公开(公告)号：TWI394862B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：TW093112463

申请日：2004-05-04

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 馬伊夫 維基 ,  VERGHESE, MOHITH ,  艾立克J. 雪洛 ,  SHERO, ERIC J.

IPC: C23C16/54

CPC classification number: B82Y30/00 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45525 ,  C23C22/68 ,  C30B25/14 ,  H01J37/32477

公开(公告)号：TW200929418A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：TW097141841

申请日：2008-10-30

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 艾格渥 拉敏德 AGGARWAL, RAVINDER ,  可雷夏克 馬克 KLESHOCK, MARK ,  雅可布斯 勞恩 JACOBS, LOREN

IPC: H01L ,  G01K ,  C23C

CPC classification number: G01K7/04 ,  G01K13/00 ,  G01K15/00 ,  H01L21/67248

Abstract: 本發明提供用於量測半導體製程反應室中之溫度的系統。實施例提供一種多接面熱電偶(110),此多接面熱電偶(110)包括第一接面(112)和第二接面(114),第一接面(112)和第二接面(114)被定位成量測基板(16)的實質上相同部份的溫度。控制器(120)可偵測第一接面(112)、第二接面(114)、自第一接面(112)延伸的第一導線對(113)或自第二接面(114)延伸之第二導線對(115)之故障。此控制器(120)理想地響應於所偵測的第一接面(112)或第一導線對(113)的故障來選擇第二接面(114)和第二導線對(115)。相反地,控制器(120)理想地響應於所偵測的第二接面(114)或第二導線對(115)的故障來選擇第一接面(112)和第一導線對(113)。本文所教示的系統可允許準確且實質上不間斷地進行溫度量測,即使在熱電偶中的接面或導線對出現故障的情況下。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于量测半导体制程反应室中之温度的系统。实施例提供一种多接面热电偶(110),此多接面热电偶(110)包括第一接面(112)和第二接面(114),第一接面(112)和第二接面(114)被定位成量测基板(16)的实质上相同部份的温度。控制器(120)可侦测第一接面(112)、第二接面(114)、自第一接面(112)延伸的第一导线对(113)或自第二接面(114)延伸之第二导线对(115)之故障。此控制器(120)理想地响应于所侦测的第一接面(112)或第一导线对(113)的故障来选择第二接面(114)和第二导线对(115)。相反地,控制器(120)理想地响应于所侦测的第二接面(114)或第二导线对(115)的故障来选择第一接面(112)和第一导线对(113)。本文所教示的系统可允许准确且实质上不间断地进行温度量测,即使在热电偶中的接面或导线对出现故障的情况下。

公开(公告)号：TW200821405A

公开(公告)日：2008-05-16

申请号：TW096139836

申请日：2007-10-24

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 艾爾斯 凱 艾瑞克 ELERS, KAI-ERIK ,  威爾克 葛嵐 WILK, GLEN ,  馬庫斯 史蒂芬 MARCUS, STEVEN

IPC: C23C

CPC classification number: C23C16/32 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/515

Abstract: 提供了形成金屬碳化物膜的方法。在某些實施例中,在原子層沈積型製程中,形成金屬碳化物膜的方法包括使反應空間中的基板交替並順次接觸金屬化合物的氣相脈衝以及含碳氣體化合物的一種或多種電漿激發態種類。在其他實施例中,在化學氣相沈積型製程中,形成金屬碳化物膜的方法包括使反應空間中的基板接觸金屬化合物和含碳氣體化合物的一種或多種電漿激發態種類。基板進一步曝露於還原劑。還原劑可移除包括鹵素原子和/或氧原子在內的雜質。

Abstract in simplified Chinese: 提供了形成金属碳化物膜的方法。在某些实施例中,在原子层沉积型制程中,形成金属碳化物膜的方法包括使反应空间中的基板交替并顺次接触金属化合物的气相脉冲以及含碳气体化合物的一种或多种等离子激发态种类。在其他实施例中,在化学气相沉积型制程中,形成金属碳化物膜的方法包括使反应空间中的基板接触金属化合物和含碳气体化合物的一种或多种等离子激发态种类。基板进一步曝露于还原剂。还原剂可移除包括卤素原子和/或氧原子在内的杂质。

公开(公告)号：TW200816347A

公开(公告)日：2008-04-01

申请号：TW096121480

申请日：2007-06-14

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 黎爾傑路斯 裘哈 保羅 LILJEROOS, JUHA PAUL

