公开(公告)号：DE102012216969A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：DE102012216969

申请日：2012-09-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst einen Halbleiterkörper mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche, wobei wenigstens eine Elektrode in wenigstens einem Graben sich von der ersten Oberfläche in den Halbleiterkörper hineinerstreckt und wobei sich ein Halbleitervia in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers innerhalb des Halbleiterkörpers zu der zweiten Oberfläche erstreckt. Das Halbleitervia ist elektrisch von dem Halbleiterkörper durch eine Via-Isolationsschicht isoliert. Die wenigstens eine Elektrode erstreckt sich in einer ersten lateralen Richtung des Halbleiterkörpers durch die Via-Isolationsschicht und ist elektrisch an das Halbleitervia angeschlossen.

公开(公告)号：DE102004004862B4

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：DE102004004862

申请日：2004-01-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JENSEN NILS ,  MEISER ANDREAS

IPC: H01L27/082 ,  H01L23/62 ,  H01L27/02 ,  H01L27/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861

公开(公告)号：DE102006023731A1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：DE102006023731

申请日：2006-05-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  BONART DIETRICH ,  MEISER ANDREAS ,  GROSS THOMAS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/74

Abstract: The structure has a highly doped buried layer (2) formed in parts of a semiconductor substrate (1). A single-crystal semiconductor layer (3) is arranged on the semiconductor substrate and the buried layer. A low trench (5) is filled with an insulating material for forming an insulation trench for electric insulation of regions of the structure. The low trench passes into the substrate and electrically insulates the buried layer. A low impedance contact (21) is formed in the low trench of the insulation trench for contacting the buried layer. An independent claim is also included for a method for manufacturing a semiconductor structure.

公开(公告)号：DE102004017768B3

公开(公告)日：2005-10-27

申请号：DE102004017768

申请日：2004-04-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SANDER RAINHALD ,  MEISER ANDREAS

IPC: G11C11/22 ,  G11C16/04 ,  H01L27/115

Abstract: The invention relates to an electrically programmable memory cell comprising a memory transistor having a source and a drain zone and also a storage electrode and a control electrode, and a selection transistor having a source and a drain zone and also a control electrode, the drain zones of the storage and selection transistors being electrically conductively connected to one another. In this case, the drain zone of the selection transistor has a connection zone and an intermediate zone doped more weakly than the connection zone, the intermediate zone being arranged between the connection zone and a channel zone of the selection transistor and serving, during the programming operation, for taking up a programming voltage and thus for protecting a control electrode insulation layer of the selection transistor.

公开(公告)号：DE102017103893B4

公开(公告)日：2022-09-15

申请号：DE102017103893

申请日：2017-02-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  HIRLER FRANZ

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: Halbleitervorrichtung (10) mit einem ersten Transistor (300) und einem zweiten Transistor (400) in einem Halbleitersubstrat (100),wobei der erste Transistor (300) aufweist:einen ersten Sourcebereich (301) benachbart zu einer ersten Hauptoberfläche (110) des Halbleitersubstrats (100),einen ersten Bodybereich (320),eine erste Gateelektrode (310) bei dem ersten Bodybereich (320), undeine Driftzone (360),wobei der zweite Transistor (400) aufweist:einen zweiten Sourcebereich (401) benachbart zu der ersten Hauptoberfläche (110) des Halbleitersubstrats (100),einen zweiten Bodybereich (420) direkt benachbart zu der Driftzone (360), undeine zweite Gateelektrode (410) bei dem zweiten Bodybereich (420),wobei der erste Transistor (300) und der zweite Transistor (400) in Reihe über die Driftzone (360) verbunden sind, unddie Halbleitervorrichtung (10) weiterhin einen ersten Sourcekontakt (304) und einen zweiten Sourcekontakt (404) umfasst, wobei der erste Sourcekontakt (304) elektrisch mit dem ersten Sourcebereich (301) verbunden ist, der zweite Sourcekontakt (404) elektrisch mit dem zweiten Sourcebereich (401) verbunden ist, der erste Sourcekontakt (301) benachbart zu einer zweiten Hauptoberfläche (120) des Halbleitersubstrats (100) angeordnet ist und der zweite Sourcekontakt (401) benachbart zu der ersten Hauptoberfläche (110) des Halbleitersubstrats (100) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102014119346B4

