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公开(公告)号：KR100783829B1
公开(公告)日：2007-12-10
申请号：KR1020077001004
申请日：2004-04-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/3244 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67126
Abstract: 플라즈마발생부와 피처리기판을 내부에 수용하는 챔버를 갖는 플라즈마처리장치의 상기 플라즈마발생부와 상기 챔버와의 사이에 마련되고, 상기 플라즈마발생부와 상기 챔버로 형성되는 처리공간에 처리가스를 도입하는 처리가스도입기구에 있어서, 상기 플라즈마발생부를 지지함과 동시에 상기 챔버에 놓이고, 처리가스를 상기 처리공간에 도입하는 가스도입로가 형성되고, 그 중앙에 상기 처리공간의 일부를 이루는 구멍부를 갖는 가스도입베이스와, 상기 가스도입베이스의 상기 구멍부에 분리하여 가능하게 장착되고, 상기 가스도입로로부터 상기 처리공간에 연통하여 상기 처리가스를 상기 처리공간에 토출하는 복수의 가스토출구멍을 갖는 대략 링형상을 이루는 가스도입플레이트를 갖는 처리가스도입기구가 제공된다.
Abstract translation: 它在等离子体生成单元和等离子体处理所述等离子体产生部和具有腔室用于在其中容纳所述衬底和将处理气体通过等离子体产生单元和腔室形成的处理空间中的装置的腔室之间设有 其中形成用于支撑等离子体产生部分并放置在腔室中并将处理气体引入处理空间的气体引入通路，并且形成处理空间的一部分的孔部分形成在其中心处 以及多个气体排出孔，该多个气体排出孔安装成与气体引入基座的孔部分分离并且从气体引入路径与处理空间连通以将处理气体排出到处理空间中 提供了一种具有基本上环形的气体引入板的工艺气体引入机构。
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公开(公告)号：KR1020070037363A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：KR1020060094970
申请日：2006-09-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/687 , H01L21/205
CPC classification number: C23C8/00 , C23C10/00 , C23C16/4401 , C23C16/4586 , H01L21/68742
Abstract: 본 발명의 과제는 기판의 탑재 기구에 있어서의 탑재대에 형성된 핀 관통 삽입 구멍과 이 핀 관통 삽입 구멍내를 승강하여 탑재대에 대하여 기판의 주고받음을 실행하는 리프터 핀의 간극에, 처리 가스의 공급에 따른 반응 생성물이 퇴적되는 것을 억제하는 것이다. 핀 관통 삽입 구멍의 하단부의 개구부에 내측으로 환상으로 돌출하여 형성된 환상 돌출부와, 상기 리프터 핀에 형성되어, 상기 리프터 핀이 하강했을 때에 환상 돌출부에 지지되어 상기 개구부를 막는 직경 확대부를 구비하도록 기판의 탑재 기구를 구성한다. 기판이 탑재된 탑재대의 하방측으로 돌아 들어온 처리 가스는, 핀 관통 삽입 구멍의 하단부로부터 진입하기 어려워져, 반응 생성물이 리프터 핀과 핀 관통 삽입 구멍 사이의 간극에 퇴적하는 것을 억제할 수 있고, 따라서 리프터 핀의 승강이 저해되는 것을 억제할 수 있다.
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公开(公告)号：KR102023817B1
公开(公告)日：2019-11-04
申请号：KR1020170126324
申请日：2017-09-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67
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公开(公告)号：KR101874521B1
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：KR1020160123241
申请日：2016-09-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L51/56 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/687 , H01L51/00
Abstract: 기판상의유기재료막을건조처리할시, 처리용기내에혼입된수분의영향을최대한저감한다. 건조장치(100)는진공배기가능한처리용기(1)와, 처리용기(1) 내에서기판(S)을지지하는기판지지부로서의기판지지부(3)를구비하고, 건조처리동안, 처리용기(1) 내의압력이대기압으로부터 500 Pa까지는기판(S)을제 1 높이위치로유지하고, 처리용기(1) 내의압력이 3 Pa 이하에서는기판(S)을제 1 높이위치보다낮은제 2 높이위치로하강시킨다. 제 1 높이위치에기판(S)을유지한상태로감압배기를행함으로써, 처리용기(1) 내의수분을저벽(11)의배기구(11a)로부터신속하게배출할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160118957A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：KR1020160038454
申请日：2016-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L51/56 , H01L21/67098 , H01L21/67115 , H01L51/0026
Abstract: [과제] 각기판을안정적으로균일하게가열할수 있는기판가열장치를제공한다. [해결수단] 기판가열장치(10)는, 내부에가열가스가존재하는수용실(11)과, 유리기판(G)을가열하는복수의가열유닛(12)을구비하고, 복수의가열유닛(12)은수용실(11)의내부에있어서서로평행하고또한이격되며, 그리고상하방향에관해서중첩되도록배치되며, 각가열유닛(12)은, 유리기판(G)을수용하는가열실(18)과, 당해가열실(18)의내부에가열된가스를도입하는유닛팬(19)을갖는다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140113399A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020140028390
申请日：2014-03-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L51/56 , B05D3/0493 , H01L51/0003 , H01L51/0026
Abstract: Provided are a drying apparatus and a drying method, capable of efficiently removing solvents from an organic material layer coated on a substrate for a short time and performing a uniform dry process on the surface of the substrate. The drying apparatus (100) includes a processing container (1) for vacuum exhaust, a holding stand (3) which is a support member to support the substrate (S) in the processing container (1), a gas spraying device (5) which sprays gas to the organic material layer on the substrate (S) supported by the holding stand (3), and a control unit (6). In addition, the drying apparatus (100) includes pressure controlling apparatus for controlling the pressure in the processing container (1). Also, a plurality of nozzles (51) independently controls the spray amount of the gas and the type of the gas.
