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公开(公告)号：KR1020070057116A
公开(公告)日：2007-06-04
申请号：KR1020070046601
申请日：2007-05-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67253 , G01N1/24 , G01N15/06 , G01N2015/0693
Abstract: A particle-measuring system and a particle measuring method are provided to correctly count particles generated by and discharged from a processing chamber to detect the generation of the particles. A chemical vapor deposition(CVD) apparatus(40) includes a processing unit(42) for forming a layer on a wafer(W) by a layer forming gas and a discharging system(44) for discharging the air in the processing unit or the layer forming gas. A particle measuring apparatus(46) for counting the number of particles in the discharged gas that flows the discharging system is mounted. The particle measuring apparatus is controlled by a control and processing unit(41) to perform an operation process. In addition, a display unit(43) for displaying formulas used for processing results or simulations or various parameters is provided. The controlling and processing unit can be built in a system controller for controlling the processing apparatus and can be separated. The processing unit includes a cylindrical or box-shaped processing chamber(48) formed of aluminum(Al).
Abstract translation: 提供粒子测量系统和粒子测量方法来正确地对由处理室产生和排出的微粒进行计数以检测颗粒的产生。 化学气相沉积（CVD）装置（40）包括一个处理单元（42），用于通过一层形成气体在一晶片（W）上形成一层，一排放系统（44），用于排出处理单元或 层形成气体。 安装用于对排出系统流动的排出气体中的颗粒数进行计数的颗粒测量装置（46）。 粒子测量装置由控制和处理单元（41）控制，以执行操作过程。 此外，提供了一种用于显示用于处理结果或模拟或各种参数的公式的显示单元（43）。 控制和处理单元可以内置在用于控制处理装置的系统控制器中并且可以分离。 处理单元包括由铝（Al）形成的圆柱形或箱状处理室（48）。
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公开(公告)号：KR100987835B1
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：KR1020087021309
申请日：2007-01-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/285 , H01L21/203 , H01L21/3205 , C23C14/54
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/345 , H01J37/321 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01J37/34 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76862 , H01L21/76873 , H01L2221/1089
Abstract: 오버행 부분을 생기게 하지 않고 시드막을 형성할 수 있는 시드막의 성막 방법을 제공하는 것에 있다. 진공 흡인 가능하게 이루어진 처리 용기(24) 내에서 플라즈마에 의해 금속 타겟(70)을 이온화시켜 금속 이온을 발생시키고, 금속 이온을 처리 용기 내의 탑재대(34) 상에 탑재한 표면에 오목부(4)를 갖는 피처리체에 바이어스 전력에 의해 인입하여 오목부 내를 포함하는 피처리체의 표면에 금속막을 형성하는 것에 의해 도금용의 시드막을 형성하도록 한 시드막의 성막 방법에 있어서, 바이어스 전력을, 피처리체의 표면에 일단 형성된 금속막이 스퍼터링되지 않는 크기로 설정하여 금속막을 형성하는 성막 공정과, 금속 이온을 발생시키지 않고 금속막의 형성을 휴지하는 휴지 공정을 교대로 복수회 반복한다.
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公开(公告)号：KR100882964B1
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：KR1020070046601
申请日：2007-05-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67253 , G01N1/24 , G01N15/06 , G01N2015/0693
Abstract: 본 발명은, 처리 챔버(48) 내의 대기 또는 가스를 진공 펌프(98)에 의해 배기시킨 분위기를 생성하여, 그 분위기 내에서 웨이퍼 W에 대해 반도체 장치 제조에 관한 처리를 실시하는 처리 장치(40)에 구비되고, 처리 챔버(48)의 배기구(86)와 진공 펌프(98)를 연결하는 배기관(90)에 장착되어, 배기 가스중의 파티클수를 계측하는 파티클 계측 장치 및 그 계측 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020080094088A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：KR1020087021309
申请日：2007-01-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/285 , H01L21/203 , H01L21/3205 , C23C14/54
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/345 , H01J37/321 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01J37/34 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76862 , H01L21/76873 , H01L2221/1089
Abstract: This invention provides a method for seed film formation that can form a seed film without forming any overhung part. A metal target (70) is ionized by plasma within a vacuum drawable treatment vessel (24) to generate metal ions. The metal ions are drawn by bias electric power into an object, to be treated, having on its surface a recess (4) mounted on a mount table (34) within the treatment vessel to form a metal film on the surface of the object including the inside of the recess and thus to form a seed film for plating. In this method, a film forming step of forming a metal film at a bias electric power set so that a metal film, which has been once formed on the surface of the object, is not sputtered, and an idle step of not generating any metal ion to halt the formation of a metal film are alternately repeated a plurality of times.
Abstract translation: 本发明提供了可以形成种子膜而不形成任何悬垂部分的种子膜形成方法。 金属靶（70）通过真空拉伸处理容器（24）内的等离子体离子化，以产生金属离子。 金属离子通过偏置电力被拉入待处理的物体中，在其表面上具有安装在处理容器内的安装台（34）上的凹部（4），以在物体的表面上形成金属膜，包括： 从而形成用于电镀的种子膜。 在该方法中，在不形成金属膜的偏置电力的情况下形成金属膜，使得一旦形成在物体的表面上的金属膜不被溅射，并且没有产生任何金属的空闲步骤 离子以停止金属膜的形成交替重复多次。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080090559A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：KR1020087021299
申请日：2007-02-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , C23C14/14
CPC classification number: C23C14/046 , H01J37/321 , H01J37/34 , H01L21/2855 , H01L21/76846 , H01L21/76877 , H01L21/76882 , H01L21/76883
Abstract: Provided is a technology of embedding a recessed section formed on the surface of a subject to be processed, such as a semiconductor wafer (W), especially a fine hole or a trench having a diameter or a width of 100nm or less, only by plasma sputtering, with a metal, especially copper. A film forming step of depositing a small quantity metal film in the recessed section and a diffusion step of moving the deposited metal film toward the bottom section of the recessed section are alternately performed plurality of times. In the film forming step, bias power to be applied to a placing table for supporting the wafer (W) is set so that on the surface of the wafer (W), the deposition rate of the metal deposition generated due to metal particle drawing is substantially balanced with the etching rate of sputter etching generated by plasma. In the diffusion step, the wafer (W) is maintained at a temperature which permits surface diffusion of the metal film deposited in the recessed section to be generated.
