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公开(公告)号：CN102438401B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201110258372.0
申请日：2004-12-06
Applicant: 揖斐电株式会社
IPC: H05K1/16
CPC classification number: H05K1/162 , H05K1/0231 , H05K1/0271 , H05K1/113 , H05K3/4602 , H05K2201/0133 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2201/0187 , H05K2201/09509 , H05K2201/09518 , H05K2201/09563 , H05K2201/096 , H05K2201/09718 , H05K2201/09763 , H05K2201/10522 , H05K2201/10734
Abstract: 一种多层印制线路板，具有通过使隔着绝缘层层叠多层的布线图形之间利用导通孔进行电连接来构成的积层部；安装部，表面安装有与布线图形电连接的半导体元件；以及层状电容器部，在安装部和积层部之间具有陶瓷制的高电介质层以及夹住该高电介质层的第1和第2层状电极，第1和第2层状电极的一方与半导体元件的电源线连接，另一方与接地线连接，与第1层状电极连接的导通孔贯通第1层状电极，二者通过前述导通孔的侧壁和第1层状电极的侧壁进行连接，安装部具有与半导体元件的电极连接的多个焊盘，电连接在与第1/2层状电极同电位的焊盘上并以非接触状态通过第2/1层状电极的棒状端子的数量比与第1/2层状电极同电位的焊盘的数量少。
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公开(公告)号：CN104137658A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380010603.3
申请日：2013-02-20
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K1/036 , H05K3/3436 , H05K3/4602 , H05K3/4661 , H05K3/467 , H05K3/4673 , H05K2201/0175 , H05K2201/0195 , H05K2201/0209 , H05K2201/0269 , H05K2201/068
Abstract: 本发明的一实施方式中的布线基板(3)具有：无机绝缘层(11A)；第1树脂层(12A)，其形成在无机绝缘层(11A)的一主面；第2树脂层(13A)，其形成在无机绝缘层(11A)的另一主面；和导电层(8)，其部分地形成在第2树脂层(13A)的与无机绝缘层(11A)相反侧的一主面。无机绝缘层(11A)包含彼此在一部分上相连接的多个第1无机绝缘粒子(14)，并且形成有由多个第1无机绝缘粒子(14)包围而成的间隙(G)。第1树脂层(12A)的一部分以及第2树脂层(13A)的一部分进入到间隙(G)中。
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公开(公告)号：CN101801886B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN200880021824.X
申请日：2008-04-17
Applicant: 陶瓷技术有限责任公司
Inventor： C·P·克卢格
CPC classification number: C04B37/02 , C04B37/021 , C04B37/026 , C04B2237/121 , C04B2237/122 , C04B2237/123 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/348 , C04B2237/365 , C04B2237/366 , C04B2237/368 , H01L23/15 , H01L23/3731 , H01L23/49822 , H01L23/49883 , H01L23/49894 , H01L24/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H05K1/0203 , H05K1/0254 , H05K1/0284 , H05K1/0306 , H05K3/245 , H05K2201/0175 , H05K2201/09045 , Y10T428/12389 , Y10T428/12479 , Y10T428/12576 , Y10T428/12618 , Y10T428/24355 , Y10T428/249953 , Y10T428/26 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 随着大功率电子进入越来越高的电压范围对高绝缘电压和大的部分放电耐受度的要求越来越强烈。因此本发明建议一种具有陶瓷体(2)的结构部件(1)。所述陶瓷体在它的表面(3、4)上的至少一个区域用金属化部5、6；11)覆盖住，并且其中，该陶瓷体(2)为空间结构(7)，并且在由相同的类型或者不相同的材料构成的金属化部5、6)的至少两个涂层之间，以及在金属化部涂层(5；11)和陶瓷之间的部分放电耐受度＜20pC。
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公开(公告)号：CN1853452B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200480026732.2
申请日：2004-12-06
Applicant: 揖斐电株式会社
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K1/162 , H05K1/0231 , H05K1/0271 , H05K1/113 , H05K3/4602 , H05K2201/0133 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2201/0187 , H05K2201/09509 , H05K2201/09518 , H05K2201/09563 , H05K2201/096 , H05K2201/09718 , H05K2201/09763 , H05K2201/10522 , H05K2201/10734
Abstract: 多层印制线路板(10)具有：安装部(60)，把与布线图形(32)等电连接的半导体元件安装在表面上；以及层状电容器部(40)，具有陶瓷制的高电介质层(43)以及夹住该高电介质层(43)的第1和第2层状电极(41、42)，第1和第2层状电极(41、42)的一方与半导体元件的电源线连接，另一方与接地线连接。在该多层印制线路板(10)中，由于在电源线和接地线之间连接的层状电容器部(40)的高电介质层(43)是陶瓷制的，因而可增大层状电容器部(40)的静电电容。因此，即使在容易发生电位瞬时下降的状况下，也能取得充分的去耦效果。
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公开(公告)号：CN101827490B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010170644.7
申请日：2004-12-06
