公开(公告)号：KR1020100031720A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：KR1020107000195

申请日：2008-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시데츠로 ,  후지노유타카 ,  도시마히로유키 ,  구보아츠시 ,  강송윤 ,  벤트젝피터 ,  세가와스미에

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3145 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: A wafer is arranged in a chamber, a plasma generating space is formed in the chamber, and plasma processing is performed to the front surface of the wafer in a state where at least the front surface of the wafer is brought into contact with the plasma generating space. The plasma processing is performed by having the plasma generating space in contact with at least the outer circumference portion of the wafer rear surface.

Abstract translation: 将晶片布置在腔室中，在室中形成等离子体产生空间，并且在至少晶片的前表面与等离子体产生接触的状态下对晶片的前表面进行等离子体处理 空间。 等离子体处理通过使等离子体产生空间与晶片后表面的至少外周部分接触来进行。

公开(公告)号：KR101204211B1

公开(公告)日：2012-11-26

申请号：KR1020090082951

申请日：2009-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  이케다교코 ,  세가와스미에 ,  사와다이쿠오

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

Abstract: 성막 처리의 때에 파티클(particle)의 발생을 억제할 수 있을 뿐만 아니라, 종래의 클리닝 처리시보다도 높은 온도에서의 클리닝 처리가 가능해져, 그만큼 처리량(throughput)을 향상시킬 수 있는 성막 장치를 제공한다. 피처리체(W)의 표면에 박막을 형성하기 위한 성막 장치(12)에 있어서, 처리 용기(14)와, 그 위에 피처리체를 탑재하는 질화알루미늄제의 탑재대(62)와, 피처리체를 가열하기 위한 가열 수단(66)과, 탑재대에 대향시켜 탑재되고, 처리 용기 내로 필요한 가스를 도입하는 샤워 헤드부(18)와, 샤워 헤드부의 주변부에, 처리 용기 내의 클리닝 처리 후의 승온시에 불활성 가스를 공급하기 위한 헤드 주변부 가스 공급 수단(22)을 구비한다. 이것에 의해, 클리닝 처리시에 생성되어버린 AlF계 물질이 탑재대의 승온시에 파티클이 되어 비산하여도 이것이 대향하는 샤워 헤드부에 부착하지 않도록 한다.

公开(公告)号：KR100586386B1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：KR1020040028211

申请日：2004-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  야마자와요헤이 ,  고시미즈치시오 ,  마츠도다츠오 ,  세가와스미에

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/68 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/31116

Abstract: 본 발명의 플라즈마 전자 밀도 측정장치는 저전자 밀도 조건이나 고압력 조건하에서도 플라즈마중의 전자 밀도를 정확하게 측정한다.
이 플라즈마 전자 밀도 측정장치는, 측정부(54)에 벡터식의 네트워크 분석기(68)를 구비한다. 이 네트워크 분석기(68)에 의해 복소수 표시의 반사계수를 측정하여, 그 허수부의 주파수 특성을 취득하고, 계측 제어부(74)에 있어서 복소반사계수의 허수부가 제로 크로스하는 포인트의 공진 주파수를 판독하여, 공진 주파수로부터 전자 밀도의 측정값을 산출한다.

公开(公告)号：KR101028362B1

公开(公告)日：2011-04-11

申请号：KR1020100101478

申请日：2010-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다교코 ,  세가와스미에 ,  사와다이쿠오

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 원료 가스를 이용하여 기판에 열 CVD에 의해 금속 박막을 성막함에 있어서, 기판 사이에서 기판의 면내 온도 분포를 가지런히 하고, 이에 따라 기판 사이에서의 성막 처리의 격차를 억제하는 것을 과제로 한다. 이를 해결하기 위해서, 탑재대의 하부 측을 지지하고 있는 지지 부재로서, 처리 용기 내에 장착되기 전부터 그 외주면이 상기 금속 박막의 방사율과 동등한 방사율을 갖는 금속층으로 덮여져 있는 지지 부재를 이용한다. 이 때문에, 금속 박막의 성막 처리를 반복함으로써 탑재대의 지지 부재의 외주면에 금속 박막이 퇴적하더라도, 지지 부재의 외주면은, 원래 상기 금속 박막의 방사율과 동등한 방사율을 갖는 금속으로 덮여져 있기 때문에, 지지 부재의 방사율이 안정되어, 탑재대의 온도의 경시 변화가 억제된다.

