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公开(公告)号：KR101653530B1
公开(公告)日：2016-09-02
申请号：KR1020140193673
申请日：2014-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은형광체도포공정이필요없는(phosphor-free) 백색발광소자에관한것으로서, GaN 기판상에마스크층을형성하는제1단계와, 상기마스크층을패터닝하여상기 GaN 기판의일부영역을노출시키는나노패턴을형성하는제2단계와, 상기나노패턴에대응하여상기 GaN 기판상에 GaN을선택적으로성장시켜서로다른결정면이노출되도록 GaN 나노구조체를성장시키는제3단계및 상기 GaN 나노구조체상에활성층을포함하는나노구조층을성장시키는제4단계를포함하여이루어지되, 상기활성층은상기 GaN 나노구조체의결정면에따라유효조성물의함량이달라발광파장의조절이가능한것을특징으로하는나노구조체를이용한백색발광소자의제조방법및 그에의해제조된나노구조체를이용한백색발광소자를기술적요지로한다. 이에의해활성층의노출되는결정면을조절하여각 유효조성물의함량을제어하여활성층의발광파장을조절할수 있게되어, 단일소자내에서에피성장과정중에청색과황색발광을유도하여백색발광을구현할수 있는이점이있다.
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公开(公告)号：KR1020160062795A
公开(公告)日：2016-06-03
申请号：KR1020140165305
申请日：2014-11-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/7781 , H01L29/7782 , H01L29/812
Abstract: 본발명에따른갈륨면 4원계질화물전력반도체소자는기판위에형성된질화갈륨버퍼층, 질화갈륨버퍼층위에형성된 4원계질화물층, 상기 4원계질화물층위에형성된질화갈륨캡층을포함하고, 4원계질화물층의조성비를조절함으로써분극방향이 4원계질화물층의상면을향하도록형성하여 2차원전자가스가상기 4원계질화물층의상단에형성되는것을특징으로한다. 상기 4원계질화물은 In, Al, Ga 및 N의 4종류의원소로이루어지고, In과 Al은소정의조성비를가짐으로써상기 4원계질화물층에압축응력이작용하여상기 4원계질화물층의분극이상부방향을향하도록조절된다.
Abstract translation: 根据本发明的第四氮化物功率半导体器件包括：形成在衬底上的氮化镓缓冲层; 形成在氮化镓缓冲层上的第四氮化物层; 以及形成在所述第四氮化物层上的氮化镓覆盖层。 通过控制四氮化物层的组成比，形成了与氮化物层的上表面相对的极化方向，使得在氮化物层的上端形成二次电子气。 四氮化物由In，Al，Ga和N等四种元素组成，其中In和Al具有预定的组成比，由此对氮化物层施加压缩应力，使得氮化物层的极化 被控制以面向上方向。
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公开(公告)号：KR1020150117744A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：KR1020140042909
申请日：2014-04-10
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/502 , H01L2933/0041
Abstract: 본발명은형광체도포공정이필요없는(phosphor-free) 백색발광소자에관한것으로서, 상기목적을달성하기위해본 발명은, 기판상에마스크층을형성하는단계와, 상기마스크층을패터닝하여상기기판의일부영역을노출시키는패턴을형성하는단계및 상기기판의노출된영역상에발광층을포함하는질화물계나노막대를성장시키는단계를포함하여이루어지되, 상기나노막대의직경또는간격을조절함으로써나노막대간 그림자효과(shadow effect)에따른상기나노막대의유효조성물의함량을제어하여, 상기발광층의발광파장을조절하는것을특징으로하는나노막대를이용한백색발광소자의제조방법및 이에의해제조된나노막대를이용한백색발광소자를기술적요지로한다. 이에의해기판상에나노막대형태로발광층을형성함으로서, 형광체없는백색광원의제조가가능하며, 발광층을나노막대형태로형성하여결함밀도를최소화하여고품질의발광소자의제조가가능한이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有无磷工艺的白色发光元件。 为了实现该目的，本发明包括在基板上形成掩模层的步骤; 形成图案的步骤，通过图案化掩模层曝光基板的部分区域; 以及在衬底的暴露区域上生长包括发光层的氮化物纳米棒的步骤。 该方法能够通过控制纳米棒的间隙或直径，通过根据纳米棒的阴影效应来控制纳米棒的有效复合物的含量来控制发光层的发光波长。 因此，由于在纳米棒状的基板上形成发光层，所以能够制造无磷白色光源，通过将纳米棒状的发光层形成为 以制造高质量的发光元件。
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公开(公告)号：KR101296281B1
公开(公告)日：2013-08-13
申请号：KR1020110118674
申请日：2011-11-15
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 고품위 질화물 반도체 성장방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 고품위 질화물 반도체 성장방법은 기판 또는 박막 상에 유전체 마스크층을 형성하는 단계와, 상기 유전체 마스크층 상에 고분자층을 형성하는 단계와, 상기 고분자층 상에 O
