公开(公告)号：KR100632844B1

公开(公告)日：2006-10-13

申请号：KR1020047005623

申请日：2002-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32486 ,  H01J37/32834

Abstract: A microwave plasma substrate processing apparatus is formed of a processing vessel defining a process space in which a plasma processing is conducted, a stage provided in the process space for supporting the substrate to be processed, an evacuation passage formed between the processing vessel and the stage so as to surround the stage, an evacuation system connected to the processing vessel for evacuating the process space via the evacuation passage, a process gas supplying system for introducing a process gas into the process space, a microwave window provided so as to face the substrate to be processed on the stage and formed of a dielectric material and extending substantially parallel to the substrate to be processed, the microwave window forming a part of an outer wall of the processing vessel, and a microwave antenna coupled to the microwave window, wherein at least a part of the processing vessel is covered with an insulation layer.

公开(公告)号：KR1020040045847A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：KR1020047005623

申请日：2002-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32486 ,  H01J37/32834

Abstract: 기판 처리 장치는 플라즈마 처리가 행해지는 처리 공간을 구획하는 처리 용기와, 상기 처리 공간 내에 설치되어, 피처리 기판을 유지하는 기판 유지대와, 상기 처리 용기와 상기 기판 유지대 사이에 상기 기판 유지대를 둘러싸도록 형성된 배기 통로와, 상기 처리 용기에 결합되어, 상기 배기 통로를 통해 상기 처리 공간을 배기하는 배기계와, 처리 가스를 상기 처리 공간에 도입하는 처리 가스 공급계와, 상기 유지대상의 피처리 기판에 대면하도록 설치되고, 유전체 재료로 이루어지며, 상기 피처리 기판에 실질적으로 평행하게 연장하여 상기 처리 용기 외벽의 일부를 구성하는 마이크로파 창과, 상기 마이크로파 창에 결합된 마이크로파 안테나로 이루어지며, 상기 처리 공간의 적어도 일부가 절연층에 의해 덮여 있다.

Abstract translation: 微波等离子体基板处理装置由处理容器形成，处理容器限定进行等离子体处理的处理空间，设置在处理空间中用于支撑待处理基板的台，形成在处理容器与台架之间的排气通道 以围绕所述台;与所述处理容器连接的用于经由所述排气通道排空所述处理空间的排气系统;用于将处理气体引入所述处理空间的处理气体供给系统;面向所述基板设置的微波窗口 在所述台上进行加工，并且由介电材料形成并且基本上平行于待加工的基板延伸，所述微波窗形成所述加工容器的外壁的一部分，以及耦合至所述微波窗的微波天线，其中在 处理容器的至少一部分被绝缘层覆盖。

公开(公告)号：KR100872260B1

公开(公告)日：2008-12-05

申请号：KR1020067016347

申请日：2005-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시바시기요타카 ,  기타가와준이치 ,  후루이신고 ,  티안카이종 ,  야마시타준 ,  야마모토노부히코 ,  니시즈카데츠야 ,  노자와도시히사 ,  니시모토신야 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 본 발명의 목적은 마이크로파를 이용한 플라즈마 처리장치에 있어서, 투과창을 지지하는 지지부와 상기 투과창과의 접점 근방에서, 강한 전계, 고밀도 플라즈마가 발생하는 것을 억제하여, 처리의 질의 향상을 도모하는 데에 있다.
본 발명에 있어서는 마이크로파의 공급에 의해서 발생한 플라즈마에 의해서, 처리용기(2) 내의 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 투과창(20)은 그 하면 중앙 영역에, 투과창(20)과 동일한 재질의 수하부(21)를 갖고 있다. 수하부(21)의 외주면(21a)과, 지지부(6)로부터 이어지는 측벽 내면(5a)과의 사이는 0.5∼10㎜, 더욱 바람직하게는 0.5∼5㎜의 갭 길이를 갖는 간극(d)이 형성되어 있다. 접점(C)에서의 강한 전계, 플라즈마의 발생이 억제되고, 스퍼터된 입자나 라디칼 등이 웨이퍼(W)에 도달하는 양도 억제된다.

Abstract translation: 本发明的目的在于抑制在使用微波的等离子体处理装置中用于支撑透射窗的支撑部和透射窗之间的接触点附近产生强电场和高密度等离子体， 有。

公开(公告)号：KR1020080094808A

公开(公告)日：2008-10-24

申请号：KR1020087021314

申请日：2007-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67126 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/67017 ,  Y10T137/85978

Abstract: A processing device which, when the device is used with the degree of valve opening set to a practical region, can discharge the atmosphere in a processing space to the periphery of a placement table in a uniformly dispersed manner. The processing device is of a single-wafer processing type and processes an object under a predetermined processing pressure. The processing device has a processing container (42) having a gas discharge opening (50) at its bottom and adapted so that vacuum can be drawn from the container, a placement table (44) provided in the processing container to place an object (W) on it, a pressure control valve (88) connected to the gas discharge opening and where the area of the opening of a valve opening (98) can be changed by a slide-type valve body (94), and a gas discharge system (90) connected to the pressure control valve. The pressure control valve is eccentrically positioned relative to the center axis of the placement table so that the placement table is positioned in the opening region formed by a practical region of the degree of opening of the pressure control valve.