Abstract translation: 本发明在于，根据作为成膜的金属薄膜的通过热CVD在衬底上通过使用原料气体，在基板的面内温度分布的基板之间对准的任务，从而沿着抑制在基板间的成膜过程中的变化 的。 为了解决这个问题，因为它支持在安装台下侧的支撑构件和所述外周面之前被安装在处理容器内的支撑部件中的用途是覆盖有具有相同的发射率和金属薄膜的发射率的金属层。 由于这个原因，就通过重复的金属薄膜的沉积工艺，即使在金属薄膜沉积在安装保持构件的外周表面，所述支承构件的外周表面覆盖有具有相同发射率作为金属薄膜的原始发射率，所述支撑构件的金属 安装台的放射率稳定，抑制安装台的温度随时间的变化。

公开(公告)号：KR1020100029041A

公开(公告)日：2010-03-15

申请号：KR1020090082951

申请日：2009-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  이케다교코 ,  세가와스미에 ,  사와다이쿠오

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/28556

Abstract: PURPOSE: A depositing method and a film forming apparatus are provided so that the adhesion of a precoat film formed at the subsequent processes etc can be improved. It can control that particle generates in the film forming process. CONSTITUTION: A film forming apparatus comprises a treatment basin(14), a main chuck(62), a heating means(66), a shower head part(18), a head peripheral unit gas supply means(22). The vacuum evacuation possible, the treatment basin is included. The main chuck prepares within the treatment basin. The processed article is in the upper part mount. The heating means heats the processed article. It faces in the main chuck and the shower head part is arranged. The necessary gas is introduced within the treatment basin. Supplies the inactive gas in the increase in temperature after the cleaning processing within the treatment basin to the head peripheral unit gas supply means is the peripheral unit of the shower head part.

Abstract translation: 目的：提供一种沉积方法和成膜装置，使得可以提高在后续处理过程中形成的预涂膜的粘合性。 它可以控制颗粒在成膜过程中产生。 构成：成膜装置包括处理池（14），主吸盘（62），加热装置（66），淋浴头部分（18），头部周边单元气体供应装置（22）。 真空排空可能，包括处理盆。 主卡盘在处理池内准备。 加工品在上部安装。 加热装置加热经处理的物品。 它位于主卡盘中，并安装淋浴头部分。 在处理池内引入必要的气体。 在处理池内的清洁处理之后，在不断增加温度的情况下提供惰性气体到头部周边单元气体供应装置是淋浴头部分的周边单元。

公开(公告)号：KR1020040093017A

公开(公告)日：2004-11-04

申请号：KR1020040028211

申请日：2004-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  야마자와요헤이 ,  고시미즈치시오 ,  마츠도다츠오 ,  세가와스미에

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/68 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/31116

Abstract: PURPOSE: A plasma monitoring method and apparatus and a plasma processing apparatus are provided to measure precisely electron density of plasma even under a low electron density or a high pressure condition by using a network analyzer. CONSTITUTION: An antenna probe(52a) is placed at a desired monitoring position inside or near to plasma of a predetermined space. Frequency-variable electromagnetic waves are radiated from the antenna probe to the plasma. The antenna probe receives the electromagnetic waves reflected from the plasma. By measuring a complex reflection coefficient based on the incident and reflected electromagnetic waves using a network analyzer(68), an imaginary part is obtained from the complex reflection coefficient. A resonant frequency capable of nullifying the value of the imaginary part is measured by sweeping frequencies of the electromagnetic waves. The electron density of plasma is calculated based on the measured resonant frequency.

Abstract translation: 目的：提供等离子体监测方法和装置以及等离子体处理装置，通过使用网络分析仪，即使在低电子密度或高压条件下也能精确地测量等离子体的电子密度。 构成：将天线探针（52a）放置在预定空间的等离子体内或附近的期望的监视位置。 可变频电磁波从天线探针辐射到等离子体。 天线探头接收从等离子体反射的电磁波。 通过使用网络分析器（68）测量基于入射和反射电磁波的复反射系数，从复反射系数获得虚部。 可以通过扫描电磁波的频率来测量能够使虚部的值无效的谐振频率。 基于测量的谐振频率计算等离子体的电子密度。

公开(公告)号：KR101020374B1

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：KR1020080092124

申请日：2008-09-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다교코 ,  세가와스미에 ,  사와다이쿠오

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 원료 가스를 이용하여 기판에 열 CVD에 의해 금속 박막을 성막함에 있어서, 기판 사이에서 기판의 면내 온도 분포를 가지런히 하고, 이에 따라 기판 사이에서의 성막 처리의 격차를 억제하는 것을 과제로 한다. 이를 해결하기 위해서, 탑재대의 하부 측을 지지하고 있는 지지 부재로서, 처리 용기 내에 장착되기 전부터 그 외주면이 상기 금속 박막의 방사율과 동등한 방사율을 갖는 금속층으로 덮여져 있는 지지 부재를 이용한다. 이 때문에, 금속 박막의 성막 처리를 반복함으로써 탑재대의 지지 부재의 외주면에 금속 박막이 퇴적하더라도, 지지 부재의 외주면은, 원래 상기 금속 박막의 방사율과 동등한 방사율을 갖는 금속으로 덮여져 있기 때문에, 지지 부재의 방사율이 안정되어, 탑재대의 온도의 경시 변화가 억제된다.