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/6838

Abstract: 一種白努利棒 50,其用於在支架與熱處理腔室之間傳送薄(例如,200 毫米)半導體晶圓 60。棒 50 具有經配置以覆蓋整個晶圓 60 之頭部分 54。頭 54 具有多個氣體出口74,所述多個氣體出口 74 經配置以沿晶圓 60 之上表面產生氣體流以產生晶圓 60 之上表面 62 與晶圓之下表面 68 之間的壓力差。壓力差產生採用白努利原則來以大體上非接觸之方式將晶圓 60 支撐於棒 50 之頭部分 54 下方的提昇力。

Abstract in simplified Chinese: 一种白努利棒 50,其用于在支架与热处理腔室之间发送薄(例如,200 毫米)半导体晶圆 60。棒 50 具有经配置以覆盖整个晶圆 60 之头部分 54。头 54 具有多个气体出口74,所述多个气体出口 74 经配置以沿晶圆 60 之上表面产生气体流以产生晶圆 60 之上表面 62 与晶圆之下表面 68 之间的压力差。压力差产生采用白努利原则来以大体上非接触之方式将晶圆 60 支撑于棒 50 之头部分 54 下方的提升力。

公开(公告)号：TW200732501A

公开(公告)日：2007-09-01

申请号：TW096102030

申请日：2007-01-19

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 普羅文撤 提莫西J. PROVENCHER, TIMOTHY J. ,  希克森 克魯閣B. HICKSON, CRAIG B.

IPC: C23C ,  C30B

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45565 ,  F16K27/003 ,  F16K51/02 ,  Y10T137/87684

Abstract: 一種用於將一種或多種氣體分配到原子層沈積(ALD)反應器之系統及方法。安裝於噴頭組件上方之一體注入岐管塊包括:直接安裝於其上之高溫(高達200℃)額定閥以及短的容易吹淨之反應物管線。一體通路以及金屬密封避免了O形環以及沿流動通路之轉接死區。所述岐管包括位於所述注入岐管塊內用於吹淨反應物管線之惰性氣體通道。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于将一种或多种气体分配到原子层沉积(ALD)反应器之系统及方法。安装于喷头组件上方之一体注入岐管块包括:直接安装于其上之高温(高达200℃)额定阀以及短的容易吹净之反应物管线。一体通路以及金属密封避免了O形环以及沿流动通路之转接死区。所述岐管包括位于所述注入岐管块内用于吹净反应物管线之惰性气体信道。

公开(公告)号：TWI277139B

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：TW091101956

申请日：2002-02-05

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 麥克A. 圖德 MICHAEL A. TODD ,  馬克 霍金斯 MARK, HAWKINS

IPC: H01L

Abstract: 一種半導體薄膜之改良式沉積製程。化學氣相沉積製程利用提供可引導薄膜之沉積在或是接近大部分的傳輸限定法的化學前驅物。此種製程具有高沉積速率以及製造出無論是組成上或厚度上更均勻的薄膜，而使用三矽烷以沉積有益於半導體業界用於多種用途的含矽薄膜譬如電晶體閘電極。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体薄膜之改良式沉积制程。化学气相沉积制程利用提供可引导薄膜之沉积在或是接近大部分的传输限定法的化学前驱物。此种制程具有高沉积速率以及制造出无论是组成上或厚度上更均匀的薄膜，而使用三硅烷以沉积有益于半导体业界用于多种用途的含硅薄膜譬如晶体管闸电极。

公开(公告)号：TW200502427A

公开(公告)日：2005-01-16

申请号：TW093112463

申请日：2004-05-04

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 馬伊夫 維基 VERGHESE, MOHITH ,  艾立克J. 雪洛 SHERO, ERIC J.

IPC: C23C

CPC classification number: B82Y30/00 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45525 ,  C23C22/68 ,  C30B25/14 ,  H01J37/32477

Abstract: 在原子層沉積或化學氣相沉積反應器100的表面201上形成一保護層208。在原子層沉積或化學氣相沉積反應器100中定義出一反應空間的零件，可利用使反應空間表面201上的反應位置210去活化的化學品206，進行現場(in situ)或非現場(ex situ)處理。在進行處理步驟504之前，一前處理步驟502可使有效的反應位置210增加到最多。反應位置210因為吸附處理反應物208而去活化。在後續的處理期間，反應物氣體214可還原反應性或沉積在這些被處理的表面上。因此，噴沖步驟310、314能夠大大地被減少，且在清潔步驟中間可施行更多次處理步驟，以去除反應器壁上的組合沉積。

