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公开(公告)号：CN102735280A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210090907.2
申请日：2012-03-30
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G01D11/245 , B81B7/0074 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明涉及一种传感器模块，其具有能导电的导体件、第一传感器元件和第二传感器元件，其中，所述第一传感器元件设置在所述导体件的第一接收区域中并且所述第二传感器元件设置在所述导体件的第二接收区域中，所述导体件还具有一这样地设置在所述第一和第二接收区域之间的弯曲区域，使得所述第二接收区域相对于所述第一接收区域成角度地定向。
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公开(公告)号：CN1946629B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200580007234.8
申请日：2005-03-15
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00142 , B81B2201/0242 , B81B2203/0136 , B81B2203/0353
Abstract: 公开了一种制造半导体器件的方法。在该方法中，沿包括相对较大的厚度尺寸的半导体衬底的主基板(1)的厚度方向，在一个表面上形成凹入部分(7)。然后，沿主基板(1)的厚度方向，利用在另一个表面提供的氧化膜(6a)形成的开口作为掩模，通过反应离子蚀刻工艺形成通孔(4a、4b)。开口(8)在与凹入部分(7)相对应的区域中具有较窄的宽度，而在其余区域具有较宽的宽度。因此，较宽宽度的通孔(4a)穿透主基板(1)和较窄宽度的通孔(4b)到达凹入部分(7)的下表面的各自必要时间可以近似相等，从而近似同时地完成较宽宽度的通孔(4a)和较窄宽度的通孔(4b)的共同蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN1242913C
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN02800295.4
申请日：2002-01-30
CPC classification number: B81B3/0078 , B81B3/0062 , B81B2201/0242 , B81B2203/0136 , B81B2203/04 , G01C19/5755
Abstract: 一种陀螺仪，包括：一个固定的驱动固定电极(26)；一个位于驱动固定电极对面并且能够在第一方向上位移的驱动位移电极(24)；一个连接到驱动位移电极(24)、根据驱动位移电极(24)的第一方向位移在第一方向上位移、并且当施加一个角速率时在第二方向上位移的惯性块(23)；一个连接到惯性块(23)并且能够根据惯性块(23)的第二方向位移在第二方向上位移的传感位移电极(22)；以及一个在传感位移电极对面并且被固定的传感固定电极(25)。驱动位移电极(24)由一个可在第一方向上移动的折叠弹簧(31)支撑，传感位移电极由一个可在第二方向移动的折叠弹簧(32)支撑。
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公开(公告)号：CN107098309B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201710032445.1
申请日：2013-09-12
Applicant: 快捷半导体公司
IPC: B81B7/02 , H01L21/60 , H01L23/48 , H01L49/02 , B81B1/00 , G01P15/18 , B81B3/00 , B81B7/00 , B81C1/00 , H01L29/84 , H01L23/522 , G01P15/125 , H01L21/768 , H01L21/786
CPC classification number: B81B7/007 , B81B7/0041 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2203/0136 , B81B2203/0315 , B81B2207/096 , G01P15/125 , G01P15/18 , H01L23/481 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L28/82 , H01L29/84 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本申请涉及一种包括多材料填充物的改进型硅通孔。一种装置包括：衬底，其具有设置在所述衬底内的至少一个孔，其中，所述衬底包括：沟槽，其具有大体上成梯形的横截面，所述沟槽贯穿所述衬底在所述衬底的下表面和所述衬底的上表面之间延伸，其中，所述沟槽的顶部通向顶部开口，并且所述沟槽的底部通向底部开口，所述顶部开口比所述底部开口要大。所述装置可以包括：口状体，其围绕所述顶部开口并且在所述上表面和所述顶部开口之间延伸，其中，所述上表面的口状体开口比所述沟槽的所述顶部开口要大，其中，所述孔包括：电介质层，其设置在沟槽的内表面上。所述装置包括：填充物，其设置在所述沟槽内，所述电介质层夹在所述填充物和所述衬底之间。
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公开(公告)号：CN108692836A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201710942568.9
申请日：2017-10-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01L1/14 , G01P15/125
CPC classification number: B81C1/00222 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/097 , B81C1/00261 , B81C1/00349 , B81C2201/01 , G01L1/144 , G01L1/148 , G01P15/125
Abstract: 本公开提供了一种包括电容式压力传感器的MEMS器件及其制造方法。该MEMS器件中由半导体材料制成的主体包含腔室以及所述腔室内的第一柱。半导体材料的盖附接到所述主体并形成第一隔膜、第一腔和第一通道。所述腔室在所述盖的侧面封闭。所述第一隔膜、所述第一腔、所述第一通道和所述第一柱形成电容式压力传感器结构。所述第一隔膜布置在所述第一腔和第二面之间，所述第一通道在所述第一腔和第一面之间或所述第一腔和所述第二面之间延伸，所述第一柱向所述第一隔膜延伸并与所述第一隔膜一起构成第一电容器元件的极板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108449950A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201680067979.1
