公开(公告)号：KR1019970051877A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052643

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김도훈 ,  이각현 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：KR1019970051611A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052659

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박경호 ,  최부연 ,  이종현 ,  유형준

IPC: H01H51/00

Abstract: 본 발명은 리드형 자기구동 마이크로 릴레이 및 그 제조방법에 관한 것으로, 110면의 방향성을 갖는 실리콘 웨이퍼 기판을 이방성 에칭을 통해 수백 ㎛를 수직에칭한 후, 절연을 위한 열 산화막을 형성하고 질화막을 증착하는 제1단계와; 상기 제1단계의 질화막 위에 아래 코일 전극을 형성하기 위한 금속을 증착하고 패턴화한 다음, 절연을 위한 산화막을 증착하는 제2단계와; 상기 제2단계의 산화막 위에 아래 자성체 코아를 무전해 도금으로 형성시키고 중간 산화막과 희생층으로서 제거될 아래 폴리이미드를 형성하는 제3단계와; 상기 제3단계의 중간 산화막과 폴리이미드 상부에 윗 자성체 코아와 윗 폴리이미드를 증착한 후 패턴하고, 코일 지지대로서의 산화막을 증착하는 제4단계와; 상기 희생층인 아래 폴리이미드를 제거하고 식각구멍으로 산화막을 건식식각으로 패턴화하는 제5단계와; 코일을 측면으로 둘러싸기 위해 건식식각으로 아래 코일전극까지 채널을 형성시킨 후 무전해 도금으로 코일 배선 부분을 채운 후, 상기 윗 코일전극을 건식식각하는 제6단계를 포함하여 이루어지어, 수 백 ㎑정도의 빠른 반복 스위칭 동작과 아울러 저 접점저항을 이룰 수 있으며, 반도체 제조시설을 통항 대량생산이 가능하여 저렴할 뿐만 아니라 릴레이 어레이(array) 구성이 용이하다는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1019970028051A

公开(公告)日：1997-06-24

申请号：KR1019950042071

申请日：1995-11-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이각현 ,  김도훈 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: F21V5/04

Abstract: 본 발명은 파리 눈 렌즈를 이용한 조명계 인터그레이터에 관한 것이다. 본 발명은, 다수의 파리 눈 렌즈로 구성되는 인터그레이터에서 파리 눈 렌즈의 각각을 지나온 부분 광속들의 중심이 조명하고자 하는 영역의 중심과 일치하도록 각 파리 눈 렌즈의 광축을 인터그레이터의 광축에 대해 소정의 각도로 기울어지게 하거나 일정한 각도로 절단 함으로써 구성되며, 종래의 인터그레이터 장치보다 광의 균일도를 향상시키고 광량의 손실을 줄여 효율을 높일 수 있을 뿐만 아니라 조명계 시스템의 크기를 줄여 경량화시킬 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100116429B1

公开(公告)日：1997-06-16

申请号：KR1019930026310

申请日：1993-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김도훈 ,  이종현 ,  유형준

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：KR1019960026806A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940033882

申请日：1994-12-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이진희 ,  최상수 ,  윤형섭 ,  박철순 ,  유형준 ,  박형무

IPC: H01L21/334

公开(公告)号：KR1019960026315A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940035475

申请日：1994-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김상기 ,  백종태 ,  이춘수 ,  유형준

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체 제조장치에 있어서 특히 웨이퍼 박막의 연마시 연마제의 온도변화를 줄여주며 연마된 박막 두께의 균일도를 향상하고 평탄화할 수 있도록 하는 화학, 기계적 연마장비를 개선하여 단위공정의 질적 향상과 공정의 안정화를 도모할 수 있도록 화학적 기계적 연마장치의 스핀들 테이블 어셈블리의 구조를 알루미늄 플레이터, 온수순환 탱크, 연마용약 공급탱크, 연마를 패드 위로 보내는 미세관 패드등으로 구성되도록 하며, 연마시 패드 아래에서 패드 위로 연마용액이 공급되도록 함을 특징으로 하는 것이다.

