公开(公告)号：KR1020010039694A

公开(公告)日：2001-05-15

申请号：KR1020000036288

申请日：2000-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오노히로키 ,  야부타타카시 ,  이이노타다시 ,  오리이타케히코

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B01J19/1887 ,  B05C11/08 ,  H01L21/31133

Abstract: PURPOSE: Provided is a substrate treatment method without damages, when manufacturing a metal wiring, especially copper wiring. CONSTITUTION: In the water treatment method, a photoresist film(104) is formed on a wafer(W) where a copper film(101), an SiN film(102), and a low-k film(103) are formed successively, dry etching is made with the photoresist film(104) as an etching mask, a contact hole(105) is formed, and the photoresist film(104) and a sidewall protective film(polymer film,106) are eliminated(wet-treated) by a resist polymer removing liquid in an inner treatment chamber.

Abstract translation: 目的：制造金属布线，特别是铜布线时，不需要损坏的基板处理方法。 构成：在水处理方法中，在连续形成铜膜（101），SiN膜（102）和低k膜（103）的晶片（W）上形成光致抗蚀剂膜（104） 用光致抗蚀剂膜（104）作为蚀刻掩模进行干蚀刻，形成接触孔（105），并且去除（湿处理）光致抗蚀剂膜（104）和侧壁保护膜（聚合物膜106） 通过在内部处理室中的抗蚀剂聚合物去除液体。

公开(公告)号：KR101874526B1

公开(公告)日：2018-07-04

申请号：KR1020130090350

申请日：2013-07-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코미야코 ,  오리이타케히코 ,  시무라사토루 ,  야마시타마사미 ,  칸노이타루

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/0206 ,  B08B3/08 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/68728

Abstract: 패턴손상또는하지막의침식을억제하면서, 기판에부착한파티클을제거하는것이다. 실시예에따른기판세정장치는, 제 1 액공급부와제 2 액공급부를구비한다. 제 1 액공급부는, 휘발성분을포함하고기판상에막을형성하기위한처리액을기판으로공급한다. 제 2 액공급부는, 제 1 액공급부에의해기판으로공급되고, 휘발성분이휘발함으로써기판상에서고화또는경화한처리액에대하여처리액의전부를제거하는제거액을공급한다.

公开(公告)号：KR1020150055591A

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：KR1020140157078

申请日：2014-11-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코미야코 ,  타노우치케이지 ,  오리이타케히코 ,  칸노이타루

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02041 ,  B08B7/0014 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67051

Abstract: 하지막의침식을억제하면서, 기판에부착한입자직경이작은불요물을제거하는것이다. 실시예에따른기판세정방법은, 성막처리액공급공정과, 박리처리액공급공정을포함한다. 성막처리액공급공정은, 표면이친수성인기판에대하여, 휘발성분을포함하고기판상에막을형성하기위한성막처리액을공급한다. 박리처리액공급공정은, 휘발성분이휘발함으로써성막처리액이기판상에서고화또는경화되어이루어지는처리막에대하여, 처리막을기판으로부터박리시키는박리처리액을공급한다.

Abstract translation: 本发明是为了抑制底层的侵蚀，除去附着在基板上的小粒径的废弃物。 根据一个实施方式，基板清洗方法包括沉积处理液体供给处理和分层处理液体供给处理。 沉积处理液体供给工序将含有挥发成分的沉积处理液供给到具有亲水性表面的基板上，在基板上形成膜。 脱层处理液体供给工序，使作为处理膜的脱层处理液从基板向处理膜分离，使分层处理液在挥发性成分挥发时固化或固化在基板上。

公开(公告)号：KR1020120086272A

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：KR1020120007269

申请日：2012-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노히로키 ,  오리이타케히코

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/31111 ,  H01L21/6708

Abstract: PURPOSE: A liquid processing method, a liquid processing apparatus and a recording medium are provided to maintain an etching speed ration of silicon nitride to silicon oxide by maintaining etchants over 140 degrees centigrade. CONSTITUTION: A controller(5) includes a computer with a CPU and a memory unit. A heating unit(3A,3B) heats etchants in a heating tank(31) by operating a circulation pump(32) and a heating device(33). The heating unit constantly maintains the temperature of the etchant at a preset temperature by controlling the output of the heating device. A liquid processing unit(2) rotates a wafer on a spin chuck by operating a rotation shaft. A liquid processing unit supplies the etchants to the center of the surface of the wafer by operating a nozzle unit(28).

Abstract translation: 目的：提供液体处理方法，液体处理装置和记录介质，以通过保持超过140摄氏度的蚀刻剂来保持氮化硅与氧化硅的蚀刻速度比。 构成：控制器（5）包括具有CPU和存储器单元的计算机。 加热单元（3A，3B）通过操作循环泵（32）和加热装置（33）来加热加热罐（31）中的蚀刻剂。 加热单元通过控制加热装置的输出将蚀刻剂的温度恒定地保持在预设温度。 液体处理单元（2）通过操作旋转轴来旋转旋转卡盘上的晶片。 液体处理单元通过操作喷嘴单元（28）将蚀刻剂提供给晶片表面的中心。

公开(公告)号：KR100887360B1

公开(公告)日：2009-03-06

申请号：KR1020020003783

申请日：2002-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  오리이타케히코

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67103 ,  B08B3/04 ,  B08B3/10 ,  H01L21/67051

