公开(公告)号：KR1020160112988A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：KR1020160030971

申请日：2016-03-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오사다유키 ,  미야시타히로유키

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32311 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32256 ,  H01J37/32972

Abstract: 마이크로파에의해챔버내에플라즈마를생성하여플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치에있어서임피던스정합을행할시 플라즈마의실화또는불안정동작을억제한다. 튜너(43)는, 급전된마이크로파를평면슬롯안테나(101)로전송하는동축구조의마이크로파전송로(51)와, 마이크로파전송로(51)를따라이동가능한유전체로이루어지는슬러그(61a, 61b)와, 슬러그(61a, 61b)를마이크로파전송로(51)를따라이동시키는슬러그구동부(70)와, 슬러그(61a, 61b)의위치가, 반사계수가작은정합포지션이되도록, 이들의위치를제어하여임피던스정합하고, 또한플라즈마의상태에기초하여, 슬러그(61a, 61b)의정합포지션에이르는이동경로인정합궤도를제어하는제어부(80)를구비한다.

Abstract translation: 用于通过使用微波在室中产生等离子体来执行等离子体处理的等离子体处理装置在进行阻抗匹配时抑制等离子体的发火不稳定或不稳定的动作。 调谐器（43）包括：具有用于将提供的微波发射到平面缝隙天线（101）的同轴结构的微波传输路径（51）; 由沿着微波传输路径（51）移动的电介质材料形成的s子（61a，61b）; 用于沿着微波传输路径（51）移动块塞（61a，61b）的块塞驱动单元（70）; 以及控制单元（80），用于控制位于反射系数较小的匹配位置处的块状物（61a，61b）的位置，从而进行阻抗匹配，并且控制用作移动路径的匹配轨迹 基于等离子体的状态达到s塞（61a，61b）的匹配位置。

公开(公告)号：KR101156944B1

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：KR1020107016874

申请日：2009-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  미야시타히로유키 ,  스즈키도모히로 ,  요네다마사타케 ,  오오야가즈히로

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 등에 대해 어닐을 실행하는 어닐 장치에 관한 것이다．본 발명에 따르면, 웨이퍼 W의 면을 향하도록 마련되며, 웨이퍼에 대하여 광을 조사하는 복수의 LED (33)을 가지는 가열원 (17a, 17b)과 발광소자 (33)로부터의 광을 투과하는 광투과부재 (18a, 18b)와, 가열원에 직접 접촉하도록 마련된 Al로 구성된 냉각부재 (4a,4b)를 가지며, 상기 가열원(17a, 17b)은 표면에 상기 복수의 발광 소자를 은 페이스트 (56)에 의해 부착된 AlN로 이루어지는 지지체(32)와, 상기 지지체(32)의 이면측에 땝납 57에 의해 접합된 Cu제의 열확산 부재를 포함하고, 이들을 유닛화하여 구성된 복수개의 발광 소자 어레이를 구비하고, 상기 발광 소자 어레이는 실리콘 그리스를 거쳐서 상기 냉각 부재에 고정되어 있는 어닐 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020100105751A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：KR1020107016874

申请日：2009-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  미야시타히로유키 ,  스즈키도모히로 ,  요네다마사타케 ,  오오야가즈히로

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 등에 대해 어닐을 실행하는 어닐 장치에 관한 것이다．본 발명에 따르면, 웨이퍼 W의 면을 향하도록 마련되며, 웨이퍼에 대하여 광을 조사하는 복수의 LED (33)을 가지는 가열원 (17a, 17b)과 발광소자 (33)로부터의 광을 투과하는 광투과부재 (18a, 18b)와, 가열원에 직접 접촉하도록 마련된 Al로 구성된 냉각부재 (4a,4b)를 가지며, 상기 가열원(17a, 17b)은 표면에 상기 복수의 발광 소자를 은 페이스트 (56)에 의해 부착된 AlN로 이루어지는 지지체(32)와, 상기 지지체(32)의 이면측에 땝납 57에 의해 접합된 Cu제의 열확산 부재를 포함하고, 이들을 유닛화하여 구성된 복수개의 발광 소자 어레이를 구비하고, 상기 발광 소자 어레이는 실리콘 그리스를 거쳐서 상기 냉각 부재에 고정되어 있는 어닐 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR100887445B1

