Abstract:
본 발명은 비용의 증가를 방지하면서 포커스 링의 냉각 효율을 비약적으로 향상시킬 수 있는 포커스 링을 구비한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 이 플라즈마 처리 장치는 정전 척 및 포커스 링을 구비하는 서셉터를 포함한다. 프라즈마 처리될 웨이퍼(W)가 정전 척상에 장착된다. 포커스 링은 유전제부 및 도전체부를 구비한다. 유전체부는 정전 척과 접촉하여 배치된 접촉부를 형성한다. 도전체부는 유전체부를 사이에 두고 정전 척과 대향한다.
Abstract:
본 발명의 진공 처리 장치에 있어서의 유공 내부재의 코팅 방법은, 금속 재료로 이루어진 심재(22)와, 코팅막(80)에 대하여 비접합성의 수지 재료와 금속 재료의 복합체로 이루어져 심재(22)의 외주를 덮는 금속-수지 복합층(24)을 구비하는 마개(20)로, 유공 내부재(81)의 작은 구멍(78)을 막는 단계(A)와, 단계(A) 후에 유공 내부재(81)의 표면에 플라즈마 용사에 의해 세라믹 재료로 이루어진 코팅막(80)을 형성하는 단계(B)와, 단계(B) 후에 작은 구멍(78)으로부터 마개(20)를 뽑아내는 단계(C)를 포함하며, 작은 구멍을 마개로 막아 두는 기술에 있어서의 문제점을 해소하여, 품질 성능이 우수한 코팅막을 능률적으로 제작할 수 있게 된다.
Abstract:
본 발명은 반도체 웨이퍼를 가공하여 고집적 회로를 형성하는 플라즈마 처리장치용 전극판을 제조하는 방법을 제공한다. 이 방법은 액상의 열경화성 수지를 열경화하여 수지 성형체를 얻는 성형공정과, 상기 열경화된 수지 성형체를 비산화 분위기하에서 가열하고 탄소화하여 유리상 탄소로 된 소성체를 얻는 하나 또는 둘의 소성공정과, 소성체의 일 표면깊이의 20㎛ 내지 1.25㎜를 플라즈마에 노출하여 연마하는 연마공정을 포함한다.
Abstract:
적재대(24)는 면형으로 배치된 하측 가열 히터(38)와, 가열 히터(38)를 상하로부터 끼우도록 배치된 상측 및 하측 세라믹스 금속 복합체(40A, 40B)와, 상측 세라믹스 금속 복합체(40A)의 상면에 접합되어 피처리체(W)를 흡착 유지하는 세라믹스제 정전척(28)을 포함하여 구성된다. 상측 세라믹스 금속 복합체(40A)와 정전척(28)의 선팽창 계수는 거의 동일하게 되어 있고, 이에 따라 양자의 열 신축량의 차이에 기인한 정전척(28)의 박리나 균열의 발생을 방지할 수 있다.
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적재대(24)는 면형으로 배치된 하측 가열 히터(38)와, 가열 히터(38)를 상하로부터 끼우도록 배치된 상측 및 하측 세라믹스 금속 복합체(40A, 40B)와, 상측 세라믹스 금속 복합체(40A)의 상면에 접합되어 피처리체 W를 흡착 유지하는 세라믹스제 정전 척(28)을 포함하여 구성된다. 상측 세라믹스 금속 복합체(40A)와 정전 척(28)의 선형 열 팽창 계수는 거의 동일하게 되어 있고, 이에 따라 양자의 열 신축량의 차이에 기인한 정전 척(28)의 박리나 균열의 발생을 방지할 수 있다.