플라즈마처리장치용전극판의제조방법
    13.
    发明授权
    플라즈마처리장치용전극판의제조방법 失效
    用于制造用于等离子体处理装置的电极板的方法

    公开(公告)号:KR100476350B1

    公开(公告)日:2005-05-16

    申请号:KR1019970054459

    申请日:1997-10-23

    Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼를 가공하여 고집적 회로를 형성하는 플라즈마 처리장치용 전극판을 제조하는 방법을 제공한다. 이 방법은 액상의 열경화성 수지를 열경화하여 수지 성형체를 얻는 성형공정과, 상기 열경화된 수지 성형체를 비산화 분위기하에서 가열하고 탄소화하여 유리상 탄소로 된 소성체를 얻는 하나 또는 둘의 소성공정과, 소성체의 일 표면깊이의 20㎛ 내지 1.25㎜를 플라즈마에 노출하여 연마하는 연마공정을 포함한다.

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