-
公开(公告)号：KR1020080058488A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：KR1020087011511
申请日：2006-10-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/26 , H01L21/265 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/2686 , H01L21/67115
Abstract: A heating apparatus (62) for heating an object (W) to be treated is provided with a plurality of heating light sources, including a LED element (74) for applying heating light having a wavelength within a range of 360-520nm to the object. Thus, a temperature of only the shallow surface of the object, such as a semiconductor wafer, is increased/reduced at a high speed in uniform temperature distribution, irrespective of the film type.
Abstract translation: 一种用于加热待处理物体（W）的加热设备（62）设置有多个加热光源，包括用于将波长在360-520nm范围内的加热光用于物体的LED元件（74） 。 因此，不管膜类型如何，仅在物体的浅表面（例如半导体晶片）的温度以均匀的温度分布在高速下被增加/减少。
-
公开(公告)号：KR1020010110481A
公开(公告)日：2001-12-13
申请号：KR1020017012536
申请日：2000-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G01J5/10
Abstract: 본 발명은 방사식 온도계를 이용하여 웨이퍼 등의 피처리 물체의 온도 측정을 행하는 경우에, 가열용 램프에 의한 미광의 영향을 배제하는 것을 목적으로 하고 있다. 본 발명에서는, 램프(22)에 출력 제어부(28)로부터 공급되는 전력(W)과 램프(22)로부터 방사되는 빛 에너지 사이에 성립하는 관계를 이용한다. 램프(22)로부터 방사되는 빛이 포토다이오드(18)의 출력 전압에 미치는 영향을 전력(W)의 함수로서 미리 실험적으로 구하여 연산부(26)에 저장해 둔다. 연산부(26)는 출력 제어부(28)로부터 송신되는 전력(W)의 값에 기초하여 포토다이오드(18)의 출력 전압에 포함되는 램프(22)로부터의 미광의 영향분을 포토다이오드(18)의 출력값에서 감산하여 서셉터(8)의 온도를 산출한다.
-
公开(公告)号：KR101732216B1
公开(公告)日：2017-05-02
申请号：KR1020130114315
申请日：2013-09-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G01J5/02
Abstract: 광원을열원으로하는열처리장치에있어서, 종래의비접촉온도측정으로서는정확한온도를측정하기어렵던대상물및 온도대역에있어서정확한온도측정을행한다. 온도측정기구는, 복수의발광소자유닛(30)과웨이퍼(W) 사이에배치되며발광소자유닛(30)으로부터의조도 u를측정하는조도모니터(50)와, 온도센서(20a)와, 조도 u와온도센서(20a)에의해모의적으로측정된모의온도 Tc에기초해서, 웨이퍼(W)의실제온도 P를추정하는연산부(152)를갖고있다. 연산부(152)에있어서의웨이퍼(W)의실제온도 P의추정은, 미리구해진, 조도 u와상기조도 u에있어서추정되는웨이퍼(W)의온도 y의상관관계인제 1 상관관계와, 미리구해진, 온도센서(20a)에의해모의적으로측정된모의온도 Tc와조도 u에있어서추정되는웨이퍼(W)의온도 y의상관관계인제 2 상관관계에기초해서행해진다.
Abstract translation: 在使用光源作为热源的热处理设备中，在传统的非接触式温度测量中难以测量准确温度的物体和温度带中执行准确的温度测量。 温度测量机构包括设置在多个发光元件单元30和晶片W之间并用于测量来自发光元件单元30的照度u的照度监视器50，温度传感器20a， 以及根据由温度传感器20a测量的模拟温度Tc和由温度传感器20a模拟的模拟温度Tc来估计晶片W的实际温度P的操作单元152。 计算单元152中的晶片W的实际温度P的估计是基于在粗糙度u中估计的晶片W的温度y和基础晶片W的相位之间的相关性来执行的， 由温度传感器20a模拟的模拟温度Tc与在粗糙度u处估计的晶片W的温度y之间的相关性。
-
公开(公告)号：KR1020140042705A
公开(公告)日：2014-04-07
申请号：KR1020130114315
申请日：2013-09-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G01J5/02
CPC classification number: G01J5/0285 , G01J3/457 , G01J5/061
Abstract: A heat treatment device using a light source as a heat source performs accurate temperature measurement for a temperature band and an object which are difficult to measure the temperature with an existing temperature measuring method. A temperature measuring tool includes an illuminance monitor (50) measuring illuminance u from a light emitting element unit (30) and placed between a wafer (W) and the light emitting element unit (30), a temperature sensor (20a), and a calculating part (152) estimating the actual temperature P of the wafer (W) based on the simulation temperature Tc simulated by illuminance u and the temperature sensor (20a). The estimation of the actual temperature P of the wafer (W) in the calculating part (152) is performed on the basis of a previously calculated first correlation between the illuminance u and estimated temperature y of the wafer (W) estimated with the illuminance u and a previously calculated second correlation between the simulation temperature Tc simulated by the temperature sensor (20a) and the estimated temperature y of the wafer (W) estimated with the illuminance u.
