公开(公告)号：KR1020150143793A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：KR1020157032752

申请日：2014-04-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오 ,  벤트젝피터

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541

Abstract: 여기에서설명하는기술은플라즈마를생성하기위해사용하는전극의전역에걸쳐서균일한전자밀도를가진플라즈마를생성하기위한장치및 공정을포함한다. 용량결합형플라즈마시스템의상부전극은균일한플라즈마의생성을조력하도록구성된구조적특징을포함할수 있다. 그러한구조적특징은상기플라즈마에면하는표면에서의표면형상을규정한다. 그러한구조적특징은대략직사각형의단면을가지며상부전극의표면으로부터돌출하는동심링의집합을포함할수 있다. 그러한구조적특징은소정의단면크기및 형상을가진네스트된긴 돌기들을또한포함할수 있고, 상기돌기들의간격은시스템이균일밀도의플라즈마를생성하도록선택된다. 플라즈마균일성을유지하면서플라즈마로부터의부식을방지또는금지하기위해유전체부재가상기구조적특징위에배치될수 있다.

Abstract translation: 这里描述的技术包括用于在用于产生等离子体的整个电极上产生具有均匀电子密度的等离子体的设备和工艺。 电容耦合等离子体系统的顶部电极可以包括被配置为帮助产生均匀等离子体的结构特征。 这种结构特征限定了面向等离子体的表面处的表面形状。 这样的结构特征可以包括具有基本矩形横截面并且从上电极的表面突出的一组同心环。 这种结构特征还可以包括具有预定横截面尺寸和形状的嵌套细长突起，并且选择突起的间隔以产生系统均匀密度的等离子体。 电介质构件可以放置在结构特征上以防止或抑制来自等离子体的腐蚀，同时保持等离子体均匀性。

公开(公告)号：KR101385678B1

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：KR1020120108942

申请日：2012-09-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오

IPC: H05H1/34 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32422

Abstract: 플라즈마로부터 라디칼만을 확실히 선택적으로 통과시킬 수 있는 라디칼 선택 장치를 제공한다. 기판 처리 장치(10)의 챔버(11) 내에서, 재치대(12)에 재치된 웨이퍼(W) 및 플라즈마 제네레이터(13) 사이에 배치되는 라디칼 필터(14)는, 상부 실드 플레이트(17)와, 플라즈마 제네레이터(13)와의 사이에 상부 실드 플레이트(17)를 개재시키도록 배치되는 하부 실드 플레이트(18)를 구비하고, 상부 실드 플레이트(17)는 당해 상부 실드 플레이트(17)를 두께 방향으로 관통하는 복수의 상부 관통홀(17a)을 가지고, 하부 실드 플레이트(18)는 당해 하부 실드 플레이트(18)를 두께 방향으로 관통하는 복수의 하부 관통홀(18a)을 가지고, 상부 실드 플레이트(17)에는 음의 직류 전압이 인가되고, 하부 실드 플레이트(18)에는 양의 직류 전압이 인가된다.

公开(公告)号：KR101211897B1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：KR1020097012799

申请日：2007-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  로무 가부시키가이샤

Inventor： 모리사키에이스케 ,  고바야시히로카츠 ,  요시카와준 ,  사와다이쿠오 ,  기모토츠네노부 ,  가와모토노리아키 ,  아케타마사토시

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/481 ,  C23C16/325 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/66068

Abstract: 개시되는성막장치는내부에감압공간이유지되는처리용기와, 탄소를주성분으로하는재료에의해구성되고, 처리용기내에기판을유지하는기판유지부와, 처리용기의외측에배치되어, 기판유지부를유도가열하는코일과, 기판유지부를덮고, 처리용기로부터이격되도록배치되는단열재를구비한다. 상기의감압공간은성막가스가공급되는성막가스공급공간과, 기판유지부와처리용기사이에구획형성되는단열공간으로분리되고, 단열공간에냉각매체가공급된다.