申请日：2016-11-10
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01C19/5712 , G01C19/5747
CPC classification number: G01C19/5747 , B81B2201/0242 , G01C19/5712
Abstract: 本发明涉及微机械的转速传感器（100），所述微机械的转速传感器具有带旋转振荡轴承（157）的旋转振荡器（140）。所述旋转振荡器（157）包括：摇臂（152）；摇动弹簧棒（154），所述摇动弹簧棒使摇臂（152）与转速传感器（100）的衬底弹性地连接；和两个支承弹簧棒（153），所述支承弹簧棒在摇动弹簧棒（154）的相反侧上使摇臂（152）与旋转振荡器（140）弹性地连接。从另一视角，提供了用于制造这样的微机械的转速传感器（100）的方法。
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公开(公告)号：CN108423634A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810245251.4
申请日：2013-06-28
Applicant: 英特尔IP公司
IPC: B81B7/00 , B81C1/00 , H01L23/488 , H01L23/49
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0271 , B81B2201/10 , B81B2207/012 , B81B2207/053 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/0023 , B81C2203/0792 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
Abstract: 本申请提供了专用集成电路(ASIC)上的微机电系统(MEMS)。在各实施例中，封装组件可以包括专用集成电路(ASIC)和具有活动端和不活动端的微机电系统(MEMS)。在各实施例中，MEMS可以通过一个或多个互连直接耦合到ASIC。MEMS、ASIC以及一个或多个互连可以定义或构成空腔，以便MEMS的活动部分在空腔内。在某些实施例中，封装组件可以包括通过一个或多个互连中的多个直接耦合到ASIC的多个MEMS。可描述和/或要求保护其它的实施例。
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公开(公告)号：CN108367913A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680071589.1
申请日：2016-10-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0038 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00134 , B81C1/00269 , B81C1/00293 , B81C1/00952 , B81C1/00984 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , B81C2203/035
Abstract: 本发明涉及一种用于制造微机械结构元件(100)的方法，具有以下步骤：提供MEMS晶片(20)和罩晶片(10)；在所述MEMS晶片(20)中构造微机械结构(23、24)用于至少两个传感器(S1、S2)；以所述罩晶片(10)气密地封闭所述MEMS晶片(20)；构造到第一传感器(S1)的第一空穴中的第一进入孔(12)；将限定的第一压力通过所述第一进入孔(12)引入到所述第一传感器(S1)的空穴中；封闭所述第一进入孔(12)；构造到第二传感器(S2)的第二空穴中的第二进入孔(13)；将限定的第二压力通过所述第二进入孔(13)引入到所述第二传感器(S2)的空穴中；并且封闭所述第二进入孔(13)。
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公开(公告)号：CN108367910A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680071564.1
申请日：2016-10-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00285 , B81B7/0038 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C2203/0145
Abstract: 本发明提出一种用于制造微机械结构元件的方法，该微机械结构元件具有衬底和与衬底连接并且与衬底包围第一空穴的罩，其中，在第一空穴中存在第一压力并且包含具有第一化学组分的第一气体混合物，其中，在第一方法步骤中，在衬底中或在罩中构造连接第一空穴与微机械结构元件的周围环境的进入开口，其中，在第二方法步骤中，设定在第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分，其中，在第三方法步骤中，通过借助于激光将能量或热量引入到衬底或罩的吸收部分中来封闭进入开口，其中，借助于通过激光产生的激光辐射至少部分在第三方法步骤期间激活在第三方法步骤之前引入到第一空穴中的吸气剂。
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公开(公告)号：CN105609433B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201510755359.4
申请日：2015-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , B81C3/00 , H01L21/8238
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B3/001 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C2201/0132 , B81C2203/035 , B81C2203/037 , B81C2203/0792 , H01L2224/16
Abstract: 本发明涉及形成MEMS器件的方法以缓解上述困难。在一些实施例中，本发明涉及形成MEMS器件的方法，该方法在载体衬底的第一侧内形成一个或多个腔体。然后将载体衬底的第一侧接合至设置于微机电系统(MEMS)衬底上的介电层，并且随后图案化MEMS衬底以限定位于一个或多个腔体上方的软机械结构。然后，使用干蚀刻工艺选择性地去除介电层以释放一个或多个软机械结构。使用低温接合工艺，通过设置在CMOS衬底和MEMS衬底之间的接合结构将CMOS衬底接合至MEMS衬底的第二侧。本发明还提供一种集成芯片。
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