Abstract: 본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 처리액을 공급하여 기판(W)을 기판처리장치(8)에서 기판(W)을 보유유지하는 보유유지수단(22) 과, 보유유지수단(22)에 의해 보유유지된 기판(W) 하면에 근접한 처리위치(A)와 기판(W)하면에서 분리된 퇴피위치(B)와의 사이에서 상대적으로 이동하는 하면부재(42)를 구비한다. 처리위치(A)에 이동한 하면부재(42)와 보유유지수단(22)에 의해 보유유지된 기판(W) 하면간에 처리액이 공급되어 기판(W) 하면이 처리된다. 또한, 액처리장치의 일실시형태인 세정처리유니트(221a)는 웨이퍼(W)를 대략 수평으로 보유유지하는 스핀척(223)과 스핀척(223)에 보유유지된 웨이퍼(W)의 하측으로 대략 수평으로 설치된 스테이지(224)와, 스핀척(223)으로 보유유지된 웨이퍼(W)와 스테이지(224)와의 간격에 소정의 세정액을 공급하는 세정액 공급구멍(241)을 구비한다. 스테이지(224)의 표면은 세정액의 접촉각이 50도 이상이되는 누수성을 갖추도록 소수성 폴리머로 코팅되어 있고, 스핀척(223)에 보유유지된 웨이퍼(W) 와 스테이지(224)의 간격에 세정액층을 형성하여 웨이퍼(W)의 액처리를 실행하는 기술이 제공된다.

Abstract translation: 基板处理装置和基板处理方法技术领域本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法，并且包括用于将基板（W）保持在基板处理设备（8）中的保持装置（22） 以及下表面部件42，其在靠近被下表面22保持的基板W的下表面的加工位置A与从基板W的下表面离开的后退位置B之间相对移动。 处理液被供给到由保持部件22保持的基板W的下表面，移动到处理位置A的下表面部件42被处理，基板W的下表面被处理。 此外，该液体处理装置的清洗处理单元（221A）的一个实施方案中的下侧为在大致水平保持机构保持的晶片（W）保持在旋转卡盘223的晶片（W），和一个旋转卡盘223 以及清洗液供给孔241，用于向由旋转卡盘223保持的晶圆W与工作台224之间的间隔供给规定的清洗液。 所述级224的表面是涂布有方式的疏水性聚合物的有泄漏的特性，即清洗液异常50度的接触角，并在晶片（W）的时间间隔内的洗涤液层和载物台224被保持保持在旋转卡盘223 提供晶片W的液体处理。

公开(公告)号：KR100677965B1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：KR1020000063957

申请日：2000-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오리이타케히코 ,  오오노히로키 ,  야부타타카시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02071 ,  G03F7/405 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/76814

Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로써, 금속층을 가지는 기판에 부착한 폴리머층과 금속부착물을 제거하는 방법에 관한 것이다. 우선 불활성가스 분위기 속에서 약제로 폴리머층을 제거한다. 이후 불활성가스 분위기 속으로 미량의 산소를 도입하여 금속부착물을 산화시키고, 산화된 금속부착물을 약제로 제거하는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR1020030082422A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：KR1020030023562

申请日：2003-04-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오리이타케히코 ,  무코야마마사히로 ,  난바히로미츠

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051

Abstract: 세정처리장치는 웨이퍼(W)를 보지하는 스핀척과, 웨이퍼(W)의 이면에 대하여 소정 간격으로 대향하는 언더플레이트와, 언더플레이트를 지지하는 지지부재와, 언더플레이트 및 지지부재를 관통하는 노즐구멍을 갖는다. 노즐구멍에는 개폐밸브를 통하여 각각 약액, 순수, 가스를 공급할 수 있고, 노즐구멍의 내부에 잔류하는 약액이나 순수를 홉인장치에 의해 흡인한다. 웨이퍼(W)의 순수처리 후에 노즐구멍 내부에 잔류하는 순수를 흡인장치에 의해 흡인제거하고, 이어서 가스를 웨이퍼(W)의 이면에 분사한다.

公开(公告)号：KR1020010051335A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020000063957

申请日：2000-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오리이타케히코 ,  오오노히로키 ,  야부타타카시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02071 ,  G03F7/405 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/76814

Abstract: PURPOSE: A substrate treating method and a substrate treating equipment is provided to eliminate metal sticking to a substrate, without damaging the metal layer. CONSTITUTION: When metal deposit adhering to a substrate(W) having a metal layer is eliminated by using treatment liquid, the substrate(W) is inserted in a chamber(8), a prescribed amount of inert gas and oxygen containing gas are introduced in the chamber(8), oxygen atmosphere having a prescribed concentration is formed in the chamber(8), the treatment liquid is supplied to the chamber, and the deposit which is oxidized by oxygen in the atmosphere in the chamber is dissolved and removed.

Abstract translation: 目的：提供基板处理方法和基板处理设备，以消除金属粘附到基板上而不损坏金属层。 构成：通过使用处理液除去附着在具有金属层的基板（W）上的金属沉积物时，将基板（W）插入室（8）中，将规定量的惰性气体和含氧气体引入 在室（8）中形成具有规定浓度的氧气氛，将处理液供给到室内，并将溶解并除去室内的气氛中的氧被氧化的沉积物。

公开(公告)号：KR102265232B1

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：KR1020140111577

申请日：2014-08-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코미야코 ,  오리이타케히코 ,  칸노이타루

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：KR102049431B1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：KR1020190044219

申请日：2019-04-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코미야코 ,  오리이타케히코 ,  시무라사토루 ,  야마시타마사미 ,  칸노이타루

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02