公开(公告)号：KR101220697B1

公开(公告)日：2013-01-21

申请号：KR1020117020835

申请日：2010-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠이히데후미 ,  모리야츠요시 ,  니시무라에이치 ,  가와구치신이치 ,  야마와쿠준 ,  미야우치구니오

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02101 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109

Abstract: 간단한 장치 구성에서 실시 가능하고, 미세 패턴이 형성되어 있는 기판을 그 미세 패턴에 악영향을 주는 일 없이 단시간에 세정하기 위한 기판 세정 방법을 제공한다. 웨이퍼 W의 표면에 소정의 가공을 실시하는 처리 챔버로부터 웨이퍼 W의 세정을 실행하는 세정 챔버에 웨이퍼 W를 반송하고, 세정 챔버내에 있어 웨이퍼 W를 소정 온도로 냉각하고, 초유동체로서의 초유동 헬륨을 웨이퍼 W의 표면에 공급하고, 웨이퍼 W의 표면으로부터 초유동 헬륨을 유출하는 것에 의해서 미세 패턴내의 오염 성분을 흘러가게 한다.

公开(公告)号：KR1020120132546A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：KR1020127026433

申请日：2011-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이와타니 산교 가부시키가이샤

Inventor： 호시노사토히코 ,  마츠이히데후미 ,  나루시마마사키

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C14/046 ,  C23C14/221 ,  C23C16/0281 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 진공 상태로 유지된 처리 용기 내에서, 배선용 패턴이 형성된 기판을 배선하는 방법으로서, 기판 상의 배선용 패턴을 소망하는 클리닝 가스에 의해 세정하는 전공정과, 전공정 후, 클러스터화된 금속 가스를 이용하여 상기 배선용 패턴 내에 금속 나노 입자를 매립하는 매립 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 배선 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020120125546A

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：KR1020127024425

申请日：2011-02-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이와타니 산교 가부시키가이샤

Inventor： 마츠이히데후미 ,  모리야츠요시 ,  나루시마마사키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02057 ,  B08B5/02 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/67028

Abstract: 이물이 부착되고 저압의 분위기 중에 배치되는 기판을 향해 상기 저압의 분위기보다 고압의 가스를 분무해서 복수의 가스 분자로 이루어지는 클러스터를 형성하고, 해당 클러스터를 이온화하는 일 없이 상기 기판에 충돌시키는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR101163913B1

公开(公告)日：2012-07-09

申请号：KR1020100086414

申请日：2010-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  마츠이히데후미 ,  시오야마사히로

IPC: H01L21/02

Abstract: 기판으로부터 제조되는 반도체 디바이스의 양품률이 높은 상태에서 소정의 처리를 개시할 수 있는 처리 개시 가부 판정 방법을 제공한다. 웨이퍼 W를 수용하는 챔버(11)와, 상기 챔버(11)를 배기하는 배기계(14)를 구비하는 기판 처리 장치(10)에서, 챔버(11)의 구성 부품의 클리닝 후, 반도체 디바이스의 제조를 위한 플라즈마 에칭 처리보다 고온의 분위기 및 저압의 분위기 중 적어도 어느 한쪽의 분위기의 시즈닝 처리를 소정의 회수만큼 반복하여 실행하고, 배기계(14)의 애벌 배기 라인(15)내를 흐르는 파티클의 수를 계측하고, 상기 계측된 파티클 수의 시간 경과에 따르는 변동 정도를 감시하고, 상기 감시되어 있는 파티클 수의 감소 정도가 변화했을 때에, 플라즈마 에칭 처리를 개시 가능하다고 판정한다.

公开(公告)号：KR1020100047166A

公开(公告)日：2010-05-07

申请号：KR1020090102320

申请日：2009-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠이히데후미 ,  모리야츠요시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B08B7/0071 ,  B08B7/0064 ,  B08B7/02 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67115

Abstract: PURPOSE: A method and a device for cleaning a substrate are provided to prevent a pattern collapse due to a vapor-liquid interfacial tension by removing foreign materials on the surface of the substrate. CONSTITUTION: A substrate is heated. Foreign materials are stripped from the surface of the substrate. The foreign materials are separated from the surface of the substrate. The foreign materials separated from the surface of the substrate are collected. A foreign material collector(13) faces the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁基底的方法和装置，以通过去除基底表面上的异物来防止由于气 - 液界面张力引起的图案塌陷。 构成：将基材加热。 异物从基片的表面剥离。 异物与基片的表面分离。 收集与基板表面分离的异物。 异物收集器（13）面向衬底。

公开(公告)号：KR101419632B1

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：KR1020127026373

申请日：2011-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이와타니 산교 가부시키가이샤

Inventor： 호시노사토히코 ,  마츠이히데후미 ,  나루시마마사키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814

