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公开(公告)号：KR101667432B1
公开(公告)日：2016-10-18
申请号：KR1020110074338
申请日：2011-07-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/68
CPC classification number: G03F7/3021 , G03F7/162 , H01L21/67178 , H01L21/67742 , H01L21/67745
Abstract: 본발명의과제는도포, 현상장치의처리량의저하를억제하는동시에장치의설치면적을억제할수 있는기술을제공하는것이다. 액처리계의단위블록군과, 이단위블록군의캐리어블록측에배치된제1 가열계의블록과, 상기액처리계의단위블록군의인터페이스블록측에배치된제2 가열계의블록을구비하도록처리블록을구성하여, 액처리계의단위블록군은반사방지막및 레지스트막을형성하는전단처리용단위블록을이중화한것과, 상층막을형성하여, 노광전에세정을행하는후단처리용단위블록을이중화한것과, 현상처리를행하는단위블록을포함하도록구성하여, 제1 가열계의블록은레지스트도포후 및현상후의기판을가열하고, 제2 가열계의블록은노광후 현상전, 반사방지막형성후 및상층막형성후의각 기판을가열한다.
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公开(公告)号：KR101638639B1
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：KR1020110043717
申请日：2011-05-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/67178 , H01L21/67288 , H01L21/67745
Abstract: 본발명의과제는, 단위블록에이상이발생하거나, 메인터넌스를행할때에, 도포, 현상장치의처리량의저하를억제하는동시에처리블록의설치면적을억제하는것이다. 적층된전단처리용단위블록과, 각각대응하는적층된후단처리용단위블록사이에설치되고, 양단위블록의반송기구사이에서기판의전달을행하기위한도포처리용전달부와, 각단의도포처리용전달부사이에서기판의반송을행하기위해승강가능하게설치된보조이동탑재기구와, 상기전단처리용단위블록에적층된현상처리용단위블록을구비하는도포, 현상장치를구성한다. 각층 사이에서기판을전달할수 있으므로, 사용불가능해진단위블록을피하여기판을반송할수 있다. 또한, 현상용단위블록과전단처리용단위블록이적층되어있으므로설치면적이억제된다.
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公开(公告)号：KR1020120008457A
公开(公告)日：2012-01-30
申请号：KR1020110070176
申请日：2011-07-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67178 , G03F7/16 , G03F7/162 , G03F7/30 , G03F7/3021 , H01L21/67184 , H01L21/67225 , H01L21/6723 , H01L21/0274
Abstract: PURPOSE: A coating and developing apparatus, a coating and developing method, and a memory storage medium are provided to laminate a plurality of unit blocks for performing a developing process, thereby controlling the installation area of the apparatus. CONSTITUTION: A carrier block(S1) comprises a loading table(11), an opening and closing part(12), and a transfer arm(13). The transfer arm withdraws a wafer(W) from a carrier(C) through the opening and closing part. The transfer arm comprises five wafer retention support parts(14) in up and down directions. A processing block(S20) is comprised of a front end side processing block(S2) installed in a carrier block side and a rear side processing block(S3) installed in an interface block(S4) side. A liquid processing unit(21) comprises an antireflection film formation module(BCT1) and a resist film formation module(COT1).
Abstract translation: 目的：提供一种涂覆和显影装置，涂覆和显影方法以及存储介质以层叠多个单元块以进行显影处理，从而控制装置的安装面积。 构成：载体块（S1）包括装载台（11），开闭部分（12）和传送臂（13）。 传送臂通过打开和关闭部分从托架（C）提取晶片（W）。 传送臂在上下方向上包括五个晶片保持支撑部分（14）。 处理块（S20）包括安装在承载块侧的前端侧处理块（S2）和安装在接口块（S4）侧的后侧处理块（S3）。 液体处理单元（21）包括抗反射膜形成模块（BCT1）和抗蚀膜形成模块（COT1）。
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公开(公告)号：KR1020120005938A
公开(公告)日：2012-01-17
申请号：KR1020110043717
申请日：2011-05-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/67178 , H01L21/67288 , H01L21/67745 , H01L21/0274
Abstract: PURPOSE: A coating, developing apparatus, coating and developing method, and storage medium are provided to laminate a plurality of unit blocks for processing a developing treatment process on a laminated body, thereby suppressing the installation area of the apparatus. CONSTITUTION: A carrier block(S1) comprises a loading table(11) loading a carrier(C), an opening and closing part, and a transfer arm(13). The transfer arm comprises five wafer maintenance support parts(14) in up and down directions. A processing block(S2) comprises unit blocks(B1-B6) which perform a liquid processing process on a wafer. The unit block comprises a heating module, a main arm, and a return area. A shelf unit(U10) is comprised by a plurality of modules laminated each other. A shelf unit(U11) is installed in an interface block(S4).
