公开(公告)号：KR1020090009962A

公开(公告)日：2009-01-23

申请号：KR1020087029964

申请日：2007-06-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 마츠모토겐지 ,  고이케주니치 ,  네이시고지

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: In a film forming method, a subject to be processed is transferred into a processing chamber which can be vacuumized. At least a transition metal containing material gas including a transition metal and a reducing gas are supplied into a processing container, and the subject to be processed is heated. Then, a thin film is formed in a recessed portion on the surface of the subject by heat treatment. Thus, the recessed portion on the surface of the subject can be filled with a copper film.

Abstract translation: 在成膜方法中，待处理对象被转移到可被抽真空的处理室中。 至少含有过渡金属的含有过渡金属和还原性气体的原料气体被供给到处理容器中，对被加工物进行加热。 然后，通过热处理在被检体的表面的凹部中形成薄膜。 因此，可以用铜膜填充被检体表面上的凹部。

公开(公告)号：KR100753695B1

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：KR1020057018976

申请日：2004-04-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67248

Abstract: 본 발명은, 진공배기 가능한 처리용기내의 탑재대의 상면에 대향하도록 마련된 샤워헤드부와, 상기 처리용기내에 처리가스를 분사하기 위해서 상기 샤워헤드부의 하면에서 개구하는 복수의 가스분사구멍과, 상기 탑재대의 상면에 대향하도록 상기 샤워헤드부의 하면에서 개구하는 온도관측용 관통공과, 상기 온도관측용 관통공의 상단부를 기밀하게 밀봉하는 투명관측창과, 상기 투명관측창의 상면측에 마련된 방사온도계와, 상기 온도관측용 관통공에 연통하여, 상기 투명관측창에의 막의 부착을 방지하는 부착방지가스를 상기 온도관측용 관통공내에 공급하기 위한 부착방지가스 공급통로를 구비하고, 상기 부착방지가스 공급통로는, 상기 투명관측창을 향해서 상기 부착방지가스를 분사하는 분사노즐부를 거쳐서, 상기 온도관측용 관통공에 연통하고 있는 것을 특징으로 하는 샤워헤드구조이다.

公开(公告)号：KR1020160111333A

公开(公告)日：2016-09-26

申请号：KR1020160029686

申请日：2016-03-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이시자카다다히로 ,  창펑 ,  요코야마오사무 ,  사쿠마다카시 ,  나가이히로유키

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: MnO막위에양호한표면상태의 Ru막을양호한성막성으로연속막으로서성막할수 있어서, 양호한매립성으로 Cu를매립한다. 표면에소정패턴의오목부(203)가형성된층간절연막(202)을갖는기판(W)에대해, 오목부(203)를매립하는 Cu 배선을제조할때에, MnO막(205)을 ALD에의해형성하는공정과, MnO막의표면에수소라디칼처리를실시하는공정과, 수소라디칼처리후의 MnO막의표면에 Ru막(206)을 CVD에의해형성하는공정과, Cu계막(207)을 PVD에의해형성하여오목부(203) 내에 Cu계막(207)을매립하는공정을구비하고, Ru막(206)을성막할때에, 핵형성이촉진되며, 또한표면평활성이높은상태로 Ru막(206)이성막되도록, MnO막(205)의성막조건및 수소라디칼처리의조건을규정한다.

Abstract translation: 本发明提供一种制造铜布线的方法，通过良好的成膜性能在MnO_x膜上形成具有良好表面状态的Ru膜作为连续膜，能够通过良好的掩埋性能掩埋Cu。 当Cu布线相对于具有层间绝缘膜（202）的衬底（W）埋入凹部（203），其中在表面上形成预定图案的凹部（203）时，该方法包括： 通过原子层沉积（ALD）形成MnO_x膜（205）; 在所述MnO_x膜（205）的表面上进行氢自由基处理的工序; 在氢自由基处理之后通过化学气相沉积（CVD）在MnO_x膜的表面上形成Ru膜（206）的工艺; 以及通过物理气相沉积（PVD）形成Cu基膜（207）以将Cu基膜（207）埋入凹部（203）中的工艺。 当形成Ru膜（206）时，限定MnO_x膜（205）的成膜条件和氢自由基加工条件，以促进核形成，并在高表面光滑度的状态下形成Ru膜（206）。

