公开(公告)号：KR101286763B1

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：KR1020110049613

申请日：2011-05-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미하라나오키 ,  스도우켄지 ,  무라카미카즈오 ,  후루카와사토시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32807

Abstract: 확실하게 가스를 공급하여 플라즈마 처리를 행할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리 장치는, 플라즈마 처리용의 가스를 공급하는 가스 공급구를 가지는 외측 가스 공급 부재(40)와, 처리 용기 내에서 외측 가스 공급 부재(40)를 지지하는 가스 공급 부재 지지 장치로서의 자켓부(27)를 구비한다. 자켓부(27)는, 외측 가스 공급 부재(40) 및 측벽을 연결하도록 가스 공급 부재가 연장되는 방향으로 각각의 간격을 두고 설치되는 3 개의 지지 부재(44 ~ 46)와, 측벽에 고정되며 지지 부재를 장착 가능한 장착부(47 ~ 49)를 포함한다. 지지 부재는, 제 1 장착부(47)에 고정되어 장착되는 제 1 지지 부재(44)와 제 2 장착부(48, 49)에 자유롭게(이동 가능하게) 지지되도록 장착되는 제 2 지지 부재(45, 46)를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120060889A

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：KR1020127010099

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시카와와타루 ,  모야마카즈키 ,  오카야마노부유키 ,  스도우켄지 ,  오츠카야스히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68735 ,  H01L21/6875

Abstract: 랩핑 가공에 의해 접촉면의 평활성을 유지하고, 그리고 접촉면을 대략 오목 형상으로 함으로써, 반도체 웨이퍼를 안정적으로 보유지지(holding)할 수 있는 시료대 및 당해 시료대를 구비한 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리가 행해질 반도체 웨이퍼(W)를 보유지지하는 시료대(2)에 있어서, 랩핑 가공이 행해져 있고, 반도체 웨이퍼(W)가 면접촉하는 접촉면을 갖고, 당해 접촉면에 면접촉한 반도체 웨이퍼(W)를 흡착하는 흡착판과, 당해 흡착판의 비접촉면이 접착된 오목면을 갖는 지지 기판을 구비하고, 상기 오목면의 대략 중앙부의 깊이와, 당해 중앙부로부터 이격된 이격 부위의 깊이와의 차이는, 당해 중앙부에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와, 상기 이격 부위에 접촉하는 부위에 있어서의 상기 흡착판의 두께와의 차이보다도 크게 구성한다. 또한, 시료대(2)를 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120033354A

公开(公告)日：2012-04-06

申请号：KR1020127005087

申请日：2007-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스도우켄지

IPC: C23C14/24 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/544 ,  H01L51/001 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/56 ,  H05B33/10

Abstract: 증착 장치(10)는, 제 1 처리 용기(100)와 제 2 처리 용기(200)를 가지고, 제 1 처리 용기(100)에 내장된 분출기(110)와 제 2 처리 용기(200)에 내장된 증착원(210)은, 연결관(220)을 통해 서로 연결된다. 제 1 처리 용기(100)에는, 그 내부를 원하는 진공도까지 배기하는 배기 기구가 접속된다. 증착원(210)에 의해 기화된 유기 분자는, 연결관(220)을 통하여 분출기(110)로부터 분출되어 기판(G) 상에 흡착하고, 이에 의해 기판(G) 상에 박막이 형성된다. 제 2 처리 용기(200)와 제 1 처리 용기(100)를 별개로 설치함으로써, 성막 재료 보충시에 제 1 처리 용기(100) 내를 대기로 개방하는 일이 없으므로, 배기 효율을 높일 수 있다.

Abstract translation: 沉积装置10包括第一处理容器100和第二处理容器200.沉积装置10包括内置在第一处理容器100中的喷射器110和第二处理容器200 通过连接管220彼此连接。[0041] 第一处理容器100与用于将第一处理容器100的内部排气到期望的真空度的排气机构连接。 由蒸发源210蒸发的有机分子通过连接管220从喷射器110喷出并吸附到基板G上，从而在基板G上形成薄膜。 由于第二处理容器200和第一处理容器100分开设置，所以在补充成膜材料时，第一处理容器100的内部不会向大气开放。

公开(公告)号：KR1020110129827A

公开(公告)日：2011-12-02

申请号：KR1020110049613

申请日：2011-05-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미하라나오키 ,  스도우켄지 ,  무라카미카즈오 ,  후루카와사토시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32807

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a gas supply member supporting apparatus are provided to execute a plasma process by escaping stress concentration about a supporting member and certainly supplying gas. CONSTITUTION: An outside gas supply member(40) has a gas supply inlet which supplies gas for plasma processing. A jacket part(27) supports the outside gas supply member within a treatment basin. The jacket part comprises three supporting members(44-46) and mounting parts(47-49). The three supporting members are installed in a direction in which a gas supply member is extended in order to connect the outside gas supply member and a sidewall. The mounting part is fixed to the sidewall and mounts the supporting member. A first supporting member is sixed to the mounting part and a second supporting member is fixed to the mounting part in order to be moved.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和气体供给构件支撑装置，以通过逸出围绕支撑构件的应力集中并确定地供应气体来执行等离子体处理。 构成：外部气体供给部件（40）具有供给用于等离子体处理的气体的供气口。 护套部件（27）在处理池内支撑外部气体供给构件。 护套部分包括三个支撑构件（44-46）和安装部件（47-49）。 三个支撑构件沿气体供给构件延伸的方向安装以连接外部气体供给构件和侧壁。 安装部固定在侧壁上并安装支撑部件。 第一支撑构件被安装到安装部分上，并且第二支撑构件固定到安装部分以便移动。

公开(公告)号：KR1020100002078A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020090022100

申请日：2009-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이쿠타히로유키 ,  스도우켄지 ,  후키아게노리아키 ,  에즈라토모히코 ,  가마다토요히로

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

Abstract: PURPOSE: A deposition source, a film forming apparatus, and a film forming method are provided to manufacture a liquid crystal display and form an organic film. CONSTITUTION: A deposition source comprises a material container(200), a heating member(105), a pressing member(115) and an elastic member. The container contains materials. The heating member heats the material accepted in the material container. The pressing member has a flat board in which a plurality of through-holes are formed. A pressing surface of the flat board presses the material accepted in the material container. The pressing member passes the material particles vaporized with the heating of the upper heating member through the through-holes. The elastic member releases the pressure of the pressing member on the material.

Abstract translation: 目的：提供沉积源，成膜装置和成膜方法来制造液晶显示器并形成有机膜。 构成：沉积源包括材料容器（200），加热构件（105），按压构件（115）和弹性构件。 容器包含材料。 加热构件加热材料容器中接受的材料。 按压构件具有形成有多个通孔的平板。 平板的按压面压迫容纳在材料容器中的材料。 按压构件使通过上述加热构件的加热而蒸发的材料粒子通过贯通孔。 弹性构件释放材料上的按压构件的压力。