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公开(公告)号：KR1020010062439A
公开(公告)日：2001-07-07
申请号：KR1020000076708
申请日：2000-12-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715 , B05B12/20 , B05B13/041 , B05C5/0212 , B05C5/0216 , B05C5/0291 , B05C11/1039
Abstract: PURPOSE: A device for forming a coating film is provided to facilitate the washing of mask members, which are installed in a device forming a coating film of an uniform film thickness onto a substrate and cover the surface of the substrate other than an area on which the coating film is formed, and to suppress the enlargement of the device. CONSTITUTION: The device for forming a coating film on a substrate includes a substrate holding portion for holding the substrate; a coating solution nozzle(3), provided to face the substrate held by the substrate holding portion, for discharging a coating solution to the substrate; a drive mechanism for moving the coating solution nozzle(3) along a surface of the substrate relatively with respect to the substrate while the coating solution is being discharged to the surface of the substrate from the coating solution nozzle; a mask unit(4) covering a portion other than a coating film formation area of the substrate(W) and including a mask member(41) for catching the coating solution from the coating solution nozzle(3), and a cleaning mechanism, provided in the mask unit(4), for cleaning a coating film adhering to the mask member(41).
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成涂膜的装置，以便于将安装在形成均匀膜厚的涂膜的装置中的掩模构件的清洗放在基板上并覆盖基板的除了 形成涂膜，并且抑制装置的放大。 构成：在基板上形成涂膜的装置包括：用于保持基板的基板保持部; 涂布溶液喷嘴（3），设置成面对由所述基板保持部保持的所述基板，用于将涂布溶液排出到所述基板; 驱动机构，用于当所述涂布溶液从所述涂布溶液喷嘴排出到所述基材的表面时，使所述涂布溶液喷嘴（3）沿着所述基板的表面相对于所述基板移动; 覆盖基板（W）的涂膜形成区域以外的部分的掩模单元（4），并且包括用于从涂布溶液喷嘴（3）捕获涂布溶液的掩模构件（41），以及清洁机构 在掩模单元（4）中，用于清洁附着在掩模构件（41）上的涂膜。
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公开(公告)号：KR1020010030215A
公开(公告)日：2001-04-16
申请号：KR1020000051477
申请日：2000-09-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67253 , G03F7/162 , G03F7/3021 , G03F7/3028
Abstract: PURPOSE: A substrate treatment system and substrate treatment is provided to maintain the thickness of a coating film with a specified thickness at the minimum cost of equipment without complicating a coating equipment. The system is also provided to keep the standard of photoregist with a specified standard regardless of the change of pressure. CONSTITUTION: In an FAB(2) having a plurality of developing treatment apparatuses(1) atmospheric pressure is measured with a barometer(3) disposed in the FAB(2), and the measured value is transferred to the respective developing treatment apparatuses(1) via a host computer(4). In the respective developing treatment apparatuses(1), the number of revolution of a substrate in a resist liquid coating unit is adjusted based on the measured value, only in the case that a value of atmospheric pressure exceeds a specified allowable value which is previously set regarding each kind of chemical liquid.
Abstract translation: 目的：提供基板处理系统和基板处理，以设备的最低成本保持具有规定厚度的涂膜的厚度，而不会使涂布设备复杂化。 还提供该系统，以保持光刻胶的标准具有指定的标准，而不管压力的变化。 构成：在具有多个显影处理装置（1）的FAB（2）中，通过设置在FAB（2）中的气压计（3）测定大气压，将测定值转印到各显影处理装置（1） ）通过主计算机（4）。 在各显影处理装置（1）中，仅在大气压值超过预先设定的规定容许值的情况下，基于测定值来调整抗蚀剂液体涂布单元中的基板的转数 关于各种化学液体。
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公开(公告)号：KR1020010020971A
公开(公告)日：2001-03-15
申请号：KR1020000031750
申请日：2000-06-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 아키모토마사미
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/67109 , Y10S414/135
Abstract: PURPOSE: A device is provided to prevent substrate from being overbaked. CONSTITUTION: Cooling treaters(14) for cooling wafers W up to a prescribed temperature are arranged between heating treaters(11) and resist coating treatment devices(8) and development processing devices(9). Preliminary cooling units(15) are provided on the treaters(14) in a multistage. The wafers W immediately after a heating treatment of the wafers W in the treaters(11) is ended are first transferred to the units(15) by a first transfer unit(12). After that, the wafers W are transferred to the units(14) by a third transfer unit(17) and are cooled up to the prescribed temperature and, thereafter, the wafers W are transferred to the devices(8) by a second transfer unit(13).