2 가스에 대한 에칭 저항성 레진 또는 금속-유기물 전구체로 이루어지는 패턴층을 형성하는 단계와, 건식 식각으로 상기 패턴층 하부의 고분자층을 식각하는 단계와, 건식 식각으로 상기 유전체 마스크층을 식각하여, 상기 기판 또는 박막이 일부 노출되도록 유전체 마스크층의 패턴을 형성하는 단계와, 상기 유전체 마스크층의 패턴 상부에 있는 고분자층 및 패턴층을 제거하는 단계와, 일부 노출된 상기 기판의 상면에 질화물 반도체층을 측방향으로 성장시� ��는 단계를 포함함으로써, 사파이어 또는 Si 또는 기판과 질화물 반도체의 격자상수 불일치로 인해서 발생되는 전위 결함 및 휨이나 깨짐 등과 같은 변형을 최소화하여, 최적화된 고품위 질화물 반도체의 성장이 가능한 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR101808679B1
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：KR1020160115769
申请日：2016-09-08
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은초박형홀 센서및 그제조방법에관한것이다. 본발명의제1 실시예에따른초박형홀 센서의제조방법은, 웨이퍼기판상에희생층을형성하는단계; 희생층위에 n형컨택층을형성하는단계; n형컨택층위에홀 센서활성층을형성하는단계; 홀센서활성층위에버퍼층을형성하는단계; 버퍼층상면에전사(transfer) 대상기판을접합하는단계; 및희생층을제거하여상기웨이퍼기판을상기희생층상부의적층구조체로부터분리하는단계를포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 홀센서에역구조의박막홀 센서층성장을통해한 번에홀 센서소자를대상기판에전사함으로써, 전사횟수를줄이고공정을단순화하여수율을향상시키고제조비용을감축할수 있다.
Abstract translation: 超薄霍尔传感器及其制造方法技术领域本发明涉及一种超薄霍尔传感器及其制造方法。 根据本发明的第一实施例制造的超薄霍尔传感器的方法包括：形成在晶片衬底上的牺牲层的工序; 在牺牲层上形成n型接触层; 在所述n型接触层上形成空穴传感器有源层; 在空穴传感器有源层上形成缓冲层; 将要转移的衬底接合到缓冲层的上表面; 并去除牺牲层以将晶片衬底与牺牲层部分的层压结构分离。 根据本发明这样，在由霍尔传感器元件在一个时间传送，通过倒置结构的霍尔传感器的薄膜霍尔传感器层生长在目标基板上，以减少传输计数，以简化工艺，提高产率和降低制造成本 有。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101523991B1
公开(公告)日：2015-05-29
申请号：KR1020140025965
申请日：2014-03-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778 , H01L29/201
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/201 , H01L29/768
Abstract: 본발명의일 측면에따르면, 단결정인기판; 상기기판에증착되고상기기판의일부영역을노출시키는패턴이형성된유전체층; 상기기판의노출된영역상에증착된버퍼층;및상기버퍼층위에증착되고밴드갭이서로다른물질층이접합된 2DEG층(2차원전자가스층; 2Demensional Electron Gas Layer 이하 2DEG층)을포함하는소자층을포함하는것을특징으로하는질화물계전력반도체소자를제공한다. 이상에서살펴본본 발명에의하면, 기설정된폭과길이의영역에수직으로이종반도체를성장시킴으로써, 결함이생기지않은소자를제작하는효과가있다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面，氮化物系功率半导体器件包括单晶衬底; 介电层，其沉积在基板上并具有使基板的一部分露出的图案; 沉积在衬底的暴露区域上的缓冲层; 以及包括二维电子气体层（2DEG层）的器件层，其沉积在缓冲层上并与不同的材料层接合。 根据这样的本发明，在具有预定宽度和长度的区域中垂直生长非均匀半导体。 因此，可以制造没有缺陷的装置。
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公开(公告)号：KR101043345B1
公开(公告)日：2011-06-21
申请号：KR1020090008970
申请日：2009-02-04
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 전하의 오버플로우를 최소화하여 내부양자효율을 증가시키고, 동작전압을 낮춰 고휘도 특성을 갖는 질화물 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 소자는 기판 상에 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 순차적으로 적층되어 이루어진다. 활성층은 양자 우물층층과 양자 우물층보다 에너지 밴드갭이 큰 물질로 이루어진 배리어층이 교번적으로 적층되어 양자우물구조를 이루며, 배리어층 중 적어도 하나는 질화물 반도체 초격자(superlattice)로 이루어진다.
