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公开(公告)号：CN110709368A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880036770.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 捷客斯金属株式会社
IPC: C04B35/44 , C04B35/505 , C09K11/08 , C09K11/80
Abstract: 一种多晶YAG烧结体，其特征在于，在将包围YAG烧结体的最小的长方体的尺寸设为Amm×Bmm×Cmm时，最大值(A,B,C)小于等于150mm，最小值(A,B,C)大于20mm且小于等于40mm，并且在使波长300nm～1500nm(但是，不包括存在由添加元素引起的吸收的波长)的光透过时的光损耗系数为0.002cm-1以下。另外，一种多晶YAG烧结体，其特征在于，在将包围YAG烧结体的最小的长方体的尺寸设为Amm×Bmm×Cmm时，最大值(A,B,C)大于150mm且小于等于300mm，最小值(A,B,C)大于5mm且小于等于40mm，并且在使波长300nm～1500nm(但是，不包括存在由添加元素引起的吸收的波长)的光透过时的光损耗系数为0.002cm-1以下。本发明的实施方式的课题在于提供一种大型且透明的多晶YAG烧结体及其制造方法。
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公开(公告)号：CN110637102A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201980002388.X
申请日：2019-02-28
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种氧化物薄膜，其包含Nb、Mo、O，其特征在于，Nb与Mo的含有比率(原子比)为0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8，O与金属(Nb+Mo)的含有比率(原子比)为1.5＜O/(Nb+Mo)＜2.0。另外，一种氧化物烧结体，其包含Nb、Mo、O，其特征在于，Nb与Mo的含有比率(原子比)为0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8，O与金属(Nb+Mo)的含有比率(原子比)为1.5＜O/(Nb+Mo)＜2.1，MoO2相的归属于(-111)面的XRD峰强度IMoO2与背景强度IBG的关系满足IMoO2/IBG＞3。本发明的课题在于提供一种氧化物薄膜以及适合于该薄膜的形成的溅射靶用氧化物烧结体，所述氧化物薄膜具有以下优异的特性：反射率和透射率低、具有优异的光吸收能力、而且可溶于蚀刻液中、容易加工，另一方面，耐候性高、不易发生经时变化。
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公开(公告)号：CN110494576A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201880022555.2
申请日：2018-03-28
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Inventor： 荒川淳一
Abstract: 本发明的锂回收方法是从含有锂离子及钠离子的含锂溶液中分离钠并回收锂的方法，具有包含萃取过程和锂反萃取过程的溶剂萃取工序，其中，该萃取过程具有第一萃取过程、第二萃取过程及第三萃取过程的至少个三个阶段，在该反萃取过程中，从经过了至少三个阶段的萃取过程的溶剂中反萃取锂离子，在所述萃取过程中，溶剂以第一萃取过程、第二萃取过程、第三萃取过程的顺序经过各过程，并且，作为所述含锂溶液的溶液以与所述溶剂的经过顺序相反的顺序经过各过程。
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公开(公告)号：CN107241856B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201710192763.4
申请日：2017-03-28
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Inventor： 坂东慎介
Abstract: 本发明的课题是提供蚀刻性优异的柔性印刷基板用铜箔。解决手段为一种柔性印刷基板用铜箔，其为包含99.0质量%以上的Cu、余量为不可避免的杂质的铜箔，其中，平均晶体粒径为0.6~4.3μm，并且MD方向的拉伸强度为230~287MPa，对在过硫酸钠浓度为100g/L且过氧化氢浓度为35g/L的水溶液(液温为25℃)中浸渍420秒后的表面的基于JIS B 0601‑2001的偏度Rsk，在MD方向和CD方向分别测定16次，将各次的测定值的绝对值进行平均得到的值为0.05以下。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN107429313A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680018915.2
申请日：2016-03-29
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 本发明的从锂离子电池废料除去铜的方法是从含有铜的锂离子电池废料除去铜的方法，包括：浸出工序，将上述锂离子电池废料添加到酸性溶液中，在酸性溶液中存在铝的固体的状况下，使该锂离子电池废料浸出；铜分离工序，在浸出工序后从酸性溶液分离以固体形式包含于该酸性溶液中的铜。
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公开(公告)号：CN107428617A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680016776.X
申请日：2016-02-19
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种IGZO烧结体，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，其特征在于，所述烧结体中存在的裂纹的平均长度为3μm以上且15μm以下。本发明的课题在于提供一种溅射靶，所述溅射靶在通过DC溅射进行成膜时能够减少靶破裂、粉粒产生，能够形成良好的薄膜。
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公开(公告)号：CN107428616A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680007587.6
申请日：2016-02-19
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种IGZO烧结体，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，其特征在于，挠曲强度为50MPa以上，体电阻为100mΩcm以下。本发明的课题在于提供一种在通过DC溅射进行成膜时能够减少靶破裂和粉粒产生、并且能够形成良好的薄膜的溅射靶。
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公开(公告)号：CN107278015A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710201765.5
申请日：2017-03-30
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 提供即使自身的厚度较薄、与树脂层层压时也难以产生褶皱的铜箔、覆铜层叠板、以及柔性印刷基板和电子设备。铜箔，其以质量率计包含99.90%以上的铜、且厚度为3~8μm，按照JIS-B0601(2013)，从沿着TD方向的50mm长度L的表面2的截面曲线S中，在轮廓曲线滤波器λc=2 mm、轮廓曲线滤波器λf=25mm的条件下截去短波长和长波长成分从而求出波纹度曲线时，波纹度曲线单元的平均长度Wsm为2.5~20.0mm。
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