Abstract translation: 本发明在于，根据作为成膜的金属薄膜的通过热CVD在衬底上通过使用原料气体，在基板的面内温度分布的基板之间对准的任务，从而沿着抑制在基板间的成膜过程中的变化 的。 为了解决这个问题，因为它支持在安装台下侧的支撑构件和所述外周面之前被安装在处理容器内的支撑部件中的用途是覆盖有具有相同的发射率和金属薄膜的发射率的金属层。 由于这个原因，就通过重复的金属薄膜的沉积工艺，即使在金属薄膜沉积在安装保持构件的外周表面，所述支承构件的外周表面覆盖有具有相同发射率作为金属薄膜的原始发射率，所述支撑构件的金属 安装台的放射率稳定，抑制安装台的温度随时间的变化。

公开(公告)号：KR1020100124222A

公开(公告)日：2010-11-26

申请号：KR1020100101478

申请日：2010-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다교코 ,  세가와스미에 ,  사와다이쿠오

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4586 ,  C23C16/06 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/52

Abstract: PURPOSE: A film depositing apparatus is provided to suppress the deviation between film depositing processes with respect to substrates by uniformly dispersing heat on the substrates. CONSTITUTION: A gas supplying unit supplies a processing gas, including a raw-material gas, to a substrate. A supporting unit supports the lower side of a loading unit. A heating unit is installed on the loading unit. A temperature detecting unit detects the temperature of the substrate. The bottom side of a processing container(20) is connected with one end of an exhaust pipe(29). Based on the temperature detected by the temperature detecting unit, a controlling unit controls the amount of heat generated by the heating unit.

Abstract translation: 目的：提供一种膜沉积设备，通过均匀地将热量均匀地分散在基底上来抑制膜沉积过程之间相对于基底的偏差。 构成：气体供给单元向基板供给包含原料气体的处理气体。 支撑单元支撑装载单元的下侧。 加载单元安装在加载单元上。 温度检测单元检测基板的温度。 处理容器（20）的底面与排气管（29）的一端连接。 基于由温度检测单元检测的温度，控制单元控制由加热单元产生的热量。

公开(公告)号：KR1020100045511A

公开(公告)日：2010-05-03

申请号：KR1020107005994

申请日：2008-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오 ,  세가와스미에 ,  이케다교코 ,  오시타다츠로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/4486 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185

Abstract: This invention provides a vaporization apparatus which, in supplying a gas material produced by vaporizing a liquid material onto a substrate to conduct film formation treatment, can vaporize the liquid material with a high efficiency to suppress the occurrence of particles. Bubbles, which have been electrified either positively or negatively and have a particle diameter of 1000 nm or less, are produced in a liquid material for the formation of a film on a substrate to atomize the liquid material and to form a mist of the liquid material. Further, the mist of the liquid material is heated for vaporization. Very fine bubbles are previously dispersed very homogeneously in the liquid material. Accordingly, upon the atomization of the liquid material, a very fine and homogeneous liquid material mist is produced, and, thus, heat exchange is very easy. When this liquid material mist is vaporized, the vaporization efficiency is enhanced, and the occurrence of particles can be suppressed.

Abstract translation: 本发明提供一种蒸发装置，在将液体材料蒸发到基板上进行成膜处理而制造的气体材料中，可以高效率地蒸发液体材料，以抑制颗粒的发生。 在用于在基板上形成膜的液体材料中产生已经正电或负极地具有1000nm或更小的电气化的气泡，以使液体材料雾化并形成液体材料的雾 。 此外，液体材料的雾被加热以蒸发。 非常细小的气泡预先非常均匀地分散在液体材料中。 因此，在液体材料的雾化时，产生非常细且均匀的液态物质雾，因此热交换非常容易。 当该液态物质雾蒸发时，汽化效率提高，能够抑制粒子的产生。

公开(公告)号：KR101257985B1

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：KR1020107000195

申请日：2008-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시데츠로 ,  후지노유타카 ,  도시마히로유키 ,  구보아츠시 ,  강송윤 ,  벤트젝피터 ,  세가와스미에

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3145 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: 챔버 내에 웨이퍼를 배치하고, 챔버 내에 플라즈마 생성 공간을 형성하여, 그 플라즈마 생성 공간에 적어도 웨이퍼의 표면을 접촉시킨 상태로 웨이퍼의 표면에 플라즈마 처리를 실시함에 있어서, 웨이퍼의 이면측의 적어도 외주 부분에 플라즈마 생성 공간이 접촉하도록 하여 플라즈마 처리를 실시한다.