MQW, 초격자, LED, 오버플로우, 내부양자효율-
公开(公告)号：KR1020100114740A
公开(公告)日：2010-10-26
申请号：KR1020090033270
申请日：2009-04-16
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/08
Abstract: PURPOSE: A vertical type light emitting device is provided to obtain white light with the superior color-rendering characteristic without fluorescent substances by forming a wavelength conversion layer with digital alloy. CONSTITUTION: A p-type ohmic contact layer(220) is formed on a p-type metal layer(210). An active layer(230) is formed on the p-type ohmic contact layer. An n-type ohmic contact layer(240) is formed on the active layer and includes a first part and a second part. The thickness of the first part is thinner than or equal to that of the second part. An n-type metal layer is formed on the first part of the n-type ohmic contact layer. A wavelength conversion layer(250) is formed on the second part of the n-type ohmic contact layer to be spaced apart from the n-type metal layer.
Abstract translation: 目的：通过用数字合金形成波长转换层，提供了一种垂直型发光器件，以获得具有优异的显色特性的无荧光物质的白光。 构成：在p型金属层（210）上形成p型欧姆接触层（220）。 在p型欧姆接触层上形成有源层（230）。 n型欧姆接触层（240）形成在有源层上，并包括第一部分和第二部分。 第一部分的厚度小于或等于第二部分的厚度。 n型金属层形成在n型欧姆接触层的第一部分上。 在n型欧姆接触层的与n型金属层隔开的第二部分上形成波长转换层（250）。
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公开(公告)号：KR1020100095834A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：KR1020090014841
申请日：2009-02-23
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/64
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode is provided to improve the heat discharging efficiency by gap-filling a substrate-hole with a heat discharging layer made of conductive materials. CONSTITUTION: One or more substrate-holes are formed on the rear of a substrate. A heat discharging layer(180) is formed inside the substrate-hole and is made of conductive materials. An n type clad layer is formed on the substrate. An active layer(140) is formed on the n type clad layer. A p type clad layer is formed on the active layer. A buffer layer(120) is formed between the substrate and the n type clad layer. A buffer layer-hole connected to the substrate-hole is formed on the buffer layer.
Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管，以通过用导电材料制成的放热层间隙填充基板孔来提高散热效率。 构成：在衬底的后部形成一个或多个衬底孔。 在基板孔内形成放热层（180），并由导电材料制成。 在基板上形成n型覆盖层。 在n型覆盖层上形成有源层（140）。 在有源层上形成p型覆盖层。 在衬底和n型覆盖层之间形成缓冲层（120）。 在缓冲层上形成与基板孔连接的缓冲层孔。
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公开(公告)号：KR101837623B1
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：KR1020150183086
申请日：2015-12-21
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은질화물반도체발광소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른질화물반도체발광소자의제조방법은, 기판의상면에금속층을형성한후, 금속층위에금속층의일정영역을노출하는개구를가지는소정패턴의마스크층을형성하는단계와; 마스크층의개구에복수의 n-질화물나노막대구조물을형성하는단계와; 복수의 n-질화물나노막대구조물위에 n형클래드층, 활성층을포함한다중양자우물디스크구조체또는다중양자우물동축구조체, 및 p형클래드층을차례로적층형성하는단계와; p형클래드층위에 p-질화물을소정높이로형성하는단계와; 마스크층을제거하여금속층을노출시키는단계와; 노출된금속층의표면과복수의나노막대구조물사이의공간에절연물질을충전하고경화시키는단계; 및복수의나노막대구조물의상단면및 절연물질의상단면에걸쳐금속콘택층을형성및 금속콘택층위에전극을형성하는단계를포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 기판상에형성된금속층또는금속재질의기판상에질화물나노막대구조의발광소자를형성함으로써, 발광소자의 n-전극을용이하게형성할수 있고, 발광소자에의한광방출시나노막대하부의금속층또는금속기판에의한반사로광추출효율을증진시킬수 있다.
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