公开(公告)号：KR101399814B1

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：KR1020117030618

申请日：2010-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 마츠모토겐지 ,  이토히토시 ,  미요시히데노리 ,  호사카시게토시 ,  사토히로시 ,  네이시고지 ,  고이케주니치

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76867

Abstract: 오목부(2)를 갖는 low-k막으로 이루어지는 절연층(122)이 표면에 형성된 피처리체(W)에 Mn을 포함하는 박막을 형성하는 성막 방법에 있어서, 절연층의 표면에 친수화 처리를 실시해서 친수성의 표면으로 하는 친수화 공정과, 친수화 처리가 실행된 절연층의 표면에 Mn함유 원료를 이용해서 성막 처리를 실시하는 것에 의해 Mn을 포함하는 박막을 형성하는 박막 형성 공정을 갖는다. 이것에 의해, 비유전율이 낮은 low-k막으로 이루어지는 절연층의 표면에 Mn을 포함하는 박막, 예를 들면, MnOx를 효율적으로 형성한다.

公开(公告)号：KR101171587B1

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：KR1020107018727

申请日：2009-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토히로시 ,  이토히토시 ,  마츠모토겐지

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 기판 표면에 형성된 층간 절연막에, 하층측 도전로에 전기적으로 접속되는 구리를 주성분으로 하는 상층측 도전로를 매립하기 위한 오목부를 형성하는 공정과, 망간의 유기 화합물을 함유하는 가스를 공급하여, 층간 절연막의 노출면을 덮도록, 상기 층간 절연막으로의 구리의 확산을 억제하기 위한 망간의 화합물로 이루어진 배리어층을 형성하는 공정과, 상기 배리어층을 형성한 후, 배리어층을 구성하는 망간의 화합물 중의 망간의 비율을 높이기 위해 그 배리어층에 유기산을 공급하는 공정과, 유기산 공급 공정후, 상기 배리어층의 표면에 구리를 주성분으로 하는 시드층을 형성하는 공정과, 시드층 형성 공정후, 배리어층의 표면 또는 층 속의 망간을 시드층의 표면에 석출시키기 위해 상기 기판을 가열 처리하는 공정과, 가열에 의해 시 드층의 표면에 석출된 망간을 제거하기 위해 그 시드층에 세정액을 공급하는 공정과, 세정액 공급 공정후, 구리를 주성분으로 하는 상층측 도전로를 상기 오목부 내에 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020070083473A

公开(公告)日：2007-08-24

申请号：KR1020077002281

申请日：2006-06-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지 ,  나스마사유키 ,  사코다도모유키

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C30B25/02 ,  C30B29/32 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02271 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  G11C11/5685

Abstract: Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device comprising a step for forming a PbTiOx film, which mainly has a (111) orientation and a film thickness of more than 2 nm, as a nucleation layer on a lower electrode by MOCVD; and a step for forming a PZT film mainly having a (111) orientation on the nucleation layer. In this method, the step for forming the PbTiOx film is carried out under an oxygen partial pressure of less than 340 Pa.

Abstract translation: 公开了一种用于制造半导体器件的方法，其包括通过MOCVD在下电极上形成主要具有（111）取向和大于2nm的膜厚度的PbTiOx膜作为成核层的步骤; 以及在成核层上形成主要具有（111）取向的PZT膜的工序。 在该方法中，形成PbTiOx膜的工序在低于340Pa的氧分压下进行。

公开(公告)号：KR1020060002940A

公开(公告)日：2006-01-09

申请号：KR1020057018976

申请日：2004-04-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67248

Abstract: A shower head structure characterized by comprising a shower head section opposed to the upper surface of a table in an evacuable treating vessel, a plurality of gas spout holes which open in the lower surface of the shower head for spouting a treating gas into the treating vessel, a temperature observation through-hole which opens in the lower surface of the shower head so as to be opposed to the upper surface of the table, a transparent observation window which hermetically seals the upper end of the temperature observation through- hole, a radiation thermometer disposed on the upper surface of the transparent observation window, an adhesion preventive gas supply path communicating with the temperature observation through-hole for supplying an adhesion preventive gas into the temperature observation through-hole to prevent a film from adhering to the transparent observation window, wherein the adhesion preventive gas supply path communicates with the temperature observation through-hole through a spout nozzle for spouting the adhesion preventive gas to the transparent observation window.

