接続構造
    129.
    发明申请
    接続構造 审中-公开
    连接结构

    公开(公告)号:WO2012108395A1

    公开(公告)日:2012-08-16

    申请号:PCT/JP2012/052653

    申请日:2012-02-07

    Abstract:  電子部品の実装やビア接続などの場面において適用されるもので、はんだを用いて第1の接続対象物と第2の接続対象物とが接続された、接続構造において、熱衝撃後の接合信頼性を高める。 接続部(4)の断面をWDXにより分析したとき、当該接続部(4)の断面には、少なくともCu-Sn系、M-Sn系(MはNiおよび/またはMn)およびCu-M-Sn系の金属間化合物が存在する領域(9)が形成されるようにする。また、接続部(4)の断面を縦および横に均等に10マスずつ合計100マスに細分化した際に、1マス中にSn系金属成分のみが存在するマスを除いた残りの全マス数に対する、構成元素の異なる金属間化合物が少なくとも2種類以上存在するマス数の割合が70%以上となるようにする。

    Abstract translation: 在电子部件安装和通孔连接的情况下使用的连接结构中,连接第一制品和连接的第二制品通过焊料连接,本发明增加了热冲击后的接合可靠性。 当通过WDX分析连接部分(4)的横截面时,至少Cu-Sn基,M-Sn基(M为Ni和/或Mn)和Cu-M-Sn的区域(9) 在该连接部分(4)的横截面中形成基于金属间化合物的化合物。 此外,当连接部分(4)的横截面均匀地被分割,使得每行和列共有10个单位,总共100个单位时,至少两个或更多个金属间化合物的单元数量的比例 存在不同组成元素的单位的总数除了单位内存在Sn金属成分以外的单位总数的70%以上。

    接合方法、接合構造、電子装置、電子装置の製造方法、および電子部品
    130.
    发明申请
    接合方法、接合構造、電子装置、電子装置の製造方法、および電子部品 审中-公开
    接合方法,结合结构,电子设备,电子设备的制造方法和电子部件

    公开(公告)号:WO2012086745A1

    公开(公告)日:2012-06-28

    申请号:PCT/JP2011/079781

    申请日:2011-12-22

    Abstract:  十分な接合強度を確保しつつ、かつ、温度階層接続における再リフローなどの段階での接合材料の流れ出しを抑制、防止する接合方法および接合構造などを提供するために、本発明では、表面が第1金属からなる第1金属部材(11a)と、表面が第2金属からなる第2金属部材(11b)とを、第1及び第2金属よりも融点の低い低融点金属を含む接合材料(10)を介して接合するにあたり、接合材料を構成する低融点金属を、SnまたはSnを含む合金とし、第1および第2金属の少なくとも一方を、当該低融点金属との間に金属間化合物(12)を生成する金属または合金であって、金属間化合物との格子定数差が50%以上である金属または合金とし、第1金属部材と第2金属部材との間に接合材料を配置した状態で、当該低融点金属が溶融する温度で熱処理する構成とした。

    Abstract translation: 本发明解决了提供一种能够确保足够的接合强度并且抑制和防止温度分层连接的第二回流阶段等中的接合材料的泄漏的接合方法,接合结构等的问题。 当具有包括第一金属的表面的第一金属构件(11a)通过包含低熔点的接合材料(10)与具有包括第二金属的表面的第二金属构件(11b)接合时, 选择熔点低于第一和第二金属的金属,Sn或含有Sn的合金作为构成接合材料的低熔点金属,并且第一金属和第二金属中的至少一种是金属或 合金,其与所述低熔点金属形成金属间化合物(12),并且其与金属间化合物的晶格常数差异至少为50%。 当接合材料设置在第一金属构件和第二金属构件之间时,通过在低熔点金属的熔化温度下对结构进行热处理而形成结合。

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