Abstract translation: 使用光源作为热源的热处理装置利用现有的温度测量方法对难以测量温度的温度带和物体进行精确的温度测量。 一种温度测量工具，包括：测量来自发光元件单元（30）的照度u并放置在晶片（W）和发光元件单元（30）之间的照度监视器（50），温度传感器（20a）和 计算部（152）基于由照度u和温度传感器（20a）模拟的模拟温度Tc来估计晶片（W）的实际温度P. 基于先前计算出的用照度u估计的晶片（W）的照度u和估计温度y之间的第一相关性来执行计算部（152）中的晶片（W）的实际温度P的估计， 以及由温度传感器（20a）模拟的模拟温度Tc与用照度u估计的晶片（W）的估计温度y之间的先前计算的第二相关。
-
公开(公告)号：KR101156944B1
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：KR1020107016874
申请日：2009-01-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/26
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/67115
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 등에 대해 어닐을 실행하는 어닐 장치에 관한 것이다．본 발명에 따르면, 웨이퍼 W의 면을 향하도록 마련되며, 웨이퍼에 대하여 광을 조사하는 복수의 LED (33)을 가지는 가열원 (17a, 17b)과 발광소자 (33)로부터의 광을 투과하는 광투과부재 (18a, 18b)와, 가열원에 직접 접촉하도록 마련된 Al로 구성된 냉각부재 (4a,4b)를 가지며, 상기 가열원(17a, 17b)은 표면에 상기 복수의 발광 소자를 은 페이스트 (56)에 의해 부착된 AlN로 이루어지는 지지체(32)와, 상기 지지체(32)의 이면측에 땝납 57에 의해 접합된 Cu제의 열확산 부재를 포함하고, 이들을 유닛화하여 구성된 복수개의 발광 소자 어레이를 구비하고, 상기 발광 소자 어레이는 실리콘 그리스를 거쳐서 상기 냉각 부재에 고정되어 있는 어닐 장치가 제공된다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100105751A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：KR1020107016874
申请日：2009-01-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/26
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/67115
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 등에 대해 어닐을 실행하는 어닐 장치에 관한 것이다．본 발명에 따르면, 웨이퍼 W의 면을 향하도록 마련되며, 웨이퍼에 대하여 광을 조사하는 복수의 LED (33)을 가지는 가열원 (17a, 17b)과 발광소자 (33)로부터의 광을 투과하는 광투과부재 (18a, 18b)와, 가열원에 직접 접촉하도록 마련된 Al로 구성된 냉각부재 (4a,4b)를 가지며, 상기 가열원(17a, 17b)은 표면에 상기 복수의 발광 소자를 은 페이스트 (56)에 의해 부착된 AlN로 이루어지는 지지체(32)와, 상기 지지체(32)의 이면측에 땝납 57에 의해 접합된 Cu제의 열확산 부재를 포함하고, 이들을 유닛화하여 구성된 복수개의 발광 소자 어레이를 구비하고, 상기 발광 소자 어레이는 실리콘 그리스를 거쳐서 상기 냉각 부재에 고정되어 있는 어닐 장치가 제공된다.
