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公开(公告)号：KR101572614B1
公开(公告)日：2015-11-30
申请号：KR1020140100441
申请日：2014-08-05
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는, 고유전율및 저유전손실을갖는나이오베이트유전체조성물및 이를사용하는나노시트박막을제공한다. KSrCuNbO(화학식 1) (상기식에서, x는 0
Abstract translation: 本发明提供了具有高介电常数和低介电损耗的铌酸盐电介质组合物，并由化学式1表示。此外，本发明提供了使用其的纳米片薄膜。 在化学式1中，x大于零且小于或等于0.7。
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公开(公告)号：KR1020150124901A
公开(公告)日：2015-11-06
申请号：KR1020150058767
申请日：2015-04-27
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은고유전율과낮은유전손실특성을갖는칼슘구리티타늄산화물기반의유전체박막및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른칼슘구리티타늄산화물기반의유전체박막은유전체박막이 CaCuTiO(0
Abstract translation: 本发明涉及具有高介电常数和低介电损耗特性的钙 - 铜 - 氧化钛基电介质薄膜及其制造方法。 根据本发明，通过将电介质薄膜与CaxCuyTizO_12（0
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公开(公告)号：KR101475803B1
公开(公告)日：2015-01-19
申请号：KR1020130153802
申请日：2013-12-11
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 한국과학기술연구원
CPC classification number: B01J37/34 , B01J35/004 , B01J35/02
Abstract: 광촉매의 효율이 더욱 향상된 분말 형태의 광촉매 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명에 따른 광촉매 분말 제조 방법은, 강유전 특성과 광촉매 특성을 동시에 지니는 조성을 분말 형태로 합성하는 단계; 및 상기 분말을 폴링하여 유전 분극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 강유전 특성과 광촉매 특성을 동시에 지니는 조성을 분말로 합성한 후 분말 형태로 바로 폴링함에 따라 폴링하지 않는 경우에 비하여 촉매 특성(광촉매 반응 효율)이 향상된다. 또한, 박막 형태나 펠렛 형태를 폴링한 후 분말로 분쇄하는 경우에 발생하는 유전 분극 특성 감소 문제도 없다.
Abstract translation: 提供了一种效率提高的粉末型光催化剂及其制造方法。 根据本发明的光催化剂粉末的制造方法包括以下步骤：合成具有粉末形式的介电性能和光催化性能的组合物; 并通过极化粉末形成介电极化。 根据本发明，与没有极化的情况相比，在合成具有介电性质和光催化性质的组合物之后，通过立即将粉末形式定向化，提高了催化性能（光催化反应效率）。 此外，去除在轮询期间降低介电极化性能并粉碎薄膜形式或颗粒形状的问题。
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公开(公告)号：KR101450093B1
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020130125975
申请日：2013-10-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1666
Abstract: The present invention relates to a resistance random access memory device with a hetero-junction oxide film structure which is capable of using two-dimensional electron gas generated from a hetero-junction oxide interface as a low electrode of the resistance random access memory device by applying the hetero-junction oxide film structure, and of maximizing Ion/Ioff by utilizing the depletion property of two-dimensional electron gas, and a method of fabricating the same. A resistance random access memory device with a hetero-junction oxide film structure according to the present invention includes an oxide substrate; an oxide thin film layer provided on the oxide substrate and including a material, a kind of which is different from that of the oxide substrate; and a two-dimensional electron gas layer formed on the oxide substrate and the oxide thin film by an upper electrode provided on the oxide thin film layer and the hetero-junction of the oxide substrate and the oxide thin layer.