Abstract translation: 本发明提供一种将半导体晶片（W），特别是具有直径或宽度为100nm以下的细孔或沟槽的半导体晶片（W）的表面上形成的凹部嵌入仅通过等离子体 用金属，特别是铜溅射。 在凹部中沉积少量金属膜的成膜步骤和使沉积的金属膜向凹部的底部移动的扩散步骤交替进行多次。 在成膜步骤中，设置施加到用于支撑晶片（W）的放置台的偏置功率，使得在晶片（W）的表面上，由于金属粒子绘制而产生的金属沉积物的沉积速率为 基本上与由等离子体产生的溅射蚀刻的蚀刻速率平衡。 在扩散步骤中，晶片（W）保持在允许沉积在凹部中的金属膜的表面扩散以产生的温度。
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公开(公告)号：KR100697512B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020057009559
申请日：2003-11-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/30
CPC classification number: C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01J37/32862
Abstract: 본 발명은 기판 처리 용기내의 부재의 손상을 저감한 기판 처리 장치의 클리닝 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 기판 처리 용기를 클리닝하는 클리닝 방법은 기판 처리 장치에 설치된 리모트 플라즈마 발생부에 가스를 도입하는 가스 도입 단계와, 리모트 플라즈마 발생부에 의해 가스를 여기하여 반응종을 생성하는 반응종 생성 단계와, 반응종을 상기 리모트 플라즈마 발생부로부터 처리 용기에 공급하는 동시에, 처리 용기내의 압력을 1333㎩ 이상의 상태로 하는 반응 단계로 구성된다.
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公开(公告)号：KR1020060090676A
公开(公告)日：2006-08-14
申请号：KR1020067006035
申请日：2004-09-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
Inventor： 야마사키히데아키 , 마츠다츠카사 , 고미아츠시 , 하타노다츠오 , 다치바나,미츠히로 , 마츠자바고우메이 , 가와노유미코 , 레우싱크게르트제이. , 멕펠리펜톤알 , 말호트라산드라지 , 시몬앤드류에이치. , 유르카스존제이
IPC: H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/045 , C23C16/16 , C23C16/4408 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: A method is provided for forming a metal layer on a substrate using an intermittent precursor gas flow process. The method includes exposing the substrate to a reducing gas while exposing the substrate to pulses of a metal-carbonyl precursor gas. The process is carried out until a metal layer with desired thickness is formed on the substrate. The metal layer can be formed on a substrate, or alternately, the metal layer can be formed on a metal nucleation layer.
Abstract translation: 提供了一种使用间歇式前体气体流动方法在基板上形成金属层的方法。 该方法包括将衬底暴露于还原气体，同时将衬底暴露于羰基金属前体气体的脉冲。 进行该过程，直到在基底上形成具有所需厚度的金属层。 金属层可以形成在基板上，或者可以在金属成核层上形成金属层。
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公开(公告)号：KR1020030019613A
公开(公告)日：2003-03-06
申请号：KR1020037001072
申请日：2001-07-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28568 , C23C16/02 , C23C16/0218 , C23C16/14 , H01L21/28518
Abstract: 본 발명에 의한 성막방법에서는, 우선 처리용기내에 기판(10)을 배치해서 히트업공정을 행한다. 다음에, 처리용기내에 SiH
4 가스 등의 Si함유가스를 공급해서 기판에 전처리공정으로서의 이니시에이션공정을 행한다(ST2). 다음에, 처리용기내에 성막가스를 공급해서 성막공정을 행한다(ST3). 이니시에이션공정(ST2)을 Si함유가스 분압을 50Pa 이상(히트업공정을 행하지 않는 경우는 100Pa 이상)으로 해서 행하는 것으로, 양호한 표면상태의 막을 안정적으로 제조할 수 있도록 한다.-
公开(公告)号：KR1020010007385A
公开(公告)日：2001-01-26
申请号：KR1020000032871
申请日：2000-06-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G01N21/00
CPC classification number: H01L21/67253 , G01N1/24 , G01N15/06 , G01N2015/0693
Abstract: PURPOSE: A particle measure device and a method the same are provided to grasp a situation of particle generation with high correlation by counting the particle discharged from a process chamber. CONSTITUTION: An atmosphere is discharged from a process chamber(48) by a vacuum pump(98). A laser beam inspection unit inspects a laser beam in a discharge tube(90) to follow a segment which connects a central axis passing through the center of the process chamber(48) in up-and-down direction with a cross section central point of the discharge tube(90). A scattering light detection unit is prepared in a direction perpendicular to the direction of the laser beam inspection, and detects a scattering light from a particle.
Abstract translation: 目的：提供粒子测量装置及其方法，通过对从处理室排出的颗粒进行计数来掌握具有高相关性的颗粒产生的情况。 构成：通过真空泵（98）从处理室（48）排出气氛。 激光束检查单元检查放电管（90）中的激光束以沿着上下方向连接通过处理室（48）的中心的中心轴线的部分， 放电管（90）。 在与激光束检查的方向垂直的方向上制备散射光检测单元，并且检测来自颗粒的散射光。
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