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：KR1020077014619

申请日：2006-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  미야시타히로유키 ,  군지이사오

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/10

Abstract: 기판 처리 방법은, 미리 피처리 기판의 적외선 흡수율 또는 적외선 투과율을 측정하여, 그 측정값에 따라서, 적어도, 피처리 기판의 중앙부의 제 1 영역과, 그 외측의 제 2 영역에 대하여, 제 1 영역과 상기 제 2 영역에 대응하여 서로 독립적으로 제어 가능하게 마련된 온도 조절 수단에 의해 독립하여 온도 조절을 하면서 피처리 기판을 처리한다.

公开(公告)号：KR100839679B1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：KR1020087002453

申请日：2002-02-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  미야시타히로유키

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67115

Abstract: 본 발명은 진공 흡인 가능한 처리 용기 내에 설치된 탑재대에 피처리체를 탑재하는 탑재 공정과, 상기 피처리체를 소정의 온도까지 온도를 높이는 승온 공정을 구비한 열 처리 방법에 관한 것이다. 상기 승온 공정의 적어도 일부에서, 상기 피처리체는 상기 피처리체의 중앙부의 온도가 높고 주연부의 온도가 낮은 온도 분포가 유지된 상태로 승온되도록 이루어져 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种安装工序中，和用于安装在安装在一个热处理方法包括加热步骤，以增加温度至预定温度的可用真空处理槽的载置台的工件要处理的对象。 至少在加热步骤的至少一部分，是由将被处理的物体被提升到状态，较低的温度曲线周边的温度高时，物体的中心部分的温度被保持。

公开(公告)号：KR100310544B1

公开(公告)日：2001-12-15

申请号：KR1019970045587

申请日：1997-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  미야시타히로유키

IPC: G05D23/19

Abstract: 본 발명에 따른 자동제어장치는, 제어대상(2)의 제어량이 소정의 목표치로 되도록 제어대상(2)의 제어량을 최적 레귤레이터(4)에 의해 제어한다. 이 자동제어장치는, 이득을 설정하기 위한 이득설정부(48)와, 상기 목표치와 상기 제어대상의 제어량을 비교하기 위한 비교부(52) 및, 이 비교부에서 얻어진 차분이 상기 목표치의 소정의 비율의 범위내에 들어간 것에 응답하여 상기 이득설정부의 이득에 소정의 시간내에서 0∼1까지 증가하는 중량부가를 행하여 보정 조작량을 출력하기 위한 중량제어부(50)를 구비하여 구성되고, 이 보정 조작량을 상기 최적 레귤레이터에 의해 구한 조작량에 가산한다. 이에 따라, 한정된 범위내에서만 이득을 점차 크게 한 제어를 행하여 고속으로 고정밀도의 제어를 가능하게 한다.

公开(公告)号：KR101504850B1

公开(公告)日：2015-03-20

申请号：KR1020137007756

申请日：2011-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다다로 ,  오사다유키 ,  가사이시게루 ,  미야시타히로유키

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J23/005 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32256 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 마이크로파 도입 기구(41)는 마이크로파를 챔버 내에 방사하는 평면 안테나(81)를 갖는 안테나부(80)와, 임피던스 정합시키기 위한 튜너(60)와, 안테나부(80)의 열을 방열하기 위한 방열 기구(90)를 구비하고, 튜너(60)는 통 형상을 이루는 외측 도체(52)와 내측 도체(53)를 갖고 마이크로파 전송로의 일부로 되는 본체(51)와, 외측 도체(52)와 내측 도체(53) 사이에 이동 가능하게 마련된 슬러그(61a, 61b)와, 슬러그를 이동시키는 슬러그 구동부(70)를 갖고, 방열 기구(90)는 입열단이 안테나부(80)에 위치하고, 안테나부(80)의 열을 입열단으로부터 방열단으로 전송하는 히트 파이프(91)와, 방열단에 마련된 방열부(92)를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020140117630A

