公开(公告)号：CN109392242B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201810877181.4

申请日：2018-08-03

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 坂东慎介

IPC: H05K1/09 ,  C22C9/04

Abstract: 本发明提供一种弯曲性优异的柔韧印刷基板用铜箔。一种柔韧印刷基板用铜箔，其是包含99.0质量%以上的Cu、和余量的不可避免的杂质的铜箔，该铜箔的电导率超过75%IACS，铜箔表面的KAM值的构成比=(KAM值为0～0.875的区域A)/(KAM值为0～5的区域B)为0.98以上。

公开(公告)号：CN108291295B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201780003924.9

申请日：2017-03-23

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 小田国博 ,  宫田千荣

IPC: C23C14/34 ,  C22C14/00 ,  C22C27/02

Abstract: 一种Ti‑Ta合金溅射靶，其含有0.1原子％～30原子％的Ta，剩余部分包含Ti和不可避免的杂质，其特征在于，所述溅射靶的氧含量为400重量ppm以下。本发明具有如下优良的效果：由于氧含量低且硬度低，因此容易进行加工并且具有良好的表面性状，因此，在溅射时能够抑制粉粒的产生。

公开(公告)号：CN108779554B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201780015348.X

申请日：2017-03-07

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 村田周平

IPC: C23C14/34

Abstract: 一种溅射靶，其溅射面具有平坦部和锥形部，其特征在于，上述锥形部具有以KAM值计平均0.5°以上的晶体应变。能够降低点燃(等离子体点火)的点火失败率，能够稳定地开始溅射过程。由此，能够缩短装置的停机时间，因此，能够有助于提高生产能力、改善性价比。

公开(公告)号：CN111886350A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201980019391.2

申请日：2019-03-18

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 青木胜志 ,  武田翼

IPC: C22B1/00 ,  B09B5/00

Abstract: 本发明提供一种能够增大在冶炼工序中处理的电子电气设备部件屑的处理量、且能够高效地回收贵重金属的电子电气设备部件屑的处理方法。电子电气设备部件屑的处理方法包括：从电子电气设备部件屑去除粉状物和薄膜状部件屑的工序1；从去除了粉状物和薄膜状部件屑的电子电气设备部件屑浓缩合成树脂类及基板的工序2；以及从在工序2中得到的浓缩物浓缩含有贵重金属的基板的工序3。

公开(公告)号：CN111757599A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010223434.3

申请日：2020-03-26

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 石野裕士

IPC: H05K1/09 ,  H05K3/02 ,  C25D1/04 ,  C23F1/18

Abstract: 本发明提供微细电路形成后的弯曲性优异的柔韧印刷基板用铜箔、使用了该铜箔的覆铜层叠体、柔韧印刷基板和电子设备。柔韧印刷基板用铜箔，其是包含99.0质量％以上的Cu和余量的不可避免的杂质的铜箔，使用由铜箔形成电路而得的宽度为12.7mm、长度为200mm的双层单面CCL样品，以曲率半径R=2.0进行2000次的IPC滑动弯曲之后的电路表面的表面粗糙度Ra为0.030μm以上且0.400μm以下。

公开(公告)号：CN111465712A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201980003822.6

申请日：2019-03-06

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 涩谷义孝 ,  成田里安 ,  梶田博树

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/04 ,  G11B5/851

Abstract: 一种MgO烧结体溅射靶，其中，所述MgO烧结体溅射靶的GOS(晶粒取向分布)为0°～1°的比例为75％以上。一种MgO烧结体溅射靶，其特征在于，所述MgO烧结体溅射靶的KAM(晶内平均取向差)为0°～2°的比例为90％以上。本发明的课题在于提供一种能够减少粉粒的MgO烧结体溅射靶。

公开(公告)号：CN111164233A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201980004774.2

申请日：2019-03-06

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 奈良淳史 ,  宗安慧

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/01

Abstract: 一种氧化物溅射靶，其特征在于，所述氧化物溅射靶含有MoO2和In2O3，Mo的含有比率以原子比计满足0.1≤Mo/(In+Mo)≤0.8，并且所述氧化物溅射靶的相对密度为80％以上。一种氧化物溅射靶的制造方法，其特征在于，在还原性气体气氛或惰性气体气氛下对氧化铟粉末和氧化钼粉末进行热压烧结。本发明的课题在于提供一种密度高的氧化物溅射靶及其制造方法。

公开(公告)号：CN107012435B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201610857413.0

申请日：2016-09-27

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 奈良淳史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及烧结体和包含该烧结体的溅射靶以及使用该溅射靶形成的薄膜。一种含有ZnS和氧化物的烧结体或膜，其特征在于，所述烧结体含有40摩尔％～70摩尔％的ZnS，烧结体中的所述氧化物至少包含包含Zn、Ga、O的复合氧化物，所述烧结体或膜的组成满足关系式：4原子％≤Ga/(Ga+Zn‑S)≤18原子％。本发明的课题在于提供一种体电阻值低且能够进行稳定的DC溅射的溅射靶。另外，本发明的课题在于提供一种在光学特性、耐高温高湿性方面具有极其优异的特性的薄膜作为各种显示器中的透明导电膜、光盘的保护膜、光学调节用膜。

公开(公告)号：CN111004919A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN202010009422.0

申请日：2015-09-29

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 横田拓也 ,  伊藤顺一

IPC: C22B7/00 ,  C22B47/00 ,  C22B23/00

Abstract: 本发明提供一种可有效地降低处理成本的锂离子电池废料的浸出方法、及来自于锂离子电池废料的金属的回收方法。该发明的锂离子电池废料的浸出方法在利用酸性溶液使包含镍和/或钴、以及锰和/或铁的锂离子电池的废料浸出时，包括如下金属浸出工序：将所述废料添加至酸性溶液中，首先，所述锰和/或铁进行浸出，使锰和/或铁的金属离子存在于所述酸性溶液中，之后，在存在锰和/或铁的金属离子的该酸性溶液中，使镍和/或钴、与锰和/或铁的金属离子接触，由此使镍和/或钴浸出。

公开(公告)号：CN110996507A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201910923158.9

申请日：2019-09-27

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 坂东慎介

IPC: H05K1/09 ,  H05K3/02

Abstract: 本发明提供在将铜箔和树脂进行叠层时抑制了铜箔的褶皱的柔性印刷基板用铜箔、使用其的覆铜叠层体、柔性印刷基板、和电子设备。柔性印刷基板用铜箔，其是含有99.9质量％以上的Cu、0.0005质量％以上且0.0220质量％以下的P、余量包含不可避免的杂质的铜箔，其中，厚度为0.018mm以下，在400℃进行1秒钟热处理前后的拉伸强度的下降率为10%以下，热处理后的电导率为80%IACS以上，热处理前的拉伸强度为180MPa以上～小于320MPa。