorschicht (2)in einer Reaktivgasatmosphäre zum Ausbilden einer mikromechanischen Funktionsschicht (3').

    Abstract translation: 本发明提供了一种用于制造微机械部件的方法和相应的微机械部件。 该制造方法包括以下步骤：提供具有衬底（1）的结构的区域（图3a-3e）的暴露的单晶种子层（1c）中，其特征在于，图案区域（3A-3E）具有顶侧（O）和横向侧面（F），其中 是在上侧（O）中，提供的催化剂层（2），其适合于结构化单晶种子层（1c）中，以促进的暴露的上侧（O）的硅生长，并且其中所述侧面（F）无催化剂层（2）提供 是; 并通过在反应性气体气氛中的催化剂层（2）的装置上的单晶种子层（1c）中的上侧（O）执行选择性生长工艺来形成微机械功能层（3“）。

    SEMICONDUCTOR MEMBRANE STRUCTURE WITH CONTROLLED TENSILE STRESS
    93.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR MEMBRANE STRUCTURE WITH CONTROLLED TENSILE STRESS 审中-公开
    具有受控拉伸应力的半导体膜结构

    公开(公告)号：WO2012153112A3

    公开(公告)日：2013-01-03

    申请号：PCT/GB2012050980

    申请日：2012-05-04

    Applicant: UNIV WARWICK ,  SHAH VISHAL AJIT ,  MYRONOV MAKSYM

    Inventor： SHAH VISHAL AJIT ,  MYRONOV MAKSYM

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81C2201/017 ,  B81C2201/0177 ,  H01L21/3081

    Abstract: A semiconductor structure comprises a frame (24) provided by a monocrystalline substrate comprising a first semiconductor material and having a window passing through the substrate between first and second opposite surfaces of the substrate; and a monocrystalline membrane (4) over the window provided by a layer supported directly on the first surface of the substrate, the membrane comprising a second, different semiconductor material which is under tensile strain.

    Abstract translation: 半导体结构包括由单晶衬底提供的框架（24），所述单晶衬底包括第一半导体材料并且具有穿过所述衬底的窗口，所述窗口在所述衬底的第一和第二相对表面之间; 以及由直接支撑在所述基板的第一表面上的层提供的窗口上的单晶膜（4），所述膜包括处于拉伸应变的第二不同的半导体材料。

    METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES THROUGH EPITAXY
    94.
    发明申请
    METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES THROUGH EPITAXY 审中-公开
    通过外延形成半导体器件的方法

    公开(公告)号：WO2004060792A2

    公开(公告)日：2004-07-22

    申请号：PCT/US2003/033630

    申请日：2003-10-23

    Applicant: MOTOROLA, INC., A CORPORATION OF THE STATE OF DELAWARE

    Inventor： GOGOI, Bishnu

    IPC: B81B3/00

    CPC classification number: B81B3/001 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0177

    Abstract: A method for creating a semiconductor structure is provided. In accordance with the method, a semiconductor substrate (101) is provided over which is disposed a sacrificial layer (103), and which has a thin single crystal semiconductor layer (105) disposed over the sacrificial layer (103). An opening (107) is then created which extends through the semiconductor layer (105) and into the sacrificial layer (103). The semiconductor layer (105) is then epitaxially grown to a suitable device thickness, thereby resulting in a device layer. The semiconductor layer is grown such that the resulting device layer extends over the opening (107), and such that the surface of the portion of the device layer extending over the opening is single crystal silicon.

    Abstract translation: 提供了一种用于制造半导体结构的方法。 根据该方法，提供半导体衬底（101），在其上设置有牺牲层（103），并且具有设置在牺牲层（103）上方的薄单晶半导体层（105）。 然后产生延伸穿过半导体层（105）并进入牺牲层（103）的开口（107）。 然后将半导体层（105）外延生长至合适的器件厚度，由此产生器件层。 生长半导体层使得所得到的器件层在开口（107）上延伸，并且使得在开口上延伸的器件层的部分的表面是单晶硅。

    MICROMECHANICAL DEVICE AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD
    95.
    发明申请
    MICROMECHANICAL DEVICE AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD 审中-公开
    微机械装置及相应方法

    公开(公告)号：WO99032890A1

    公开(公告)日：1999-07-01

    申请号：PCT/DE1998/003695

    申请日：1998-12-16

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/00 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L21/764

    CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2201/0177 ,  G01L9/0073 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L21/764

    Abstract: Disclosed is a micromechanical device, more particularly, a micromechanical cantilever sensor, comprising a semiconductor substrate (10) with a basic doping, at least one doping area (20, 22; 25; 28) applied therein differing from the basic doping; at least one epitaxial layer (30a, 30b; 33a, 33b; 36a, 36b, 37a, 37b) lying above the doping area (20, 22; 25; 28) of the substrate (10) and a hollow space (50) beneath one of the epitaxial layers (30a, 30b; 33a, 33b; 36a, 36b, 37a, 37b), wherein the area of the epitaxial layer (30b; 33a; 37a) located above the hollow space has a membrane function.

    Abstract translation: 本发明提供了一种微机械装置，特别并入具有与至少一种基本掺杂的半导体衬底（10）的微机械悬臂梁传感器在其中，该基本掺杂不同杂质区（20，22; 25; 28）; 至少一个所述杂质区上方（20,22; 25; 28）位于所述基板（10），外延层（30A，30B; 33A，33B; 36A，36B，37A，37B）; 位于腔体（50）的外延层（; 33A; 33B 36A，36B，37A，37B 30A，30B）的（37A 30B; 33A）和下; 其中，位于所述外延层的区域中的空腔（50）上述（30B; 33A; 37A），其具有光圈功能。

    에피택시를 통해 반도체 장치들을 형성하는 방법
    97.
    发明授权
    에피택시를 통해 반도체 장치들을 형성하는 방법 有权
    通过外延形成半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR101031990B1

    公开(公告)日：2011-05-02

    申请号：KR1020057011908

    申请日：2003-10-23

    Applicant: 엔엑스피 유에스에이, 인코포레이티드

    Inventor： 고고이,비쉬누

    IPC: H01L21/20

    CPC classification number: B81B3/001 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0177

    Abstract: 반도체 구조를 생성하는 방법이 제공된다. 상기 방법에 따라, 반도체 기판(101)이 제공되어 그 위에 희생층(103)이 배치되고, 얇은 단결정 반도체층(105)이 희생층(103) 위에 배치된다. 그 다음, 반도체층(105)을 통해 희생층(103)으로 연장하는 개구부(107)가 생성된다. 반도체층(105)은 적절한 장치 두께로 에피택셜 성장되고, 그에 의해 장치층이 된다. 반도체층은, 결과로서 생긴 장치층이 개구부(107)를 통해 연장하고, 개구부를 통해 연장하는 장치층의 일부 표면이 단결정 실리콘이 되도록 성장된다.
    반도체 구조, 반도체층, 에피택셜 성장, 장치층, 희생층

    에피택시를 통해 반도체 장치들을 형성하는 방법
    99.
    发明公开
    에피택시를 통해 반도체 장치들을 형성하는 방법 有权
    通过外延形成半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR1020050085889A

    公开(公告)日：2005-08-29

    申请号：KR1020057011908

    申请日：2003-10-23

    Applicant: 엔엑스피 유에스에이, 인코포레이티드

    Inventor： 고고이,비쉬누

    IPC: H01L21/20

    CPC classification number: B81B3/001 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0177

    Abstract: A method for creating a semiconductor structure is provided. In accordance with the method, a semiconductor substrate (101) is provided over which is disposed a sacrificial layer (103), and which has a thin single crystal semiconductor layer (105) disposed over the sacrificial layer (103). An opening (107) is then created which extends through the semiconductor layer (105) and into the sacrificial layer (103). The semiconductor layer (105) is then epitaxially grown to a suitable device thickness, thereby resulting in a device layer. The semiconductor layer is grown such that the resulting device layer extends over the opening (107), and such that the surface of the portion of the device layer extending over the opening is single crystal silicon.

    Abstract translation: 提供了一种用于制造半导体结构的方法。 根据该方法，提供半导体衬底（101），在其上设置有牺牲层（103），并且具有设置在牺牲层（103）上方的薄单晶半导体层（105）。 然后产生延伸穿过半导体层（105）并进入牺牲层（103）的开口（107）。 然后将半导体层（105）外延生长至合适的器件厚度，由此产生器件层。 生长半导体层使得所得到的器件层在开口（107）上延伸，并且使得在开口上延伸的器件层的部分的表面是单晶硅。

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