公开(公告)号：TW200634982A

公开(公告)日：2006-10-01

申请号：TW095105729

申请日：2006-02-21

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 庫瑪 德文卓 KUMAR, DEVENDRA ,  高德 卡邁勒 凱頓 GOUNDAR, KAMAL KISHORE ,  凱梅琳 南森艾爾R C KEMELING, NATHANAEL R.C. ,  福田英昭 FUKUDA, HIDEAKI ,  史百瑞 赫塞爾 SPREY, HESSEL ,  斯托克霍夫 馬丁 STOKHOF, MAARTEN

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C23C14/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873

Abstract: 本發明提供用於在積體電路中保形性地襯墊雙鑲嵌結構的方法與結構。指導較佳實施例以在形成於多孔材料中之開口上提供保形性襯墊。在絕緣層中形成(100)溝槽。隨後以特定電漿製程(101)充分處理層。在此電漿處理之後可發生自行限制、自行飽和原子層 積(ALD)反應(115)，而不大量填充形成經改良的互連件之微孔。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供用于在集成电路中保形性地衬垫双镶嵌结构的方法与结构。指导较佳实施例以在形成于多孔材料中之开口上提供保形性衬垫。在绝缘层中形成(100)沟槽。随后以特定等离子制程(101)充分处理层。在此等离子处理之后可发生自行限制、自行饱和原子层 积(ALD)反应(115)，而不大量填充形成经改良的互连件之微孔。

公开(公告)号：TW200509226A

公开(公告)日：2005-03-01

申请号：TW093122682

申请日：2004-07-29

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 爾瑞那 謙托J ARENA, CHANTAL J. ,  托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE ,  寇帝 奈爾 CODY, NYLES ,  波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS

IPC: H01L

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 一層鬆弛的矽化鍺結構包括一層矽緩衝層，係用化學氣相沈積製程，以一個大於約1 torr的選擇壓力形成，此鬆弛的矽化鍺結構進一步包括一層矽化鍺層沈積在矽緩衝層上，此矽化鍺層有每平方公分的牽引錯位少於10^7，透過在一個降低的沈積速度下沈積矽緩衝層，覆蓋的矽化鍺層可以有一個“沒有交叉陰影”的表面。

Abstract in simplified Chinese: 一层松弛的硅化锗结构包括一层硅缓冲层，系用化学气相沉积制程，以一个大于约1 torr的选择压力形成，此松弛的硅化锗结构进一步包括一层硅化锗层沉积在硅缓冲层上，此硅化锗层有每平方公分的牵引错位少于10^7，透过在一个降低的沉积速度下沉积硅缓冲层，覆盖的硅化锗层可以有一个“没有交叉阴影”的表面。

公开(公告)号：TW200403721A

公开(公告)日：2004-03-01

申请号：TW092120786

申请日：2003-07-30

Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.

Inventor： 艾瑞克J 赫洛 ERIC J. SHERO ,  麥克E 吉文斯 MICHAEL E. GIVENS ,  萊恩 史密特 RYAN SCHMIDT

IPC: H01L

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4483

Abstract: 本發明提供一種昇華系統，包括多個導引結構，一種紅外線感測器封裝包括一介電支撐體，作為氣體反應物的固體原料係大面積地覆蓋於支撐媒介上。藉由導引結構可以使固體原料重複地飽和於載氣中。另外，本發明還提供利用導引結構使載氣飽和的方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种升华系统，包括多个导引结构，一种红外线传感器封装包括一介电支撑体，作为气体反应物的固体原料系大面积地覆盖于支撑媒介上。借由导引结构可以使固体原料重复地饱和于载气中。另外，本发明还提供利用导引结构使载气饱和的方法。

公开(公告)号：TW478105B

公开(公告)日：2002-03-01

申请号：TW089117142

申请日：2000-10-02

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 艾維瑞傑馬克斯 ,  蘇維P 賀加 ,  奧斯特H A 葛藍尼門 ,  維利安特山尼拉 ,  培卡裘梭尼恩 ,  凱艾略克埃樂斯

IPC: H01L

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/08 ,  C23C16/32 ,  C23C16/44 ,  C30B25/02 ,  C30B29/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種在積體電路中雙重鑲嵌結構之共形襯層的製造方法及結構。其係首先在絕緣層中形成溝渠及介層窗開口。之後在暴露出的溝渠及介層窗開口中，交替的使用化學組成物以形成所需的襯層材料。製造流程之例示包括將脈衝的金屬鹵化物以及氨氣交替她注入具有穩定流量的載氣中。每一次脈衝所形成的自行終止之金屬層將會與氮反應。由於此方法所形成之襯層材料具有幾近完美的階梯覆蓋性，當其用於擴散阻障時可以允許有最小的厚度，因此可以使得後續填入於溝渠與介層窗開口的金屬具有最大的容積。