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：KR1020147023798

申请日：2012-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다다로 ,  미야시타히로유키 ,  오사다유키 ,  후지노유타카 ,  고마츠도모히토

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/24 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32266 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4615 ,  H05H2001/4622 ,  H05H2001/463 ,  H01J37/3244

Abstract: 마이크로파 방사 기구(43)는, 마이크로파를 전송하는 전송로(44)와, 마이크로파 전송로(44)를 통해 전송되어 온 마이크로파를 챔버(1) 내에 방사하는 안테나부(45)를 갖고, 안테나부(45)는, 마이크로파를 방사하는 슬롯(131)이 형성된 안테나(81)와, 안테나(81)로부터 방사된 마이크로파를 투과시키고, 그 표면에 표면파가 형성되는 유전체 부재(110b)를 갖고, 또한, 적어도 슬롯(131) 내벽 및 유전체 부재(110b)의 표면 및 내부를 포함하는, 표면 전류 및 변위 전류가 흐르는 폐회로(C)를 갖고, 폐회로(C)의 길이가, 마이크로파의 파장을 λ
0 으로 한 경우에, nλ
0 ±δ(n은 양의 정수, δ는 미세 조정 성분(0을 포함한다)이다)가 되도록 한다.

Abstract translation: 微波发射机构包括：传输微波的传输路径; 以及天线部分，其将通过传输路径传输的微波发射到室中。 天线部分包括具有微波发射的狭缝的天线，从天线发射的微波穿过的电介质构件和表面电流和位移电流的闭合电路。 表面波形成在电介质构件的表面中。 闭路至少具有：槽的内壁; 以及电介质构件的表面和内部。 当微波的波长为λ0时，闭路电路的长度为nλ0±δ，其中n为正整数，δ为包括0的微调组件。

公开(公告)号：KR101168827B1

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：KR1020117016768

申请日：2008-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  스즈키도모히로 ,  다나카스미 ,  요네다마사타케 ,  미야시타히로유키

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: Disclosed is an annealing device that includes a processing chamber into which a wafer is received, a heating source having a plurality of light emitting diodes (LEDs) for emitting a light toward the wafer, which faces the surface of the wafer, and a light transmissive member provided corresponding to the heating source, into which the light from the light emitting elements is transmitted. The heating source has the light emitting elements attached on a support toward the wafer. Each of the light emitting elements is individually covered with a lens layer made of a transparent resin.

公开(公告)号：KR101059314B1

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：KR1020097004654

申请日：2007-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  미야시타히로유키 ,  요네다마사타케 ,  스즈키도모히로 ,  다나카스미 ,  노무라마사미치 ,  시미즈미와

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: Provided is an annealing apparatus, which is free from a problem of reduced light energy efficiency resulted by the reduction of light emission amount due to a heat generation and capable of maintaining stable performance. The apparatus includes: a processing chamber 1 for accommodating a wafer W; heating sources 17a and 17b including LEDs 33 and facing the surface of the wafer W to irradiate light on the wafer W; light-transmitting members 18a and 18b arranged in alignment with the heating sources 17a and 17b to transmit the light emitted from the LEDs 33; cooling members 4a and 4b supporting the light-transmitting members 18a and 18b at opposite side to the processing chamber 1 to make direct contact with the heating sources 17a and 17b and made of a material of high thermal conductivity; and a cooling mechanism for cooling the cooling members 4a and 4b with a coolant.

Abstract translation: 本发明提供一种退火装置，其不存在因发热引起的发光量减少而导致的光能量利用率降低，能够维持稳定的性能的问题。 该装置包括：用于容纳晶片W的处理室1; 加热源17a和17b，其包括LED33并面向晶片W的表面以向晶片W上照射光; 透光构件18a和18b，其与加热源17a和17b对齐地布置以透射从LED 33发射的光; 在处理容器1的相反侧支撑透光部件18a和18b以便与加热源17a和17b直接接触并由高热导率材料制成的冷却部件4a和4b; 以及用冷却剂冷却冷却构件4a和4b的冷却机构。