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公开(公告)号:KR1020120023534A
公开(公告)日:2012-03-13
申请号:KR1020110074464
申请日:2011-07-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715 , G03F7/162 , G03F7/3021 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L21/67745 , H01L21/0274
Abstract: PURPOSE: A coating-developing apparatus, a coating-developing method thereof, and a storage medium are provided to prevent degradation of a processing quantity by performing a process with the other side module when one side module is not available by a unit block of a liquid processing system. CONSTITUTION: A processing block(S20) is comprised of a front side heating system block(S2), a liquid processing block(S3), and a rear side heating block(S4). The front side heating system block is arranged toward a washing block(S5) side from a carrier block side. The liquid processing block comprises first to fifth liquid processing unit blocks(B1-B5) for performing a liquid process on a wafer. Each liquid processing unit block is partitioned by a partition wall. The rear side heating block comprises first to third heating processing unit blocks(C1,C2,C3). The wafer is returned to an interface block after exposure treatment.
Abstract translation: 目的:提供一种涂布显影装置,其涂布显影方法和存储介质,以通过在单面模块不可用单面模块获得时通过与另一侧模块进行处理来防止处理量的劣化 液体处理系统。 构成:处理块(S20)包括前侧加热系统块(S2),液体处理块(S3)和后侧加热块(S4)。 前侧加热系统块朝向从承载块侧的洗涤块(S5)侧配置。 液体处理块包括用于在晶片上进行液体处理的第一至第五液体处理单元块(B1-B5)。 每个液体处理单元块由分隔壁分隔。 后侧加热块包括第一至第三加热处理单元块(C1,C2,C3)。 曝光处理后晶片返回界面块。
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公开(公告)号:KR101087463B1
公开(公告)日:2011-11-25
申请号:KR1020087030311
申请日:2007-06-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 야마모또유우이찌
IPC: H01L21/027 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67745 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67225
Abstract: 기판 처리 시스템(100)은 시스템 전체에 걸쳐서 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 주 반송 라인(20)과, 포토리소그래피 처리부(1a) 내에서의 웨이퍼(W)의 반송을 행하는 부 반송 라인(30)을 구비하고 있다. 포토리소그래피 처리부(1a)에서는 레지스트 도포 처리 장치(2)와 현상 처리 장치(5)가 분리되어 배치되고, 제1 노광 처리 장치(3a)와 제1 PEB 처리 장치(4a), 제2 노광 처리 장치(3b)와 제2 PEB 처리 장치(4b)는 인접 배치되어 있다.
포토리소그래피 처리부, 노광 처리 장치, 현상 처리 장치, 카세트 스테이션-
公开(公告)号:KR1020090046801A
公开(公告)日:2009-05-11
申请号:KR1020097001604
申请日:2007-07-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0274 , H01L21/0276 , G03F7/0035 , G03F7/2022 , G03F7/70466 , G03F7/70625
Abstract: 본 발명에서는, 기판 앞면 상의 피가공막에 대해 1회째의 패터닝이 실시되고, 상기 1회째의 패터닝에 의해 형성된 패턴의 치수를 측정한다. 상기 1회째의 패터닝의 치수 측정 결과에 기초하여, 2회째의 패터닝의 조건을 설정한다. 이때, 2회째 패터닝의 조건은, 상기 1회째 패터닝의 치수와 그 목표 치수 사이의 차이가 상기 2회째 패터닝의 치수와 그 목표 치수 사이의 차이와 동등하도록 설정된다. 이후, 상기 설정된 패터닝 조건 하에 상기 2회째의 패터닝을 실시한다.
피가공막, 패터닝, 실제 치수, 목표 치수, 상호관계, 가열 처리, 노광 처리, 현상 처리, 치수 측정부, 제어부-
公开(公告)号:KR1020090028522A
公开(公告)日:2009-03-18
申请号:KR1020087030300
申请日:2007-06-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67225 , G03F7/70525 , G03F7/7075 , G03F7/70991 , H01L21/67727 , H01L21/67733 , Y10S414/135 , G03F7/70725 , G03F7/70775
Abstract: A substrate processing system (100) is provided with a main transfer line (20), i.e., a first automatic substrate transfer line, for transferring wafers and receiving and transferring substrates from and to each processing section in the entire system, and a sub-transfer line (30), i.e., a second automatic substrate transfer line, for transferring the wafers in a photolithography processing section (1a). The sub-transfer line (30) is arranged as a transfer system independent from the main transfer line (20). An OHT (31) moves around on the sub-transfer line (30) formed in loop, transfers the wafers to each processing apparatus in the photolithography processing section (1a), and receives and transfers the wafers from and to each processing apparatus.
Abstract translation: 基板处理系统(100)具有主转印线(20),即第一自动基板输送线,用于从整个系统中的每个处理部分转移晶片和接收和传送基板, 传输线(30),即第二自动衬底传送线,用于在光刻处理部分(1a)中传送晶片。 副传送线(30)被布置为独立于主传输线(20)的传送系统。 OHT(31)在环路形成的副传输线(30)上移动,将晶片传送到光刻处理部分(1a)中的每个处理设备,并从每个处理设备接收并传送晶片。
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