Abstract in simplified Chinese: 一种在集成电路中双重镶嵌结构之共形衬层的制造方法及结构。其系首先在绝缘层中形成沟渠及介层窗开口。之后在暴露出的沟渠及介层窗开口中，交替的使用化学组成物以形成所需的衬层材料。制造流程之例示包括将脉冲的金属卤化物以及氨气交替她注入具有稳定流量的载气中。每一次脉冲所形成的自行终止之金属层将会与氮反应。由于此方法所形成之衬层材料具有几近完美的阶梯覆盖性，当其用于扩散阻障时可以允许有最小的厚度，因此可以使得后续填入于沟渠与介层窗开口的金属具有最大的容积。

公开(公告)号：TW473797B

公开(公告)日：2002-01-21

申请号：TW089125654

申请日：2001-02-12

Applicant: ASM美國股份有限公司

Inventor： 潘政于

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/324

Abstract: 提供一種方法以在晶圓被幅射處理加熱後，能快速冷卻處理後半導體晶圓。該方法包括在晶圓被幅射處理加熱後，導入幅射吸收材質於該處理後晶圓與高度反射表面間。訝高度反射表面反射且反射從該處理後晶圓與其周圍元件所射出之幅既-能源回至該處理後晶圓，而阻礙其冷卻處理。一旦該幅射吸收材質位於該處理後晶圓與訝高度反射表面間，其：吸收從該處理後晶圓與其周圍元件所射出之幅射能源，加速其冷卻處理。因此，冷卻處理能節省大量時間，因而改善整體晶圓量產能力。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种方法以在晶圆被幅射处理加热后，能快速冷却处理后半导体晶圆。该方法包括在晶圆被幅射处理加热后，导入幅射吸收材质于该处理后晶圆与高度反射表面间。讶高度反射表面反射且反射从该处理后晶圆与其周围组件所射出之幅既-能源回至该处理后晶圆，而阻碍其冷却处理。一旦该幅射吸收材质位于该处理后晶圆与讶高度反射表面间，其：吸收从该处理后晶圆与其周围组件所射出之幅射能源，加速其冷却处理。因此，冷却处理能节省大量时间，因而改善整体晶圆量产能力。

公开(公告)号：TWI500096B

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：TW097141841

申请日：2008-10-30

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 艾格渥 拉敏德 ,  AGGARWAL, RAVINDER ,  可雷夏克 馬克 ,  KLESHOCK, MARK ,  雅可布斯 勞恩 ,  JACOBS, LOREN

IPC: H01L21/67 ,  G01K7/02 ,  C23C16/54

CPC classification number: G01K7/04 ,  G01K13/00 ,  G01K15/00 ,  H01L21/67248

公开(公告)号：TWI463538B

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：TW098114220

申请日：2009-04-29

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 史考特 羅賓 查理斯 ,  SCOTT, ROBIN CHARIS ,  強森 梅特 ,  JOHNSON, MATT

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/02661 ,  C23C16/0209 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02381

公开(公告)号：TWI433956B

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：TW097101458

申请日：2008-01-15

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 艾爾斯 凱 艾瑞克 ,  ELERS, KAI-ERIK

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/4554

公开(公告)号：TWI410513B

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：TW096137237

申请日：2007-10-04

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 王長工 ,  WANG, CHANG-GONG ,  雪洛 艾立克 ,  SHERO, ERIC ,  威爾克 格蘭 ,  WILK, GLEN

IPC: C23C16/00 ,  C30B25/14

CPC classification number: C23C16/405 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531

公开(公告)号：TWI385714B

公开(公告)日：2013-02-11

申请号：TW095103696

申请日：2006-02-03

Applicant: ASM美國股份有限公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 ,  BAUER, MATTHIAS ,  艾倫奈 權特爾 ,  ARENA, CHANTAL ,  培特朗 羅奈爾德 ,  BERTRAM, RONALD ,  托馬西尼 皮爾瑞 ,  TOMASINI, PIERRE ,  寇帝 奈爾 ,  CODY, NYLES ,  布蘭特 保羅 ,  BRABANT, PAUL ,  義特理諾 喬瑟分 ,  ITALIANO, JOSEPH ,  雅各布森 保羅 ,  JACOBSON, PAUL ,  威克斯 基斯 多倫 ,  WEEKS, KEITH DORAN

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L29/7848 ,  C23C16/04 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45512 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834