Abstract translation: 公开了设置在处理容器的外侧，所述真空空间保持在其中的成膜装置中，通过碳材料构成作为主要成分，用于在处理容器单元，该处理容器中，将基板保持部保持的基板的支撑基板 感应加热用线圈;以及覆盖基板保持部并与处理容器分离配置的绝热材料。 减压空间由其中成膜气体供给空间，其中所述沉积气体供给的隔热空间隔开，所述基板保持部与所述处理容器之间形成的隔室中，冷却介质被供给到隔热空间。

公开(公告)号：KR101204211B1

公开(公告)日：2012-11-26

申请号：KR1020090082951

申请日：2009-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  이케다교코 ,  세가와스미에 ,  사와다이쿠오

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

Abstract: 성막 처리의 때에 파티클(particle)의 발생을 억제할 수 있을 뿐만 아니라, 종래의 클리닝 처리시보다도 높은 온도에서의 클리닝 처리가 가능해져, 그만큼 처리량(throughput)을 향상시킬 수 있는 성막 장치를 제공한다. 피처리체(W)의 표면에 박막을 형성하기 위한 성막 장치(12)에 있어서, 처리 용기(14)와, 그 위에 피처리체를 탑재하는 질화알루미늄제의 탑재대(62)와, 피처리체를 가열하기 위한 가열 수단(66)과, 탑재대에 대향시켜 탑재되고, 처리 용기 내로 필요한 가스를 도입하는 샤워 헤드부(18)와, 샤워 헤드부의 주변부에, 처리 용기 내의 클리닝 처리 후의 승온시에 불활성 가스를 공급하기 위한 헤드 주변부 가스 공급 수단(22)을 구비한다. 이것에 의해, 클리닝 처리시에 생성되어버린 AlF계 물질이 탑재대의 승온시에 파티클이 되어 비산하여도 이것이 대향하는 샤워 헤드부에 부착하지 않도록 한다.

公开(公告)号：KR1020120062896A

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：KR1020127009381

申请日：2010-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오 ,  강송윤 ,  마츠쿠마마사아키 ,  가사이시게루 ,  모리시마마사토

IPC: H01L21/205 ,  H01L31/04 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32633

Abstract: 기밀한 처리 용기(10)내에 반응 가스를 반응시켜 기판 S에 박막을 성막하는 성막 장치(1a)에 있어서, 간막이벽(41)은 기판(S)의 위쪽 공간을 플라즈마 생성 공간(401)과 배기 공간(402)으로 횡방향으로 분할하는 동시에, 처리 용기(10)의 천정부에서 아래쪽으로 신장하여 그 하단과 기판 S의 사이에, 플라즈마 생성 공간(401)으로부터 배기 공간(402)에 가스를 흘리는 간극을 형성한다. 활성화 기구(42, 43)는 플라즈마 생성 공간(401)에 공급된 제 1 반응 가스를 활성화하여 플라즈마를 생성한다. 제 2 반응 가스 공급부(411, 412)는 플라즈마 생성 공간(401)의 하부측에 제 1 반응 가스의 활성종과 반응하여 기판상에 박막을 성막하는 제 2 반응 가스를 공급하고, 진공 배기구(23)는 간막이벽(41)의 하단보다 높은 위치에서 배기 공간(402)을 배기한다.

公开(公告)号：KR1020090089876A

公开(公告)日：2009-08-24

申请号：KR1020097012799

申请日：2007-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  로무 가부시키가이샤

Inventor： 모리사키에이스케 ,  고바야시히로카츠 ,  요시카와준 ,  사와다이쿠오 ,  기모토츠네노부 ,  가와모토노리아키 ,  아케타마사토시

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/481 ,  C23C16/325 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/66068

Abstract: A film forming apparatus comprising a treating vessel in which a vacuum space is maintained; a substrate holding member for holding a substrate within the treating vessel, fabricated from a material composed mainly of carbon; a coil for induction heating of the substrate holding member, disposed outside the treating vessel; and a heat insulation material disposed so as to cover the substrate holding member and to be apart from the treating vessel. The vacuum space is divided into a film forming gas supply space in which a film forming gas is fed and a heat insulation space defined between the substrate holding member and the treating vessel. A refrigerant is fed into the heat insulation space. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 一种成膜设备，包括：其中维持真空空间的处理容器; 用于将基材保持在处理容器内的基板保持构件，由主要由碳组成的材料制成; 设置在处理容器外部的基板保持部件的感应加热用线圈; 以及隔热材料，其设置成覆盖基板保持构件并与处理容器分开。 真空空间被分成成膜气体供给空间，其中成膜气体被供给，隔热空间被限定在基板保持构件和处理容器之间。 制冷剂被供给到绝热空间。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR1020070053168A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：KR1020067027156