Abstract translation: 提供一种干燥装置和干燥方法，能够在短时间内有效地除去涂布在基板上的有机材料层中的溶剂，并在基板表面上进行均匀的干法处理。 干燥装置（100）包括用于真空排气的处理容器（1），作为将处理容器（1）中的基板（S）支撑的支撑构件的保持架（3），气体喷射装置（5） 其将气体喷射到由保持架（3）支撑的基板（S）上的有机材料层和控制单元（6）。 此外，干燥装置（100）包括用于控制处理容器（1）中的压力的压力控制装置。 此外，多个喷嘴（51）独立地控制气体的喷射量和气体的类型。
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公开(公告)号：KR100756095B1
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：KR1020057019954
申请日：2004-04-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/3244 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67126
Abstract: 플라즈마발생부와 피처리기판을 내부에 수용하는 챔버를 갖는 플라즈마 처리 장치의 플라즈마발생부와 챔버와의 사이에 마련되고, 플라즈마발생부와 챔버로 형성되는 처리공간에 처리 가스를 도입하는 처리 가스도입기구는, 플라즈마발생부를 지지함과 동시에 챔버에 놓이고, 처리 가스를 처리공간에 도입하는 가스도입로가 형성되고, 그 중앙에 상기 처리공간의 일부를 이루는 구멍부를 갖는 가스도입베이스와, 가스도입베이스의 구멍부에 분리가능하게 장착되고, 가스도입로로부터 처리공간에 연통하여 처리 가스를 처리공간에 토출하는 복수의 가스토출 구멍을 갖는 대략 링형상을 이루는 가스도입 플레이트를 갖는다.
Abstract translation: 它的等离子体产生部和具有用于接收所述基材的腔室的等离子体处理装置中生成的内部部分和腔室要处理的等离子体，处理气体引入用于将处理气体以通过所述等离子体生成单元和腔室形成的处理空间之间提供 机构，被放置在，并在其中有一个孔形成在其中心处的处理空间的一部分支承在等离子体产生腔室，用于将处理气体向处理空间的气体导入形成的同时，气体引入基体和气体入口 它可拆卸地安装在所述孔的基部，以及具有气体入口板形成大致环状具有多个气体喷出孔与从气体导入排出的处理气体至处理空间的处理空间连通的形状。
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公开(公告)号：KR1020070012572A
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：KR1020077001004
申请日：2004-04-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/3244 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67126
Abstract: A plasma processing device having a plasma generation unit and a chamber housing a substrate to be processed thereinside, wherein a process gas introducing mechanism, which is provided between the plasma generation unit and the chamber to introduce a process gas into a process space defined by the plasma generation unit and the chamber, is formed with a gas introducing path that supports a plasma generation unit, is mounted on the chamber and introduces a process gas into a process space, and which has a gas introducing base having at the center thereof a hole forming part of the process space and an almost annular gas introducing plate removably attached to the hole of the gas introducing base and having a plurality of gas emitting holes communicating with the process space from the gas introducing path to emit a process gas into the process space. ® KIPO & WIPO 2007
Abstract translation: 一种等离子体处理装置，其具有等离子体产生单元和容纳待处理衬底的腔室，其中设置在等离子体产生单元和腔室之间的工艺气体引入机构，以将工艺气体引入由 等离子体发生单元和室，形成有支撑等离子体产生单元的气体引入路径，安装在室上并将处理气体引入到处理空间中，并且具有气体导入基部，其中心处具有孔 形成处理空间的一部分和可拆卸地附接到气体引入基座的孔的几乎环形的气体引入板，并且具有与气体引入路径与处理空间连通的多个气体发射孔，以将处理气体发射到处理空间 。 ®KIPO＆WIPO 2007
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公开(公告)号：KR1020060003891A
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：KR1020057019954
申请日：2004-04-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/3244 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67126
Abstract: A plasma processing device having a plasma generation unit and a chamber housing a substrate to be processed thereinside, wherein a process gas introducing mechanism, which is provided between the plasma generation unit and the chamber to introduce a process gas into a process space defined by the plasma generation unit and the chamber, is formed with a gas introducing path that supports a plasma generation unit, is mounted on the chamber and introduces a process gas into a process space, and which has a gas introducing base having at the center thereof a hole forming part of the process space and an almost annular gas introducing plate removably attached to the hole of the gas introducing base and having a plurality of gas emitting holes communicating with the process space from the gas introducing path to emit a process gas into the process space.
Abstract translation: 一种等离子体处理装置，其具有等离子体产生单元和容纳待处理衬底的腔室，其中设置在等离子体产生单元和腔室之间的工艺气体引入机构，以将工艺气体引入由 等离子体发生单元和室，形成有支撑等离子体产生单元的气体引入路径，安装在室上并将处理气体引入到处理空间中，并且具有气体导入基部，其中心处具有孔 形成处理空间的一部分和可拆卸地附接到气体引入基座的孔的几乎环形的气体引入板，并且具有与气体引入路径与处理空间连通的多个气体发射孔，以将处理气体发射到处理空间 。
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