Abstract translation: 本发明涉及具有异质结氧化物膜结构的电阻随机存取存储器件，其能够使用由异质结氧化物界面产生的二维电子气体作为电阻随机存取存储器件的低电极， 异相结合氧化物膜结构以及通过利用二维电子气的耗尽特性使Ion / Ioff最大化的方法及其制造方法。 根据本发明的具有异质结氧化物膜结构的电阻随机存取存储器件包括氧化物衬底; 氧化物薄膜层，其设置在所述氧化物基板上并且包括与所述氧化物基板不同的材料; 以及通过设置在氧化物薄膜层上的上电极和氧化物衬底和氧化物薄层的异质结在氧化物衬底和氧化物薄膜上形成的二维电子气层。
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公开(公告)号：KR1020140111169A
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：KR1020130025052
申请日：2013-03-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M4/1395 , H01M4/66 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/667 , H01M4/0404 , H01M4/1395 , H01M4/661 , H01M10/0525 , Y02E60/122
Abstract: The present invention relates to a Si-Al multi-layered cathode thin film for a lithium-ion secondary battery and a method for manufacturing the same, and, more specifically, includes: a silicon layer deposition step for depositing silicon on a substrate; and an aluminum layer deposition step for depositing aluminum on the silicon layer. By alternating the silicon layer deposition step and aluminum layer deposition step more than once, the lithium-ion secondary battery is achieved with high discharging capacity, excellent charging-discharging properties and a long lifespan.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于锂离子二次电池的Si-Al多层阴极薄膜及其制造方法，更具体地说，涉及：在基板上沉积硅的硅层沉积步骤; 以及用于在硅层上沉积铝的铝层沉积步骤。 通过将硅层沉积步骤和铝层沉积步骤交替进行多次，锂离子二次电池具有高放电容量，优异的充电放电性能和长寿命。
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Patent Agency Ranking116.发明授权압전 복합체를 이용한 플렉서블 압전 에너지 하베스팅 소자의 제조 방법 및 이로부터 제조된 플렉서블 압전 에너지 하베스팅 소자 有权使用压电复合材料和柔性压电能量收割机制造柔性压电能量收集器的方法
公开(公告)号：KR101402988B1
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020120063206
申请日：2012-06-13
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L41/113 , H01L41/183 , H01L41/312 , H01L41/317 , Y10T29/42
Abstract: 본 발명은 압전 복합체를 이용한 플렉서블 압전 에너지 하베스팅 소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 제조방법은 제 1 플렉서블 기판 상에 제 1 전극층을 형성시키는 단계; 상기 제 1 전극층에 압전 파우더와 중합체를 혼합한 압전 복합체층을 스핀 코팅하는 단계; 상기 압전 복합체층을 열처리하여 경화시키는 단계; 및 상기 경화된 압전 복합체층 상에 제 2 전극층이 형성된 제 2 플렉서블 기판을 접합시키는 단계를 포함하며, 이와 같이 압전 파우더와 중합체를 혼합하여 제조된 압전 복합체층을 도입하여 플렉서블 압전 에너지 하베스팅 소자를 구현함으로써 단순한 공정과 다양한 크기와 패턴을 가진 고효율의 플렉서블 압전 에너지 하베스팅 소자를 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101358939B1
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：KR1020120054827
申请日：2012-05-23
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 고밀도 실장용 박막 콘덴서, 그 제조방법 및 고밀도 실장 기판에 관한 것이다. 본 발명은 지지기판; 상기 지지기판 상에 형성된 하부전극; 상기 하부전극 상에 형성된 유전체 박막; 및 상기 유전체 박막 상에 형성된 상부전극을 포함하되, 상기 상부전극은 유전체 박막 상에 이격 간격을 두고 형성된 2개의 상부전극을 포함하는 고밀도 실장용 박막 콘덴서 및 그 제조방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 적어도 2개 이상의 적층 기재; 상기 적층 기재에 내장되고, 상기 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 따른 박막 콘덴서들; 상기 적층 기재의 내부에 형성되고, 상기 박막 콘덴서들을 직렬 또는 병렬로 연결하는 내부 접속전극; 상기 적층 기재들 중에서 최외측에 위치한 적층 기재의 표면에 형성되고, 상기 내부 접속전극과 연결된 표면 전극; 및 상기 표면 전극과 범프를 통해 연결된 집적회로를 포함하는 고밀도 실장 기판을 제공한다. 본 발명에 따르면, 구조적으로 간단하여 제조비용을 절감할 수 있으며, 높은 실장효과를 갖는다.