申请日：2005-06-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노고우이치 ,  고우사카히로유키 ,  이시바시기요타카 ,  사와다이쿠오

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H05H1/46

Abstract: 평면 안테나 부재(3)에 복수의 동심원으로 링 형상의 슬롯(300~304)을 형성하여, 중심부의 도체(310, 311)의 두께를 상대적으로 얇게 형성하고, 주변부의 도체(312~315)의 두께를 상대적으로 두껍게 형성함으로써, 슬롯(300~304)에 의해 마이크로파가 감쇠하지 않고 통과하기 쉽게 되어, 균일한 전계 분포가 얻어져 처리 공간 내에 평균적으로 균일한 고밀도의 플라즈마를 생기게 할 수 있기 때문에, 피처리체를 안테나 부재(3)에 가까이 할 수 있어, 피처리체를 고속으로 균일하게 처리하는 것이 가능하게 된다.

公开(公告)号：KR1020150086530A

公开(公告)日：2015-07-28

申请号：KR1020157016295

申请日：2013-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오

IPC: H01J1/46 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J1/46 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165

Abstract: 여기에서설명하는기술은플라즈마를생성하기위해사용하는전극의전역에걸쳐서균일한전자밀도를가진플라즈마를생성하기위한장치및 방법을포함한다. 용량결합형플라즈마시스템의상부전극(고온전극)은균일한플라즈마의생성을조력하도록구성된구조적특징을포함할수 있다. 그러한구조적특징은상기플라즈마에면하는표면에서의표면형상을규정한다. 그러한구조적특징은대략직사각형의단면형상을가지며상부전극의표면으로부터돌출하는동심링의집합을포함할수 있다. 그러한구조적특징은소정의단면크기및 형상을가진네스트된긴 돌기들을또한포함할수 있고, 상기돌기들간의간격은시스템이균일밀도의플라즈마를생성하도록선택된다.

公开(公告)号：KR101177194B1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：KR1020090100898

申请日：2009-10-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가세키스미에 ,  사와다이쿠오 ,  세키구치겐지

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 표면에 패턴이 형성된 반도체 장치용의 기판에 있어서의 패턴 쓰러짐을 방지하면서 높은 세정 효과를 얻을 수 있는 기판 세정 장치를 제공한다. 반도체 장치용의 기판(W)을 세정하는 기판 세정 장치(1)에 있어서, 기포 발생 수단(3)은 기판 보지 수단(6)에 보지된 기판(W)에 공급되는 세정액 중에, 양 또는 음 중 한쪽으로 대전하고, 또한 기포 직경이 10㎚ 이상 100㎛ 이하의 기포를 발생시키고, 분사 노즐(21)은 이 기포를 포함한 세정액을 분무용의 가스와 혼합해서 미립화하고, 기판(W)을 향해서 미스트를 분사함으로써 해당 기판(W)을 세정한다.

公开(公告)号：KR1020120023854A

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：KR1020127001102

申请日：2007-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  로무 가부시키가이샤

Inventor： 모리사키에이스케 ,  고바야시히로카츠 ,  요시카와준 ,  사와다이쿠오 ,  기모토츠네노부 ,  가와모토노리아키 ,  아케타마사토시

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/481 ,  C23C16/325 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L29/66068

Abstract: 개시되는 성막 장치는 내부에 감압 공간이 유지되는 처리 용기와, 탄소를 주성분으로 하는 재료에 의해 구성되고, 처리 용기 내에 기판을 유지하는 기판 유지부와, 처리 용기의 외측에 배치되어, 기판 유지부를 유도 가열하는 코일과, 기판 유지부를 덮고, 처리 용기로부터 이격되도록 배치되는 단열재를 구비한다. 상기의 감압 공간은 성막 가스가 공급되는 성막 가스 공급 공간과, 기판 유지부와 처리 용기 사이에 구획 형성되는 단열 공간으로 분리되고, 단열 공간에 냉각 매체가 공급된다.