Abstract translation: 目的：提供一种防止基板过度烘烤的设备。 构成：在加热处理器（11）和抗蚀剂涂层处理装置（8）和显影处理装置（9）之间布置用于将晶片W冷却至规定温度的冷却处理器（14）。 预处理器（15）以多级设置在处理器（14）上。 在处理器（11）中的晶片W的加热处理之后立即结晶的晶片W首先通过第一转印单元（12）传送到单元（15）。 之后，通过第三传送单元（17）将晶片W转移到单元（14），并被冷却到规定温度，然后通过第二传送单元将晶片W传送到设备（8） （13）。
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公开(公告)号：KR1020000006275A
公开(公告)日：2000-01-25
申请号：KR1019990022851
申请日：1999-06-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715 , B05C5/0216 , B05C11/08 , G03F7/162
Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus and a film fabrication method are provided to prevent a stream of a resist solution. CONSTITUTION: The film forming apparatus comprises: a substrate maintaining part for maintaining a substrate(1) to be processed; a nozzle unit(2) disposed so as to oppose the substrate maintaining part, wherein the nozzle unit(2) has a discharge opening for successively applying a solution(3) onto the substrate maintained by the substrate maintaining part in a thin stream shape; and a deposition drive equipment for relatively driving the substrate maintaining part and the nozzle unit and for performing a film formation while discharging the solution with the thin stream shape and depositing on a non-process substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置和膜制造方法，以防止抗蚀剂溶液流。 构成：成膜装置包括：用于保持待处理的基板（1）的基板保持部; 喷嘴单元（2），其设置成与所述基板保持部相对，其中，所述喷嘴单元（2）具有排出口，用于将由所述基板保持部保持的所述基板上的溶液（3）依次施加到薄流的形状; 以及用于相对驱动基板保持部分和喷嘴单元并用于在以薄流形状排出溶液的同时进行成膜并沉积在非处理基板上的沉积驱动设备。
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公开(公告)号：KR1019980042582A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019970061033
申请日：1997-11-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
Abstract: 반도체 기판에 대하여 각종의 처리를 행하는 복수종의 내부처리장치와, 레지스트 도포처리를 실시한 기판에 대하여 노광처리를 행하기 위한 외부노광장치에 대하여 상기 반도체 웨이퍼의 주고받음을 행하는 인터페이스부를 구비하며, 인터페이스부는 내부처리장치의 적어도 하나로부터 소정의 처리를 실시한 기판을 받아들여 이송하는 이송장치와, 이송장치를 통하여 내부처리장치와 외부노광장치의 사이에서 기판의 주고받음을 하기 위해 기판을 일시적으로 유지하기 위한 기판재치부로 구성되고, 기판재치부는, 상하 2단으로 배치되고, 제 1 재치대는 외부노광장치로 기판을 이송할 때에 그 기판을 일단 재치하고, 제 2 재치대는 외부노광장치로부터 기판을 받아들일 때에 그 기판을 일단 재치하며, 이송장치는 제 1 재치대 및 제 2 재치대와 내부처� �장치의 적어도 하나의 사이에서 기판을 이송하는 처리시스템.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980024375A
公开(公告)日：1998-07-06
申请号：KR1019970045939
申请日：1997-09-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 아키모토마사미
IPC: H01L21/027
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
레지스트 처리시스템
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
장치의 점유 스페이스가 적고 높은 수율로 파티클발생량이 적은, 레지스트 처리시스템을 제공함
3. 발명의 해결방법의 요지
레지스트 처리시스템은 상하 다단으로 쌓아 올린 복수의 콤파트먼트(31∼36, 41∼46, 51∼56)를 각각이 가지는 복수의 처리유니트(30,40,50)와, 이 처리유니트의 하부에 위치하는 콤파트먼트 내에 설치되고, 기판 W를 회전시키면서 처리액을 기판에 뿌리는 액처리장치(31,41,51)와, 상기 처리유니트의 상부에 위치하는 콤파트먼트 내에 설치되고, 기판 W를 가열하는 가열처리장치(34,35,36,44,45,46,54,55,
56)와, 이 가열처리장치의 콤파트먼트와 상기 액처리장치의 콤파트먼트와의 사이에 위치하는 중간의 콤파트먼트 내에 설치되고, 기판 W를 냉각시키는 냉각처리장치(32,33,42,43,52,53)와, 상기 처리유니트마다에 각각 설치되고, 그 처리유니트에 속하는 각 콤파트먼트를 향해서 전진후퇴가 자유로우며, 또한 Z축방향으로 승강이 자유롭고, 또한, Z축둘레로 θ회전이 자유로우며, 각 콤파트먼트에 대하여 기판 W를 출입시키기 위한 복수의 홀더(37a,37b,37c,47a,47b,47c,57a,57b,57c)를 가지는 주아암기구(37,47,57)를 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체웨이퍼와 같은 기판을 레지스트처리하기 위한, 레지스트 처리시스템에 사용됨.-
公开(公告)号：KR1019980024264A
公开(公告)日：1998-07-06
申请号：KR1019970045484
申请日：1997-09-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 아키모토마사미
IPC: H01L21/027
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
냉각처리 시스템
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
수율의 감소가 없고, 기판에 악영향을 미치지 않으며, 공간비용에 증가가 없이 냉각처리에 처해지기 전에 기판을 임시로 대피시키는 대피부를 가지는 처리시스템을 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명의 처리시스템은 냉각처리부와, 대피부 및 반송수단을 가진다. 냉각처리부는 가열된 기판에 냉각처리를 행하기 위한 것이다. 대피부는 냉각처리부의 상부에 위치하며, 냉각처리전의 기판을 일시적으로 저장하기 위한 것이다. 반송수단은 냉각처리부 및 대피부의 안팎으로 기판을 반입/반출한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체장치 제조프로세스의 포토리소그래피공정에 있어서, 레지스트 도포처리 및 현상처리시스템에 사용됨-
公开(公告)号：KR1019970024616A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019960045242
申请日：1996-10-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 아키모토마사미
IPC: B05B13/02
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公开(公告)号：KR100109290B1
公开(公告)日：1996-12-16
申请号：KR1019890017642
申请日：1989-11-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 테루큐우슈우가부시끼가이샤
IPC: H01L21/68
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公开(公告)号：KR1019900008641A
公开(公告)日：1990-06-03
申请号：KR1019890017642
申请日：1989-11-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 테루큐우슈우가부시끼가이샤
IPC: H01L21/68
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