Abstract translation: 目的：提供一种涂布，显影装置，涂布和显影方法以及存储介质以层叠多个单元块，以对叠层体进行显影处理处理，从而抑制装置的安装面积。 构成：载体块（S1）包括装载载体（C）的装载台（11），打开和关闭部分以及传送臂（13）。 传送臂在上下方向上包括五个晶片维护支撑部件（14）。 处理块（S2）包括对晶片执行液体处理处理的单元块（B1-B6）。 单元块包括加热模块，主臂和返回区域。 搁板单元（U10）由彼此层叠的多个模块构成。 一个搁板单元（U11）安装在接口块（S4）中。
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公开(公告)号：KR101020338B1
公开(公告)日：2011-03-08
申请号：KR1020060033843
申请日：2006-04-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: B05C11/08 , H01L51/0005
Abstract: 복수의 처리액 공급 노즐을 일체적으로 설치한 노즐 유닛을 이용하여 기판, 예를 들어 반도체 웨이퍼로의 처리액의 공급을 행하는 데 있어서, 노즐 유닛의 대형화를 억제하여 각 처리액 공급 노즐 내의 처리액의 건조를 방지하는 것이다.
노즐 유닛(4)의, 각각의 처리액 공급 노즐(4A 내지 4J)의 선단부 내부의 처리액층(71)의 외측에 공기층(73)과 처리액의 용제층(74)을 형성한다. 계속해서, 상기 처리액 공급 노즐(4A)의 상기 용제층(74)을 대기 유닛(6)의 액 배출부(62)로 배출하고, 계속해서 이 노즐(4A)로부터 웨이퍼(W) 표면에 처리액을 공급하여 도포 처리를 행한다. 이후 노즐(4A) 내에 잔존하는 처리액을 흡인하고, 계속해서 노즐 유닛(4)의 각 노즐(4A 내지 4J)의 선단부를, 대기 유닛(6)의 용제 저류부(62A 내지 62J)의 용제 내부에 침지하고, 상기 1개의 노즐(4A)을 흡인함으로써 상기 노즐(4A)의 선단부 내부의 처리액층(71)의 외측에 공기층(73)과 용제층(74)을 형성한다.
용제층, 공급 노즐, 액 배출부, 용제 저류부, 노즐 유닛-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101807321B1
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020120016421
申请日：2012-02-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 본발명은소수화처리모듈또는도포막형성용의단위블록에이상이발생하거나, 메인터넌스를행할때에도포, 현상장치의가동효율의저하를억제할수 있고, 기판의반송수단의동작의복잡화를방지하는기술을제공하는것이다. 서로동일한도포막이형성되는 N중화된도포용의단위블록과, 상기캐리어블록과처리블록사이의승강반송블록에있어서, 상기도포막을형성하기전의기판에대해소수화처리하기위한 N그룹의소수화모듈과, 상기 N그룹의소수화모듈로부터각각대응하는도포용의단위블록에기판을전달하도록제어되는전달기구를구비하도록도포, 현상장치를구성한다.
Abstract translation: 本发明是用于产生异常单元块，用于疏水化处理模块或也形成覆盖膜的技术，或甚至进行维修和被包括以抑制的显影装置的运行效率的劣化，防止在基板的输送装置的操作的复杂性 提供。 用于在载体块和处理块之间的上升和下降传输块中形成涂布膜之前使基底疏水化的N-分组疏水模块， 控制转移机构将衬底从N组的疏水模块转移到对应的压印单元的相应单元块。
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公开(公告)号：KR101667823B1
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：KR1020110070176
申请日：2011-07-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67178 , G03F7/16 , G03F7/162 , G03F7/30 , G03F7/3021 , H01L21/67184 , H01L21/67225 , H01L21/6723
Abstract: 본발명의과제는단위블록에이상이발생하거나, 메인터넌스를행할때에, 도포, 현상장치의처리량의저하를억제하는동시에처리블록의설치면적을억제하는것이다. 적층된전단처리용단위블록과, 각각대응하는적층된후단처리용단위블록사이에설치되어, 양단위블록의반송기구사이에서기판의전달을행하기위한도포처리용전달부와, 각단의도포처리용전달부사이에서기판의반송을행하기위해승강가능하게설치된보조이동탑재기구와, 상기전단처리용단위블록, 후단처리용단위블록각각에적층된현상처리용단위블록을구비하는도포, 현상장치를구성한다. 각층 사이에서기판을전달시키므로, 사용불가로된 단위블록을피해기판을반송할수 있다. 또한, 현상용단위블록이, 전단처리용및 후단처리용단위블록에적층되어있으므로, 설치면적이억제된다.