Abstract translation: 一种淋浴喷头结构，其特征在于包括与可排气处理容器中的工作台的上表面相对的喷淋头部分，多个气体喷口，其在淋浴喷头的下表面中开口，用于将处理气体喷射到处理容器 ，在喷头的下表面上开口以与台面上表面相对的温度观察通孔，密封温度观察通孔上端的透明观察窗，辐射 布置在透明观察窗的上表面上的温度计，与用于向温度观察通孔供应防粘气体的温度观察通孔连通的防粘气供给路径，以防止膜粘附到透明观察窗 其中，所述粘合防止气体供给路径与所述温度观测通过-h连通 通过喷嘴喷嘴将粘附防止气体喷射到透明观察窗。

公开(公告)号：KR100334987B1

公开(公告)日：2002-05-03

申请号：KR1020000034127

申请日：2000-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지 ,  신리키히로시

IPC: C23C16/00

Abstract: 금속 유기물 화학 증착 방법에 있어서, 하나 이상의 원료 용기로부터 공급되는 유기금속 원료의 기체의 몰수(number of moles)로 변환될 수 있는 파라미터(parameter)를 감지한다. 상기 파라미터가 반응기 내의 기재 상에 유기금속 원료를 구성하는 금속의 박막을 형성하는 데 필요한 최소값보다 작게 되는 경우 상기 원료 용기에 함유된 원료를 가열한다. 유기금속 원료의 기체는 반응기로 정량으로 공급되고, 이에 의하여 기재 상에 박막을 형성한다. 금속 유기물 화학 증착 장치도 또한 개시되어 있다.

公开(公告)号：KR1020170089774A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：KR1020170012029

申请日：2017-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76886 ,  C23C14/025 ,  C23C16/408 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/56 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238

Abstract: 본발명의과제는배리어막으로서 MnOx 막을이용했을경우에그 위의라이너막의배선저항에의영향을억제할수 있어, 배선저항이낮은 Cu 배선을얻는것이다. 해결수단으로서, 기판(W)에대하여 Cu 배선(210)을제조하는 Cu 배선의제조방법은, 적어도오목부(203)의표면에, 층간절연막(202)과의반응으로자기형성배리어막이되는 MnOx 막(205)을 ALD에의해형성하는공정과, MnOx 막(205) 표면에 CuOx 막(206)을 CVD 또는 ALD에의해형성하는공정과, 그후, CuOx 막(206)이형성된기판(W)에대하여어닐링처리를실시하고, MnOx 막(205)과 CuOx 막(206) 사이에서산화환원반응을생기게하여, CuOx 막(206)을 Cu 막(207)으로환원하는공정과, 오목부(203) 내에 Cu계막(208)을매립하는공정을갖는다.

Abstract translation: 本发明的目的是，能够抑制衬垫膜的位置的影响，在使用膜作为阻挡膜的MnO x的情况下的布线电阻，布线电阻，以获得低Cu布线。 作为一种解决方案，从而产生用于相对于产生的Cu布线210到基板（W）的Cu布线的方法是，至少在凹部203的表面上，层间绝缘膜（202）的MnO x形成阻挡到膜响应磁性的和 的MnO x膜在其上表面205的CuOx膜206的步骤是通过在ALD工艺的膜205，此后，的CuOx膜206释放衬底（W）形成，通过CVD或ALD形成 通过使间，所述的CuOx层206和减少Cu膜207的工序中，所述凹部203对氧化还原反应在实施例中和，的MnO x膜205和的CuOx膜206的退火处理 以及嵌入Cu膜208的步骤。

公开(公告)号：KR1020130113351A

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：KR1020127034196

申请日：2011-06-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토겐지 ,  호사카시게토시 ,  이토히토시

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C14/04

CPC classification number: B05D5/12 ,  C23C16/40 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L21/76876 ,  C23C14/046 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02554 ,  H01L2924/00

Abstract: 절연층이 표면에 형성된 피처리체에 대하여 성막 처리를 실시하는 성막 방법에 있어서, 제 1 금속으로 이루어지는 제 1 박막을 형성하는 제 1 박막 형성 공정과, 상기 제 1 박막을 산화하여 산화막을 형성하는 산화 공정과, 상기 산화막 위에 제 2 금속을 포함하는 제 2 박막을 형성하는 제 2 박막 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 성막 방법이다.