公开(公告)号：KR1020100116204A

公开(公告)日：2010-10-29

申请号：KR1020107019257

申请日：2009-06-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네나가도미히로 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42

CPC classification number: C23C16/46 ,  H01L21/67109 ,  H05B6/105 ,  H05B6/365 ,  H05B6/44

Abstract: 복수의 서셉터에 각각 탑재된 기판을 한번에 가열할 때, 각 기판의 면내 온도의 균일성을 제어할 수 있도록 한다. 복수의 웨이퍼에 대해 소정의 처리를 실시하는 반응관(104)과, 웨이퍼를 탑재하는 탑재면을 각각 갖고, 도전성 재료로 이루어지는 복수의 서셉터(112)와, 상기 각 서셉터를, 그 탑재면에 수직인 방향에 간격을 두고 배열해서 반응관 내에서 지지하는 회전 자유로운 석영 보트(110)와, 처리실의 측벽에 마련되고, 각 서셉터의 탑재면에 평행한 방향에 교류 자기장을 형성하여 각 서셉터를 유도 가열하는 하쌍의 전자석(120, 130)으로 이루어지는 자기장 형성부와, 이 자기장 형성부에 의해서 형성되는 교류 자기장을 제어하는 제어부(200)를 구비한다.

Abstract translation: 当安装在多个基座中的每一个基座上的基板同时被加热时，可以控制每个基板的平面内温度的均匀性。 由导电材料制成的多个基座112，每个基座具有用于在多个晶片上执行预定处理的反应管104和用于安装晶片的安装表面; 可旋转地设置在反应管中并且在与基座的表面垂直的方向上彼此间隔开的石英舟110以及AC磁场在与每个基座的安装表面平行的方向上形成， 磁场形成部分由用于感应加热基座的一对电磁铁120和130以及控制由磁场形成部分形成的交变磁场的控制部分200组成。

公开(公告)号：KR1020000071576A

公开(公告)日：2000-11-25

申请号：KR1020000017916

申请日：2000-04-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  이와타데루오 ,  고미야다로 ,  요네나가도미히로

IPC: C23C16/00

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45514 ,  H01J37/3244 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/32633 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323

Abstract: 가스처리장치(1)는기밀하게구성된처리실(2)과, 처리실(2)에접속된가스도입관(3)과, 가스도입관(3)을통해처리실(2) 내에가스를공급하는가스공급원(4)과, 처리실(2) 내에배치되고웨이퍼(6)를적재하는적재대(7)와, 가스도입관(3)의가스출구(3a)에설치되어분출측을적재대(7)측을향해배치된샤워헤드(8)와, 샤워헤드(8)의적재대측격벽을구성하는다수의토출홀(10)이천공된토출판(9)과, 토출판(9)과가스도입관(3)의가스출구(3a)와의사이에배치되고다수의관통홀(12)이천공된배플판(11)을구비한다. 관통홀(12)은가스도입관(3)측에형성된상측홀부(13)와, 토출판(9)측에상측홀부(13)로부터확대개방된하측홀부(14)로이루어지는상이한직경홀로구성된다. 그결과, 피처리체상의전면에가스를균일하게공급할수 있는가스처리장치, 가스처리방법및 그와같은장치나방법에이용하는배플판이제공된다.

公开(公告)号：KR1019940027046A

公开(公告)日：1994-12-10

申请号：KR1019940010189

申请日：1994-05-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카스미 ,  후지카와유이치로 ,  요네나가도미히로 ,  리히데키

IPC: H01L21/20

Abstract: 처리실의 상단면에 접합하여 그 구멍을 폐쇄하는 덮개체에 처리가스 공급구와 처리가스 이송통로를 설치함과 동시에, 이들 처리가스 공급구와 처리가스 이송통로를 접속관으로 접속한다. 또, 처리실에 처리가스 공급원을 접속함과 동시에, 그 측벽에 처리가스 이송통로와 통하는 처리가스 도입로를 형성한다. 또, 처리실과 덮개체의 대향면중 어느 하나에 있어서의 처리가스 이송통로 또는 처리가스 도입로의 구멍 끝단의 주위에, 이 구멍끝단을 포위하는 시일부재를 장착한다. 이것에 의하여 처리가스 공급계에 있어서의, 퍼티클의 발생을 미연에 방지하고, 처리가스의 공급의 원활화 및 생산성 및 능률을 향상하며, 메인티넌스 작업의 경감을 도모할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019930011177A

公开(公告)日：1993-06-23

申请号：KR1019920021338

申请日：1992-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구보데라마사오 ,  나루시마마사키 ,  오자와마사히토 ,  구마가이히로미 ,  요네나가도미히로 ,  다나카수미

IPC: H01L21/68

Abstract: 처리용기 내에 설치한 재치수단상에 재치된 피처리체를 가열처리하는 장치로서, 피처리체의 처리면의 뒷면에 대향하여 배설된 여러 개의 램프와, 이 여러 개의 램프를 원통형상으로 배열하여 재치한 회로체와, 이 회전체를 회전구동하는 구동원과, 로 되는 것을 특징으로 하는 처리장치에 관한 것이다. 또, 가스 공급관으로 부터 처리가스를 처리용기내에 구획하여 형성된 가스실에 이끌리어 이 가스실의 출구에서 상기 처리가스를 상기 처리용기내에 설치한 재치수단상에 재치된 피처리제를 향하여 불어서 표면처리하는 장치로서, 상기 가스실내에 각각 다수개의 통기구멍을 형성한 여러 개의 간막이판을 처리가스 흐름방향으로 소정의 간격을 두고 배설한 것을 특징으로하는 처리장치에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR101500883B1