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：DE102014119346

申请日：2014-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LOGIUDICE ANDREA ,  MEISER ANDREAS

IPC: H01L23/58 ,  H01L25/16 ,  H05B44/00 ,  H01L27/15

Abstract: Leuchtdiodenteilmatrix, welche aufweist:eine LED-Teilmatrix (102, 304) mit einem zugeordneten Treibersubstrat (202, 302, 402),wobei das Treibersubstrat (202, 302, 402) aufweist:- eine erste Seite (204) und eine der ersten Seite (204) gegenüberliegende zweite Seite (206);- mehrere Treiberschaltungen auf der ersten Seite (204) des Treibersubstrats (202, 302, 402), wobei jede der mehreren Treiberschaltungen dafür ausgelegt ist, einen Strom von der ersten Seite (204) des Treibersubstrats (202, 302, 402) zu der zweiten Seite (206) des Treibersubstrats (202, 302, 402) zu treiben; und- wenigstens eine Lastschnittstelle (222, 338, 342, 438, 442) auf der zweiten Seite (206) des Treibersubstrats (202, 302, 402), wobei die wenigstens eine Lastschnittstelle (222, 338, 342, 438, 442) dafür ausgelegt ist, den Strom von den mehreren Treiberschaltungen auf der ersten Seite (204) des Treibersubstrats (202, 302, 402) mehreren Lasten auf der zweiten Seite (206) des Treibersubstrats (202, 302, 402) zuzuführen,wobei die LED-Teilmatrix (102, 304) den mehreren Lasten entspricht und eine Matrix von LED-Elementen in einem LED-Teilmatrixsubstrat (106) umfasst undwobei das Treibersubstrat (202, 302, 402) und die LED-Teilmatrix (102, 304) über die wenigstens eine Lastschnittstelle (222, 338, 342, 438, 442) miteinander elektrisch verbunden sind.

公开(公告)号：DE102016119799B4

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：DE102016119799

申请日：2016-10-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DIBRA DONALD ,  MEISER ANDREAS ,  SCHMIDT SEBASTIAN ,  SEIDER-SCHMIDT MARTINA ,  IRSIGLER PETER ,  HELLMUND OLIVER ,  WIESNER ROBERT ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/76 ,  H01L27/085 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78

Abstract: Integrierte Schaltung, umfassend:einen Hohlraum (108), der in einem Halbleiterkörper (104) unter einer ersten Oberfläche (107) des Halbleiterkörpers (104) vergraben ist, und ein Dielektrikum, das ein Oxid von Silizium ist (126) und eine Oberfläche des Hohlraums auskleidet;einen Bereich aktiven Gebiets (112) des Halbleiterkörpers (104), der zwischen der ersten Oberfläche (107) und dem Hohlraum (108) angeordnet ist;eine Grabenisolierungsstruktur (125), die dafür eingerichtet ist, eine laterale elektrische Isolierung des Bereichs aktiven Gebiets (112) bereitzustellen, und wobeidie Grabenisolierungsstruktur (125) und das Dielektrikum ineinander übergehen und den Bereich aktiven Gebiets (112) von jedem umgebenden Teil des Halbleiterkörpers (104) elektrisch isolieren,die Grabenisolierungsstruktur (125) den Bereich aktiven Gebiets (112) an der ersten Oberfläche (107) vollständig umgibt, unddie Grabenisolierungsstruktur (125), die den Bereich aktiven Gebiets (112) an der ersten Oberfläche (107) umgibt, einen ersten Teil (1221, 1222) umfasst, der den Bereich aktiven Gebiets (112) in einem kleineren Ausmaß als ein zweiter Teil (122) umschließt, wobei eine laterale Breite des ersten Teils (1221, 1222), gemessen senkrecht zu einer Umfangslinie des Bereichs aktiven Gebiets an der ersten Oberfläche (107), größer als eine laterale Breite des zweiten Teils (122) ist.