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公开(公告)号：KR101348937B1
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：KR1020120090297
申请日：2012-08-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/24 , H01L29/408 , H01L29/516 , H01L29/66969 , H01L29/7786
Abstract: The present invention relates to an oxide electronic device and a manufacturing method thereof. The oxide electronic device comprises: an oxide substrate; an oxide thin film including a different type of oxide from the oxide substrate and formed on the oxide substrate; and a ferroelectric material layer formed on the oxide thin film and controlling the conductivity of two-dimensional electron gas (2DEG) generated on the oxide thin film and the oxide substrate. The manufacturing method comprises the following steps: forming the oxide thin film by depositing oxide which is different from the oxide substrate on the oxide substrate; and forming the ferroelectric material layer controlling the conductivity of 2DEG generated on the oxide thin film and the oxide substrate on the oxide thin film. By using the methods, the conductivity of 2DEG generated on the interface between the different types of oxide can be stably controlled through a non-volatile method by the ferroelectric material layer. Therefore, the conductivity of 2DEG can be constantly maintained without external electric energy, and the device does not require a lot of energy to be operated.
Abstract translation: 本发明涉及一种氧化物电子器件及其制造方法。 氧化物电子器件包括：氧化物衬底; 氧化物薄膜，其包含来自所述氧化物基板的不同类型的氧化物，并形成在所述氧化物基板上; 以及形成在氧化物薄膜上并控制在氧化物薄膜和氧化物基板上产生的二维电子气（2DEG）的导电性的铁电材料层。 该制造方法包括以下步骤：通过在氧化物基板上沉积与氧化物基板不同的氧化物来形成氧化物薄膜; 并且形成在氧化物薄膜和氧化物薄膜上的氧化物衬底上产生的2DEG的导电性的铁电体材料层。 通过使用该方法，可以通过铁电材料层的非挥发性方法稳定地控制在不同类型的氧化物之间的界面上产生的2DEG的电导率。 因此，不用外部电能可以不间断地维持2DEG的导电性，并且该装置不需要大量的能量来操作。
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公开(公告)号：KR1020130091378A
公开(公告)日：2013-08-19
申请号：KR1020120012585
申请日：2012-02-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L35/34
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a film type thermoelectric device is provided to improve thermoelectric properties by transferring a thermoelectric film on a substrate. CONSTITUTION: A sacrificial layer (12) is formed on a supporter (10). Thermoelectric films (300,300') are formed on the sacrificial layer. A polymer film (400) is formed on the thermoelectric film. The supporter and the thermoelectric film are separated. The separated thermoelectric film is transferred on a substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种薄膜型热电元件的制造方法，通过在基板上转印热电膜来提高热电性能。 构成：在支撑件（10）上形成牺牲层（12）。 在牺牲层上形成热电膜（300,300'）。 聚合物膜（400）形成在热电膜上。 支撑体和热电膜分离。 将分离的热电膜转移到基板上。
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公开(公告)号：KR1020130090593A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：KR1020120011844
申请日：2012-02-06
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L31/02327 , B82Y30/00 , C03C17/42 , C03C2217/425 , C03C2217/73 , C03C2217/76 , H01L31/02168 , H01L31/02366 , H02S40/10 , Y02E10/50 , Y10S977/755 , Y10T428/24355 , B82B1/008 , G02B1/113 , H02S30/00
Abstract: PURPOSE: A hydrophobic reflection preventing substrate, a manufacturing method thereof, and a solar cell module including the same are provided to obtain a super hydrophobic property of a large water dropping contact angle. CONSTITUTION: A hydrophobic reflection preventing substrate includes a substrate (10), a nanostructure layer (20), and a hydrophobic coating film (30). The substrate includes a supporting force. The nanostructure layer includes a nanostructure unit (22) formed on the substrate and a nano void unit (24) formed between the nanostructure unit. The hydrophobic coating film is formed on the nanostructure unit. The size of the nanostructure unit and the nano void unit includes the size of 0.5nm-300nm which are smaller than visible ray wavelength. [Reference numerals] (AA) Metalizing; (BB) Surface modification
Abstract translation: 目的：提供疏水反射防止基板及其制造方法以及包括该防水基板的太阳能电池模块，以获得大的降水接触角的超疏水性。 构成：疏水反射防止基板包括基板（10），纳米结构层（20）和疏水涂膜（30）。 基板包括支撑力。 纳米结构层包括形成在基底上的纳米结构单元（22）和形成在纳米结构单元之间的纳米空隙单元（24）。 在纳米结构单元上形成疏水涂膜。 纳米结构单元和纳米空隙单元的尺寸包括小于可见光线波长的0.5nm-300nm的尺寸。 （附图标记）（AA）金属化; （BB）表面改性
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