-
公开(公告)号：KR102225424B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020177006191
申请日：2015-08-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/26 , H01L21/324 , H01L21/683
Abstract: 복수의발광소자유닛을열원으로사용하여웨이퍼를열처리하는열처리방법은, 발광소자유닛으로부터제1 조도로웨이퍼(W)에광을조사하고, 웨이퍼(W)의반사율을구하고, 웨이퍼(W)의반사율과, 미리구해진, 제1 조도에있어서의웨이퍼의승온커브와웨이퍼의반사율의상관관계에기초하여, 발광소자유닛으로부터의광의조도를, 제1 조도로부터제2 조도로보정한다.
-
公开(公告)号：KR1020110022740A
公开(公告)日：2011-03-07
申请号：KR1020117003539
申请日：2007-08-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/26
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/67109 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 열의 영향에 의한 발광량의 저하에 기인하는 광에너지 효율이 낮다고 하는 문제가 발생하지 않고 안정된 성능을 유지할 수 있는 어닐 장치를 제공 한다.
웨이퍼(W)가 수용되는 처리실(1)과, 웨이퍼(W)의 면에 면하도록 마련되어, 웨이퍼(W)에 대하여 광을 조사하는 복수의 LED(33)를 가지는 가열원(17a, 17b)과, 가열원(17a, 17b)에 대응해서 마련되어, 발광 소자(33)로부터의 광을 투과하는 광투과 부재(18a, 18b)와, 광투과 부재(18a, 18b)의 처리실(1)과 반대측을 지지하고, 가열원(17a, 17b)에 직접 접촉하도록 마련된 고열전도성 재료로 이루어지는 냉각 부재(4a, 4b)와, 냉각 부재(4a, 4b)를 냉각 매체로 냉각하는 냉각 기구를 가진다.-
公开(公告)号：KR1020090045314A
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：KR1020097004654
申请日：2007-08-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/26
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/67109 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: Provided is an annealing apparatus, which is free from a problem of reduced light energy efficiency resulted by the reduction of light emission amount due to a heat generation and capable of maintaining stable performance. The apparatus includes: a processing chamber 1 for accommodating a wafer W; heating sources 17a and 17b including LEDs 33 and facing the surface of the wafer W to irradiate light on the wafer W; light-transmitting members 18a and 18b arranged in alignment with the heating sources 17a and 17b to transmit the light emitted from the LEDs 33; cooling members 4a and 4b supporting the light-transmitting members 18a and 18b at opposite side to the processing chamber 1 to make direct contact with the heating sources 17a and 17b and made of a material of high thermal conductivity; and a cooling mechanism for cooling the cooling members 4a and 4b with a coolant.
-
公开(公告)号：KR1020010110480A
公开(公告)日：2001-12-13
申请号：KR1020017012533
申请日：2000-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G01J5/10
CPC classification number: G01J5/0003 , G01J5/0007 , G01J5/04 , G01J5/046 , G01J5/08 , G01J5/0818 , G01J5/0862 , G01J5/0875 , G01J5/0887
Abstract: 본발명은방사식온도계를이용하여웨이퍼등의피처리물체의온도측정을행하는경우에, 장치의구성을복잡하게하지않고가열용램프에의한미광의영향을배제하는것을목적으로하고있다. 챔버(2)의창 재료(6)로서수산기를함유하는석영유리를이용한다. 수산기를함유하는석영유리는그 자체가 2700 nm 부근의파장의빛을강하게흡수하는성질을갖는다. 광검출기(16)측의수광소자(18)와광필터(19)를적절하게선택하고, 광검출기(16)에의해 2700 nm 근방의파장의빛만을검출하도록하여, 램프미광의영향을배제한다. 창재료(6) 자체가필터기능을갖고있기때문에, 램프(22)와가열대상물사이에별개의필터를설치할필요가없게된다.
Abstract translation: 提供了一种简化的系统，其中待处理物体（例如晶片）的温度由非接触式温度计测量，同时消除来自加热灯的杂散光的影响。 室（2）的窗口材料（6）由含有羟基的熔融二氧化硅制成。 含有羟基的熔融二氧化硅能够强烈吸收波长在2700nm附近的光。 适当地选择光电检测器（16）上的光电检测器元件（18）和滤光器（19），使得光电检测器（16）可以仅检测波长在2700nm附近的光，从而消除杂散光的影响 从灯。 由于窗口材料（6）本身用作过滤器，所以在灯（22）和待加热物体之间不需要其它过滤器。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.024 seconds)