Abstract translation: 本发明的一个目的是产生异常单元块，或进行维护时，抑制涂层，吞吐量的显影装置的劣化的同时，抑制该处理块的设置面积。 用于在用于前端处理的堆叠单元块之间转移基板的转移部分和用于在两个单元块的转移机构之间堆叠用于转移基板的后端处理的相应单元块， 以及显影单元单元，其包括显影单元块，所述显影单元块堆叠在前端处理单元块和后端处理单元块中的每一个上，以便能够上下移动以从传送单元 构建。 由于衬底在各个层之间转移，所以衬底可以由不可用的单元块承载。 此外，由于显影单元块层叠在用于前端处理和后端处理的单元块上，所以安装区域被抑制。
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公开(公告)号：KR101595593B1
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：KR1020110043716
申请日：2011-05-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/16 , H01L21/6715
Abstract: 본발명의과제는처리블록의설치면적을억제하는동시에장치의가동효율의저하를억제할수 있는기술을제공하는것이다. 검사모듈에의한검사에서기판에이상이검출되었을때에, 기억부에기억된데이터에기초하여, 후속의기판의반송모드를, 모드 M1 및 M2로부터선택하기위한모드선택부를구비하도록도포, 현상장치를구성한다. 상기모드 M1은현상처리용단위블록에있어서의기판이처리된모듈을특정하여, 후속의기판을, 특정된모듈이외의모듈로반송하도록단위블록용반송기구의동작을제어하는모드이고, 상기모드 M2는기판이처리된현상처리용단위블록을특정하여, 후속의기판을, 특정된현상처리용단위블록이외의현상처리용단위블록으로반송하도록전달기구의동작을제어하는모드이다.
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公开(公告)号：KR101339608B1
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020080028876
申请日：2008-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67745 , H01L21/67178
Abstract: 본 발명의 과제는 도포, 현상 장치에 있어서, 요구되는 스루풋에 따라서 장치의 설계나 제조를 용이하게 행할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
캐리어 블럭(S1)과 인터페이스 블럭(S6) 사이에, 도포막 형성용 단위 블럭과 현상 처리용 단위 블럭을 포함하는 복수의 단위 블럭을 적층하여 구성된 동일한 구성의 처리 블럭(S2 내지 S4)을 서로 전후로 접속하여 설치한다. 이와 같이 동일한 구성의 처리 블럭(S2 내지 S4)을 준비하고, 캐리어 블럭(S1)과 인터페이스 블럭(S6) 사이에 배열하는 처리 블럭의 개수를 증감시킴으로써, 도포, 현상 장치의 처리 속도를 조정함으로써, 요구되는 스루풋에 따라서 장치의 설계나 제조를 용이하게 행할 수 있다.
캐리어 블럭, 인터페이스 블럭, 처리 블럭, 반도체 웨이퍼, 노광 장치Abstract translation: 发明内容本发明的目的是提供一种能够根据涂布和显影设备中的所需通过量容易地设计和制造设备的技术。
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公开(公告)号：KR101061706B1
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020100093044
申请日：2010-09-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/302
CPC classification number: B05C11/08 , H01L51/0005
Abstract: 복수의 처리액 공급 노즐을 일체적으로 설치한 노즐 유닛을 이용하여 기판, 예를 들어 반도체 웨이퍼로의 처리액의 공급을 행하는 데 있어서, 노즐 유닛의 대형화를 억제하여 각 처리액 공급 노즐 내의 처리액의 건조를 방지하는 것이다.
노즐 유닛(4)의, 각각의 처리액 공급 노즐(4A 내지 4J)의 선단부 내부의 처리액층(71)의 외측에 공기층(73)과 처리액의 용제층(74)을 형성한다. 계속해서, 상기 처리액 공급 노즐(4A)의 상기 용제층(74)을 대기 유닛(6)의 액 배출부(62)로 배출하고, 계속해서 이 노즐(4A)로부터 웨이퍼(W) 표면에 처리액을 공급하여 도포 처리를 행한다. 이후 노즐(4A) 내에 잔존하는 처리액을 흡인하고, 계속해서 노즐 유닛(4)의 각 노즐(4A 내지 4J)의 선단부를, 대기 유닛(6)의 용제 저류부(62A 내지 62J)의 용제 내부에 침지하고, 상기 1개의 노즐(4A)을 흡인함으로써 상기 노즐(4A)의 선단부 내부의 처리액층(71)의 외측에 공기층(73)과 용제층(74)을 형성한다.Abstract translation: 在通过使用整体设置有多个处理液供给喷嘴的喷嘴单元向基板（例如半导体晶片）供应处理液时，喷嘴单元的尺寸被抑制， 从而防止墨水干燥。
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