公开(公告)号：KR1019960026136A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940036335

申请日：1994-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이중화 ,  구진근 ,  유형준

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 ULSI 소자 제작에 있어서 이를 응용한 소자특성을 향상시킬 수 있도록, 특히 불순물에 대하여 치밀한 확산장벽 특성이 요구되는 절연막 및 보호막으로 유용한 고 품위의 질화 규소막을 400℃ 이하의 저온공정으로 형성하는 방법에 관한 것이다.
특히, 본 발명의 방법에 의하면 고온 화학증착에 의한 질화규소(Si
3 N
4 )와 유사한 화학조성을 가지는 박막의 형성이가능하므로, 화합물 반도체 소자의 불순물 확산 방지층 및 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 절연층 등으로의 활용도 기대된다.
본 발명에서는 플라즈마 화학기상 증착기에서 반응기체로써 SiH
2 +N
2 혼합기체를 사용하되, 수십Å의 박막증착과 그 직후 N
2 플라즈마 처리를 주기적으로 반복함으로써 필요한 두께의 질화규소막을 형성하는 방법을 사용하는데, 이 방법은 통상의 평행판 플라즈마 화학기상 증착기에서도 실시할 수 있을 뿐만 아니라, 형성되는 질화규소막내에 수소농도를 최소화할 수 있고, 안정적인 Si/N조성비를 유지할 수 있는 등의 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1019960024680A

公开(公告)日：1996-07-20

申请号：KR1019940034388

申请日：1994-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이각현 ,  정해빈 ,  유형준

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/30

Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 제작에 사용되는 노광장비에 관한 것으로 특히 원본 마스크상의 패턴을 상면인 웨이퍼위에 전사시켜 미세한 선폭구현을 가능하게 한 광학계에 대한 것이다.
종래의 광학계는 렌즈만으로 구성된 굴절광학계로 색수차 발생 억제를 위한 협대역 광원 사용과, 광학재료의 두께에 따른투과율 저하를 해결해야 하는 문제점들이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로 굴절능의 대부분을 차지하는 반사겅과 굴절률이 없는 보정렌즈만을사용하여 광학계를 구성하므로써 광학재료의 두께를 줄여 투과율과 사용광원의 효율을 높여 미세화패턴의 노광을 실현할수 있도록 하였다.

公开(公告)号：KR1019960019505A

公开(公告)日：1996-06-17

申请号：KR1019940028804

申请日：1994-11-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박민 ,  이중환 ,  구진근 ,  유형준

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/31

Abstract: 본 발명은 반도체 초고집적회로(ULSI)의 제조공정에서 금속층간 절연막(IMD : inter metal dielectric)의 SOG(spin-on glass)를 사용하는 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 플라즈마 방법을 이용하여 양질의 SOG 박막을 형성시킬 수 있는 경화(curing) 방법에 관한 것이다.
본 발명은 절연막으로 SOG(Spin-On Glass)를 사용하는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, SOG의 경화처리(curing)를 플라즈마 방법, 또는 기존의 열처리 방법과 병하여 수행함으로써, SOG막 내에 잔류하는 Si-OH 결합 및 휘발성 유기물과 H
2 O를 제거한다.

公开(公告)号：KR1019920004962B1

公开(公告)日：1992-06-22

申请号：KR1019880017968

申请日：1988-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장원익 ,  이용일 ,  김상호 ,  박성호 ,  유형준

IPC: H01L21/20

Abstract: The evacuation system for vapor deposition of the metallic thin film i.e. tungsten or tengsten silicide, safely evacuates the posionous gas generated from the vapor deposition. The system comprises a heating tape tube (6), connected to a shock absorbing tube (1) of a reaction vessel (A), U-shaped tube (2) and a valve (3), for eliminating non-reactive/explosive SiH4 gas; a gas deoxidation trap (4) filled with stainless steel pieces for eliminating non-reactive/corrosive WF6 gas; a gas absorption trap (5) filled with zeolite for absorbing moisture or H2 gas molecules.

Abstract translation: 用于气相沉积金属薄膜（即钨或矽化钨）的抽空系统安全地排出由气相沉积产生的气泡。 该系统包括与反应容器（A）的减震管（1），U形管（2）和阀（3）连接的加热带管（6），用于消除无反应/爆炸的SiH 4 加油站; 气体脱氧阱（4）填充不锈钢件，用于消除无反应/腐蚀性WF6气体; 填充有用于吸收水分或H2气体分子的沸石的气体吸收阱（5）。