Abstract translation: 一种加工装置，其中当所述装置以阀开度设定在实用区域时，可以以均匀分散的方式将处理空间中的气氛排放到放置台的周边。 处理装置具有单晶片加工型，并且在预定的处理压力下处理物体。 处理装置具有在其底部具有气体排出口（50）的处理容器（42），并适于使得能够从容器抽出真空;设置在处理容器中的放置台（44）以放置物体（W ），连接到气体排出口的压力控制阀（88），其中通过滑动式阀体（94）可以改变阀开口（98）的开口面积，并且气体排出系统 （90）连接到压力控制阀。 压力控制阀相对于放置台的中心轴偏心定位，使得放置台位于由压力控制阀的开度的实际区域形成的开口区域中。

公开(公告)号：KR100856159B1

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：KR1020067024792

申请日：2005-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862

Abstract: 본 발명은 기판 처리 장치의 클리닝 효율을 향상시키는 것을 과제로 하고 있다. 이 때문에, 내부에 피처리 기판을 유지하는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 처리를 위한 가스를 공급하는 가스 공급 수단과, 상기 처리 용기 내에 설치되어, 상기 피처리 기판을 유지하는 유지대와, 상기 처리 용기 내의 공간을 제 1 공간과 제 2 공간으로 분리하는 실드판을 갖는 기판 처리 장치로서, 상기 제 1 공간을 배기하는 제 1 배기 경로와, 상기 제 2 공간을 배기하는 제 2 배기 경로를 갖는 기판 처리 장치를 이용하였다.

公开(公告)号：KR1020070020254A

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：KR1020067024792

申请日：2005-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862

Abstract: The purpose of this invention is to improve cleaning efficiency of a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus is provided with a process container for holding inside a substrate to be processed, a gas supplying means for supplying a gas in the process container for processing, a holding table provided in the process container for holding the substrate to be processed, and a shielding board for separating a space in the processing container into a first space and a second space. The substrate processing apparatus, which is provided with a first exhausting path for exhausting the first space, and a second exhausting path for exhausting the second space, is used. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 本发明的目的是提高基板处理装置的清洗效率。 基板处理装置设置有用于保持在待处理基板内的处理容器，用于在处理容器中供给气体的气体供给装置，设置在处理容器中用于保持待处理基板的保持台， 以及用于将处理容器中的空间分离成第一空间和第二空间的屏蔽板。 使用具有用于排出第一空间的第一排气路径和用于排出第二空间的第二排气路径的基板处理装置。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR1020060129318A

公开(公告)日：2006-12-15

申请号：KR1020067015082

申请日：2004-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  모리타오사무 ,  유아사다마키 ,  고타니고지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4411 ,  H01J37/32522 ,  H01L21/67069

Abstract: A substrate processing apparatus for processing a substrate used for manufacturing a semiconductor device. In the apparatus, a mist channel (5) extending through a part of a processing vessel (2) to be cooled is formed, and a mist generator (64) for generating mist and a gas supply source (62) for supplying a carrier gas to transport the generated mist. The temperature of the portion to be cooled is measured by means of a temperature sensor (49). When the measured temperature exceeds a predetermined temperature, a mist of e.g. water is made to flow through the mist channel, and the processing vessel is cooled by the heat of evaporation. Therefore, the temperature of the processing vessel quickly lowers, and a plasma processing can be conducted in a stable atmosphere.

Abstract translation: 一种用于处理用于制造半导体器件的衬底的衬底处理装置。 在该装置中，形成延伸通过待冷却的处理容器（2）的一部分的雾通道（5），以及用于产生雾的雾发生器（64）和用于供给载气的气体供给源 运送生成的雾。 通过温度传感器（49）测量被冷却部分的温度。 当测量的温度超过预定温度时， 使水流过雾气通道，并且处理容器由蒸发的热量冷却。 因此，处理容器的温度快速降低，能够在稳定的气氛中进行等离子体处理。

公开(公告)号：KR1020060108773A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：KR1020067016347

申请日：2005-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시바시기요타카 ,  기타가와준이치 ,  후루이신고 ,  티안카이종 ,  야마시타준 ,  야마모토노부히코 ,  니시즈카데츠야 ,  노자와도시히사 ,  니시모토신야 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: [PROBLEMS] To improve a process quality of a plasma processing apparatus using microwaves, by suppressing generation of a strong magnetic field and a high-density plasma in the vicinity of a contact point of a supporting part, which supports a transmission window, and the transmission window. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The plasma processing apparatus processes a wafer W in a process container (2) by plasma generated by supplying microwaves. The transmission window (20) has a drooping part (21) made of a same material as that of the transmission window (20) in its lower plane center area. A space d, having a gap length of 0.5-10mm, more preferably, 0.5-5mm, is formed between an outer circumference plane (21a) of the drooping part (21) and a side wall inner plane (5a) continued from the supporting part (6). Generation of the strong magnetic field and the plasma at the contact point C is suppressed, and a quantity of sputtered particles, radicals, etc. reaching the wafer W is suppressed.

Abstract translation: [问题]为了提高使用微波的等离子体处理装置的工艺质量，通过抑制支撑透射窗的支撑部的接触点附近的强磁场和高密度等离子体的产生，以及 传输窗口。 解决问题的方法等离子体处理装置通过供给微波产生的等离子体处理处理容器（2）中的晶片W. 传动窗（20）具有在其下平面中心区域由与透射窗（20）相同材料制成的下垂部分（21）。 在下垂部分（21）的外周平面（21a）和从支撑部分（21）延续的侧壁内平面（5a）之间形成有间隙长度为0.5-10mm，更优选为0.5-5mm的空间d 第（6）部分。 抑制了在接触点C处的强磁场和等离子体的产生，并且抑制了到达晶片W的溅射的粒子，自由基等的量。