公开(公告)号：DE102018103836B4

公开(公告)日：2020-07-30

申请号：DE102018103836

申请日：2018-02-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161

Abstract: Halbleiterbauelement, aufweisend:einen mit Siliziumcarbid gebildeten Halbleiterkörper (100) mit einem Sourcegebiet (110), einem Stromverteilungsgebiet (137) und einem Bodygebiet (120), wobei das Bodygebiet (120) entlang einer horizontalen ersten Richtung (191) zwischen dem Sourcegebiet (110) und dem Stromverteilungsgebiet (137) angeordnet ist und einen ersten pn Übergang (pn1) mit dem Stromverteilungsgebiet (137) und einen zweiten pn Übergang (pn2) mit dem Sourcegebiet (110) bildet;eine Gatestruktur (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) aus in das Bodygebiet (120) erstreckt ; undeine Ladungskompensationsstruktur (180) zwischen dem Bodygebiet (120) und einer der ersten Oberfläche (101) gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (102) des Halbleiterkörpers (100).

公开(公告)号：DE102014113087B4

公开(公告)日：2020-07-30

申请号：DE102014113087

申请日：2014-09-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL ,  MEYER THORSTEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: Halbleitervorrichtung mit einem Transistor (5) in einem Halbleitersubstrat (10), das eine erste Hauptoberfläche (110) hat, wobei der Transistor aufweist:einen Sourcebereich (201),einen Drainbereich (205),einen Kanalbereich (220),eine Driftzone (260),eine Vielzahl von in der ersten Hauptoberfläche ausgebildeten Gatetrenches (213), undeine in den Gatetrenches (213) angeordnete Gateelektrode (210) benachbart zu wenigstens zwei Seiten des Kanalbereiches (220), wobei der Kanalbereich (220) und die Driftzone (260) längs einer ersten Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche (110) zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) angeordnet sind und sich der Sourcebereich (201) in einer Richtung parallel zur ersten Hauptoberfläche (110) und senkrecht zur ersten Richtung entlang der Vielzahl von Gatetrenches (213) erstreckt,wobei die Halbleitervorrichtung weiterhin eine leitende Schicht (270) unterhalb der Gateelektrode (210) und isoliert von der Gateelektrode (210) umfasst.

公开(公告)号：DE102014110450B4

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：DE102014110450

申请日：2014-07-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS ,  SCHLÖSSER TILL

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L29/78

Abstract: Integrierte Schaltung (200) in einem Halbleitersubstrat (100), wobei die integrierte Schaltung (200) aufweist:einen Trench (270) in einer ersten Hauptoberfläche (110) des Halbleitersubstrats (100), wobei der Trench (270) einen sich in einer ersten Richtung erstreckenden ersten Trenchteil (271) und einen sich in der ersten Richtung erstreckenden zweiten Trenchteil (272) aufweist und der erste Trenchteil (271) über einen weiteren Trenchteil, der sich in einem schrägen Winkel in Bezug auf die erste Richtung erstreckt, mit dem zweiten Trenchteil (272) in einer lateralen Richtung verbunden ist,eine Trenchleiterstruktur (215, 220), die ein leitendes Material (250) umfasst, das in dem ersten Trenchteil (271) angeordnet ist, undeine Trenchkondensatorstruktur (210), die ein Kondensatordielektrikum (240) und eine erste Kondensatorelektrode (235), angeordnet in dem zweiten Trenchteil (272), aufweist, wobei die erste Kondensatorelektrode (235) eine eine Seitenwand des zweiten Trenchteiles (272) auskleidende Schicht umfasst.