公开(公告)日：2015-03-09

申请号：KR1020137001374

申请日：2012-02-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  미쯔이 죠센 가부시키가이샤

Inventor： 요네나가도미히로 ,  가와노유미코 ,  우치다나오키 ,  오자키가즈히로

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67303

Abstract: 서셉터의 주연부로부터 들어가는 자속의 투과를 제어하는 것에 의해, 서셉터의 면 내 온도를 정확하게 제어한다. 기판을 탑재하는 탑재면을 갖는 도전성 부재로서, 주연부(210)와 이것에 둘러싸이는 내측부(220)로 나눠지고, 내측부는 후판 형상 발열체로 이루어지고, 주연부는 내측부보다 얇은 박판 형상 발열체를 서로 전기적으로 절연한 상태에서 적층하여 이루어지는 서셉터(200)와, 서셉터의 측면으로부터 그 탑재면에 평행한 방향으로 교류 자장을 형성하는 전자석(120)을 구비하고, 이 전자석에 감겨진 유도 코일(124)에 인가하는 2개의 주파수의 고주파 전류에 의해 각 박판 형상 발열체에 발생하는 유도 전류를 제어하여 내측부까지의 자속의 투과를 제어하는 것에 의해, 각 서셉터의 주연부의 발열량과 내측부의 발열량의 비율을 변화시켜 온도 제어를 행한다.

公开(公告)号：KR100667714B1

公开(公告)日：2007-01-15

申请号：KR1020000017916

申请日：2000-04-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  이와타데루오 ,  고미야다로 ,  요네나가도미히로

IPC: C23C16/00

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45514 ,  H01J37/3244

Abstract: 가스 처리 장치(1)는 기밀하게 구성된 처리실(2)과, 처리실(2)에 접속된 가스 도입관(3)과, 가스 도입관(3)을 통해 처리실(2) 내에 가스를 공급하는 가스 공급원(4)과, 처리실(2) 내에 배치되고 웨이퍼(6)를 적재하는 적재대(7)와, 가스 도입관(3)의 가스 출구(3a)에 설치되어 분출측을 적재대(7)측을 향해 배치된 샤워 헤드(8)와, 샤워 헤드(8)의 적재대측 격벽을 구성하는 다수의 토출홀(10)이 천공된 토출판(9)과, 토출판(9)과 가스 도입관(3)의 가스 출구(3a)와의 사이에 배치되고 다수의 관통홀(12)이 천공된 배플판(11)을 구비한다. 관통홀(12)은 가스 도입관(3)측에 형성된 상측홀부(13)와, 토출판(9)측에 상측홀부(13)로부터 확대 개방된 하측홀부(14)로 이루어지는 상이한 직경 홀로 구성된다. 그 결과, 피처리체 상의 전면에 가스를 균일하게 공급할 수 있는 가스 처리 장치, 가스 처리 방법 및 그와 같은 장치나 방법에 이용하는 배플판이 제공된다.

公开(公告)号：KR100257105B1

公开(公告)日：2000-05-15

申请号：KR1019940010189

申请日：1994-05-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카스미 ,  후지카와유이치로 ,  요네나가도미히로 ,  리히데키

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/45521 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45568 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/481 ,  C23C16/54

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR100216740B1

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：KR1019920021338

申请日：1992-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구보데라마사오 ,  나루시마마사키 ,  오자와마사히토 ,  구마가이히로미 ,  요네나가도미히로 ,  다나카수미

IPC: H01L21/68

CPC classification number: C23C16/45512 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/481 ,  C30B25/105 ,  C30B31/20 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115

Abstract: 처리용기 내에 설치한 재치수단상에 재치된 피처리체를 가열처리하는 장치로서, 피처리체의 처리면의 뒷면에 대향하여 배설된 여러 개의 램프와, 이 여러개의 램프를 원통형상으로 배열하여 재치한 회전체와, 이 회전체를 회전구동하는 구동원과, 로 되는 것을 특징으로 하는 처리장치에 관한 것이다. 또, 가스공급관으로부터 처리가스를 처리용기내에 구획하여 형성된 가스실에 이끌리어 이 가스실의 출구에서 상기 처리가스를 상기 처리용기내에 설치한 재치수단상에 대치된 피처리체를 향하여 불어서 표면처리하는 장치로서, 상기 가스실내에 각각 다수 개의 통기구멍을 형성한 여러 개의 간막이판을 처리가스 흐름방향으로 소정의 간격을 두고 배설한 것을 특징으로 하는 처리장치에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019950006969A

公开(公告)日：1995-03-21

申请号：KR1019940020358

申请日：1994-08-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리히에키 ,  요네나가도미히로

IPC: H01L21/205

Abstract: 성막장치는 성막면을 가지는 반도체웨이퍼를 수용하고, 그 중에서 반도체웨이퍼에 대하여 성막처리를 행하는 챔버와, 그 막을 형성하기 위한 처리가스를 반도체웨이퍼의 성막면으로 공급하는 처리가스 공급계와, 반도체웨이퍼를 가열하여 성막가스를 분해하고, 웨이퍼상에 막을 형성하기 위한 가열체와, 반도체웨이퍼의 성막면의 뒷면쪽으로부터 반도체웨이퍼의 둘레부로 향하여 퍼지가스를 공급하기 위한 퍼지가스 공급계와, 반도체웨이퍼에 대하여 성막을 행할 때에, 막이 형성되는 면의 둘레부를 덮는 위치에 위치되고, 그 때에 그 바깥둘레가 상기 피처리체의 바깥둘레로부터 돌출하도록 설치되는 링부재를 구비하고 있다. 이 링부재에 의하여 퍼지가스의 실질적으로 전부가 상기 피처리체의 바깥쪽으로 흐르는 유로가 형성된다.