Applicant: 揖斐电株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , H05K1/0231 , H05K1/0271 , H05K1/113 , H05K3/4602 , H05K2201/0133 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2201/0187 , H05K2201/09509 , H05K2201/09518 , H05K2201/09563 , H05K2201/096 , H05K2201/09718 , H05K2201/09763 , H05K2201/10522 , H05K2201/10734
Abstract: 多层印制线路板(10)具有：安装部(60)，把与布线图形(32)等电连接的半导体元件安装在表面上；以及层状电容器部(40)，具有陶瓷制的高电介质层(43)以及夹住该高电介质层(43)的第1和第2层状电极(41、42)，第1和第2层状电极(41、42)的一方与半导体元件的电源线连接，另一方与接地线连接。在该多层印制线路板(10)中，由于在电源线和接地线之间连接的层状电容器部(40)的高电介质层(43)是陶瓷制的，因而可增大层状电容器部(40)的静电电容。因此，即使在容易发生电位瞬时下降的状况下，也能取得充分的去耦效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102577638A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080046764.4
申请日：2010-07-29
Applicant: 西门子公司
CPC classification number: H05K1/162 , B05D1/185 , H01B3/002 , H01B3/10 , H01G4/1227 , H01G11/48 , H05K2201/0175 , H05K2201/0195 , H05K2201/0209 , H05K2201/0224 , H05K2201/0257 , Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及介电保护层，其中包埋有纳米颗粒以增加介电常数，该纳米颗粒由保护壳包裹以防止团聚，从而获得了用于沉积超薄膜的小粒径。
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公开(公告)号：CN101416259B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200780012180.3
申请日：2007-03-31
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H05K1/162 , H01G4/33 , H01L23/50 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2201/0209 , H05K2201/0355 , H05K2203/013 , Y10T29/42 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 一种集成薄膜电容器包括设置在第一电极和第二电极之间的电介质。该薄膜电容器包括设置在第一电极上的电介质，并且该电介质沿着由其特征尺寸所限定的线显示实质上均匀的热蚀变形态。也公开了一种包括该薄膜电容器的计算系统。
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公开(公告)号：CN1949421B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200610140045.4
申请日：2006-10-11
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01G4/1218 , H01G4/1245 , H01G4/33 , H05K1/09 , H05K1/162 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2201/0355 , H05K2203/0353 , H05K2203/0369
Abstract: 一种薄膜电容器的制造方法，包括以下步骤：对金属箔执行再结晶热处理；在再结晶的金属箔的顶面上形成介电层；对金属箔和介电层执行热处理；以及在热处理过的介电层的顶面上形成上电极。再结晶热处理防止金属箔氧化，这样，可以以高温对介电层执行热处理，从而改善薄膜电容器的电特性和产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN101167415B
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200680014390.1
申请日：2006-04-28
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/624 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/658 , C04B2235/661 , C23C18/06 , C23C18/1216 , C23C18/1241 , C23C18/1254 , C23C18/1275 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , H01G4/1209 , H01G4/33 , H01G13/00 , H05K3/4652 , H05K2201/0175 , H05K2201/0355 , H05K2201/09509
Abstract: 本发明的目的是提供一种氧化物介电层的形成方法，其采用溶胶-凝胶法形成介电层，该介电层具有难以受到蚀刻液的损伤并且高的电容量等的优良的介电特性。为了达到该目的，本发明的氧化物介电层的形成方法，采用溶胶-凝胶法形成氧化物介电层，其特征在于，具有以下(a)～(c)工序：(a)溶液制备工序，用于制备用于制造规定的氧化物介电层的溶胶-凝胶溶液；(b)涂敷工序，把在金属基材的表面上涂敷上述溶胶-凝胶溶液、在含氧的环境中干燥、在含氧的环境中热分解的一系列工序作为一个单位工序，重复多次该一个单位工序，在一个单位工序与一个单位工序之间，任意设置在550℃～1000℃下的惰性气体置换环境等中进行的预焙烧处理，进行膜厚调整；(c)焙烧工序，最后在550℃～1000℃下的惰性气体置换环境等中进行焙烧处理，形成介电层。
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公开(公告)号：CN101563963A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780045954.2
申请日：2007-12-06
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: H05K1/162 , H05K1/0269 , H05K3/4644 , H05K3/4652 , H05K2201/0175 , H05K2201/09309 , H05K2201/09509 , H05K2201/09563 , H05K2201/096 , H05K2201/09627 , H05K2201/09718 , H05K2201/09918 , H05K2203/0353 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155
Abstract: 一种微电子器件、制造该器件的方法和包括该器件的系统。该器件包括：包括聚合物内置层的基板以及嵌入该基板中的无源结构。该无源结构包括位于聚合物内置层上的顶部导电层、位于顶部导电层上的电介质层和位于电介质层上的底部导电层。该器件还包括延伸穿过聚合物内置层并与底部导电层电绝缘的导电通孔、使导电通孔与底部导电层绝缘的绝缘材料以及设置于该顶部导电层背对电介质层的一侧上的桥接互连，该桥接互连将导电通孔电连接到顶部导电层。
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