Abstract in simplified Chinese: 在原子层沉积或化学气相沉积反应器100的表面201上形成一保护层208。在原子层沉积或化学气相沉积反应器100中定义出一反应空间的零件，可利用使反应空间表面201上的反应位置210去活化的化学品206，进行现场(in situ)或非现场(ex situ)处理。在进行处理步骤504之前，一前处理步骤502可使有效的反应位置210增加到最多。反应位置210因为吸附处理反应物208而去活化。在后续的处理期间，反应物气体214可还原反应性或沉积在这些被处理的表面上。因此，喷冲步骤310、314能够大大地被减少，且在清洁步骤中间可施行更多次处理步骤，以去除反应器壁上的组合沉积。

公开(公告)号：WO2011156705A2

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：PCT/US2011/039970

申请日：2011-06-10

Applicant: ASM INTERNATIONAL N.V. ,  ASM AMERICA, INC. ,  HAUKKA, Suvi, P. ,  NISSKANEN, Antti ,  TUOMINEN, Marko

Inventor： HAUKKA, Suvi, P. ,  NISSKANEN, Antti ,  TUOMINEN, Marko

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/7685 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02697 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883

Abstract: Metallic layers can be selectively deposited on surfaces of a substrate relative to a second surface of the substrate. In preferred embodiments, the metallic layers are selectively deposited on copper instead of insulating or dielectric materials. In preferred embodiments, a first precursor forms a layer or adsorbed species on the first surface and is subsequently reacted or converted to form a metallic layer. Preferably the deposition temperature is selected such that a selectivity of above about 90% is achieved.

Abstract translation: 金属层可以相对于基板的第二表面选择性地沉积在基板的表面上。 在优选实施例中，金属层选择性地沉积在铜上，而不是绝缘或介电材料。 在优选的实施方案中，第一前体在第一表面上形成层或吸附的物质，随后反应或转化以形成金属层。 优选选择沉积温度使得达到高于约90％的选择性。

公开(公告)号：WO2011056519A2

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：PCT/US2010/053982

申请日：2010-10-25

Applicant: ASM INTERNATIONAL N.V. ,  ASM AMERICA INC. ,  PORE, Viljami ,  HATANPÄÄ, Timo ,  RITALA, Mikko ,  LESKELÄ, Markku

Inventor： PORE, Viljami ,  HATANPÄÄ, Timo ,  RITALA, Mikko ,  LESKELÄ, Markku

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45555 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/0262 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1616

Abstract: Atomic layer deposition (ALD) processes for forming Group VA element containing thin films, such as Sb, Sb-Te, Ge-Sb and Ge-Sb-Te thin films are provided, along with related compositions and structures. Sb precursors of the formula Sb( SiR 1 R 2 R 3 ) 3 are preferably used, wherein R 1 , R 2 , and R 3 are alkyl groups. As, Bi and P precursors are also described. Methods are also provided for synthesizing these Sb precursors. Methods are also provided for using the Sb thin films in phase change memory devices.

Abstract translation: 提供了用于形成含有Sb，Sb-Te，Ge-Sb和Ge-Sb-Te薄膜的含VA薄膜的原子层沉积（ALD）工艺，以及相关组合物和结构。 优选使用Sb（SiR1R2R3）3的Sb前体，其中R1，R2和R3是烷基。 As，Bi和P前体也被描述。 还提供了用于合成这些Sb前体的方法。 还提供了在相变存储器件中使用Sb薄膜的方法。

公开(公告)号：WO2010129431A2

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：PCT/US2010/033252

申请日：2010-04-30

Applicant: ASM AMERICA, INC. ,  CONNER, Rand ,  AGGARWAL, Ravinder, K.

Inventor： CONNER, Rand ,  AGGARWAL, Ravinder, K.

IPC: H01L21/683 ,  G01K7/02 ,  G01K1/08 ,  H01L21/304 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4586 ,  G01K1/14 ,  G01K7/02

Abstract: A thermocouple having at least one inner alignment feature or at least one outer alignment feature, or a combination thereof for positively positioning and aligning at least one thermocouple junction within a bore formed in a susceptor ring of a semiconductor substrate processing reactor. The outer alignment feature is configured to positively align the junction(s) longitudinally within the bore. The inner alignment feature configured to positively position the junction(s) rotationally within the sheath of the thermocouple relative to the bore.

Abstract translation: 具有至少一个内部对准特征或至少一个外部对准特征或其组合的热电偶用于在半导体衬底处理反应器的基座环内形成的孔内积极地定位和对准至少一个热电偶结。 外部对准特征构造成在孔内纵向对准接头。 所述内部对准特征构造成相对于所述孔将所述接合部在所述热电偶的护套内旋转地定位。