Abstract: 패턴의 형상을 유지한 상태에서 패턴의 바닥부까지 세정 가능한 세정 방법을 제공한다.
진공 상태로 유지된 처리용기(100)내에서, 웨이퍼(W)상의 막에 소정의 패턴을 형성하는 웨이퍼(W)의 세정 방법은 에칭 처리에 의해 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼(W)상의 막을 원하는 클리닝 가스에 의해 세정하는 공정과(전 공정), 전 공정 후, 산화성 가스에 의해 패턴 표면의 잔사를 산화시키는 공정과(산화 공정), 상기 산화된 잔사를 환원성 가스에 의해 환원시키는 공정(환원 공정)을 포함한다. 산화 공정과 환원 공정은 연속해서 실행한다(연속 공정). 전 공정 및 연속 공정에 이용되는 가스는 내부압력(P
s )이 처리용기(100)의 내부압력(P
0 )보다 고압으로 유지된 가스 노즐(110)로부터 처리용기(100)내로 방출되는 것에 의해 클러스터화된다.

公开(公告)号：KR101393747B1

公开(公告)日：2014-05-12

申请号：KR1020127026433

申请日：2011-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  이와타니 산교 가부시키가이샤

Inventor： 호시노사토히코 ,  마츠이히데후미 ,  나루시마마사키

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C14/046 ,  C23C14/221 ,  C23C16/0281 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 진공 상태로 유지된 처리 용기 내에서, 배선용 패턴이 형성된 기판을 배선하는 방법으로서, 기판 상의 배선용 패턴을 소망하는 클리닝 가스에 의해 세정하는 전공정과, 전공정 후, 클러스터화된 금속 가스를 이용하여 상기 배선용 패턴 내에 금속 나노 입자를 매립하는 매립 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 배선 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020110117699A

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：KR1020117020835

申请日：2010-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠이히데후미 ,  모리야츠요시 ,  니시무라에이치 ,  가와구치신이치 ,  야마와쿠준 ,  미야우치구니오

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02101 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109

Abstract: 간단한 장치 구성에서 실시 가능하고, 미세 패턴이 형성되어 있는 기판을 그 미세 패턴에 악영향을 주는 일 없이 단시간에 세정하기 위한 기판 세정 방법을 제공한다. 웨이퍼 W의 표면에 소정의 가공을 실시하는 처리 챔버로부터 웨이퍼 W의 세정을 실행하는 세정 챔버에 웨이퍼 W를 반송하고, 세정 챔버내에 있어 웨이퍼 W를 소정 온도로 냉각하고, 초유동체로서의 초유동 헬륨을 웨이퍼 W의 표면에 공급하고, 웨이퍼 W의 표면으로부터 초유동 헬륨을 유출하는 것에 의해서 미세 패턴내의 오염 성분을 흘러가게 한다.

公开(公告)号：KR1020100047165A

公开(公告)日：2010-05-07

申请号：KR1020090102313

申请日：2009-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠이히데후미 ,  모리야츠요시 ,  나가야마노부유키

IPC: H01L21/00

CPC classification number: B08B7/04 ,  B08B5/04 ,  B08B6/00 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412

Abstract: PURPOSE: A vacuum exhaust method and a substrate processing device therefore are provided to prevent foreign materials from being attached on the surface of the mount stand by absorbing and removing at least one of out-gasses and foreign materials. CONSTITUTION: The surface of the mount stand is covered with a protection unit. A vacuum chamber(11) is hermetically sealed. A vacuum process chamber is decompressed. At least one of out-gasses or foreign materials is absorbed with a protection unit(25).

Abstract translation: 目的：提供一种真空排气法和基板处理装置，以通过吸收和去除至少一种排气和异物来防止异物附着在安装台的表面上。 规定：安装支架的表面覆盖有保护单元。 真空室（11）被密封。 真空处理室被减压。 至少一个外界气体或异物被保护单元（25）吸收。

公开(公告)号：KR100573618B1

公开(公告)日：2006-04-24

申请号：KR1020000079344

申请日：2000-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카타노타카유키 ,  마츠이히데후미 ,  키타노준이치 ,  스즈키요 ,  야마시타마사미 ,  아오야마토루 ,  이와키히로유키 ,  시무라사토루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67178 ,  B05C11/08 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67754

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치로서, 레지스트의 도포 등을 하는 처리스테이션 내에, 현상유닛과 도포유닛과 복수의 냉각플레이트를 배치하고, 기판반송장치에 의해 이들 사이에서 웨이퍼의 반송을 한다. 웨이퍼가 반송되는 영역의 온도를 온도검출기에 의해 검출하고, 이 검출값에 의거하여 도포유닛에 반송되어졌을 때의 웨이퍼 온도가 처리액의 도포온도가 되도록, 냉각플레이트에서 냉각되는 웨이퍼의 온도를 조정한다. 이것에 의해, 웨이퍼는 온도를 높은 정도로 유지한 상태에서 도포유닛으로 반송되고, 레지스트액이 도포되기 때문에, 온도변화가 원인이 되는 처리얼룩의 발생을 억제할 수 있고, 처리의 균일성 향상을 도모할 수 있다.