公开(公告)号：KR101649783B1

公开(公告)日：2016-08-19

申请号：KR1020130159966

申请日：2013-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/687 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76841

Abstract: 챔버내에설치되고, 기판적재부에기판(W)을적재가능한회전테이블을회전시킴으로써, 서로반응하는다른종류의가스를공급하는제1 및제2 처리영역을통과시켜, 원자퇴적(ALD)법에의해성막을행하는성막방법이며, 상기기판적재부에상기기판을적재하지않고상기회전테이블을회전시켜, 상기기판적재부를소정온도로한 상태에서상기회전테이블상에상기성막을행하는코팅공정과, 상기기판적재부에상기기판을적재하고상기회전테이블을회전시켜, 상기기판적재부또는상기기판을상기소정온도이하로한 상태에서상기기판상에상기성막을행하는프로세스공정을갖는다.

公开(公告)号：KR1020140097609A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：KR1020140011672

申请日：2014-01-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  사토가오루 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/68764

Abstract: A film forming apparatus for forming a film on a substrate in a vacuum container includes a rotary table, a first processing gas supply unit for supplying a first processing gas, a gas nozzle for supplying a second processing gas, a nozzle cover installed to cover the gas nozzle, and a separation gas supply unit. The nozzle cover includes a ceiling wall, and an upstream side wall and a downstream side wall extended downward from each edge of upstream and downstream sides of the ceiling wall in the rotating direction of the rotary table. The inner surface of the gas nozzle in the upstream side wall is an inclined surface, and an angle (θ1) between the inner surface of the gas nozzle in the upstream side wall and a surface of the rotary table is smaller than an angle (θ2) between the inner surface of the gas nozzle in the downstream side wall and the inner surface of the gas nozzle.

Abstract translation: 用于在真空容器中的基板上形成膜的成膜装置包括旋转台，用于供应第一处理气体的第一处理气体供应单元，用于供应第二处理气体的气体喷嘴，安装成覆盖 气体喷嘴和分离气体供给单元。 喷嘴盖包括顶壁，以及从旋转台的旋转方向从顶壁的上游侧和下游侧的每个边缘向下延伸的上游侧壁和下游侧壁。 上游侧壁中的气体喷嘴的内表面是倾斜面，上游侧壁的气体喷嘴的内表面与旋转台的表面之间的角度（θ1）小于角度（θ2 ）在下游侧壁中的气体喷嘴的内表面与气体喷嘴的内表面之间。

公开(公告)号：KR1019950001953A

公开(公告)日：1995-01-04

申请号：KR1019940001925

申请日：1994-02-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 후지다요시유키 ,  하라오카쓰도무 ,  고바야시마코토 ,  가네다나오야 ,  니이노레이지 ,  오부도모유키 ,  이케가와히로아키 ,  나카오켄 ,  루마다히로시

IPC: H01L21/324

Abstract: 반도체 웨이퍼(w)에 대해서 동일 처리용기 내에 있어서, 복수의 열처리를 연속적으로 한다. 처음에 자연산화막이 형성되기 어려운 온도로된 처리용기에 웨이퍼를 도입한 후, 제1의 온도제어공정으로 고속 승온하고, 그후, 제1의 처리온도로 제1의 열처공정, 예를 들면 환원처리를 한다. 다음에, 제2의 온도제어공정으로, 웨이퍼를 고속으로 승온 또는 강온하면서 가스치환을 한다. 그리고, 이어서 제2의 처리온도를 제2의 열처리 공정, 예를들면 폴리실리콘 막형성처리를 한다.

公开(公告)号：KR101658270B1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：KR1020130142181

申请日：2013-11-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와히로아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  사사키유 ,  오가와준

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551

Abstract: 분리가스공급부및 제1 가스공급부로부터분리가스및 제1 반응가스를공급하면서, 회전테이블을제1 각도까지회전시키고, 상기분리가스공급부및 상기제1 가스공급부로부터상기분리가스및 상기제1 반응가스를공급하면서, 제2 가스공급부로부터제2 반응가스를공급하고, 또한, 상기회전테이블을제2 각도까지회전시키고, 상기분리가스공급부및 상기제1 가스공급부로부터상기분리가스및 상기제1 반응가스를공급하면서, 상기회전테이블을제3 각도까지회전시키고, 상기분리가스공급부및 상기제1 가스공급부로부터상기분리가스및 상기제1 반응가스를공급하면서, 상기제2 가스공급부로부터제3 반응가스를공급하고, 또한, 상기회전테이블을제4 각도까지회전시키는, 성막방법.

公开(公告)号：KR101588083B1

公开(公告)日：2016-01-25

申请号：KR1020130067777

申请日：2013-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와히로아키 ,  가미니시마사히코 ,  이세요시노부 ,  오가와준

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/40 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/68764

Abstract: 성막방법은, 상기회전테이블을회전시키면서, 상기분리가스공급부로부터상기분리가스를공급하여상기제1 처리영역과상기제2 처리영역을분리하면서, 상기제1 가스공급부로부터상기제1 처리영역으로제1 반응가스를공급하는동시에, 상기제2 가스공급부로부터상기제2 처리영역으로, 상기제1 반응가스와반응할수 있는제2 반응가스를공급하는스텝과, 상기회전테이블을회전시키면서, 상기분리가스공급부로부터상기분리가스를공급하여상기제1 처리영역과상기제2 처리영역을분리하면서, 상기제1 가스공급부로부터반응가스를공급하는일 없이, 상기제2 가스공급부로부터상기제2 처리영역으로상기제2 반응가스를소정의기간공급하는스텝을포함한다.

公开(公告)号：KR1020130140576A

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：KR1020130067777

申请日：2013-06-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케가와히로아키 ,  가미니시마사히코 ,  이세요시노부 ,  오가와준

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/40 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/68764

Abstract: A film manufacturing method comprises a step for rotating a rotation table; separating a first processing area and a second processing area by supplying separation gas from a separation gas supply unit; and supplying second response gas which responds to first response gas to a second processing area from a second gas supply unit while supplying first response gas to the first processing area from a first gas supply unit and a step for rotating the rotation table; separating the first processing area and the second processing area by supplying the separation gas from the separation gas supply unit; and supplying the second response gas from the second gas supply unit to the second processing area for a predetermined period without supplying the response gas from the first gas supply unit. [Reference numerals] (100) Control unit;(101) Memory unit;(102) Medium;(AA,BB,CC,DD) N_2 gas

Abstract translation: 一种薄膜制造方法，包括旋转旋转台的步骤; 通过从分离气体供应单元提供分离气体来分离第一处理区域和第二处理区域; 在从第一气体供给单元向第一处理区域供给第一响应气体的同时，从第二气体供给单元向第二处理区域供给响应于第一响应气体的第二响应气体，以及旋转旋转台的步骤; 通过从分离气体供应单元提供分离气体来分离第一处理区域和第二处理区域; 以及在不从第一气体供应单元供应响应气体的情况下将第二响应气体从第二气体供应单元供应到第二处理区域预定的时间段。 （附图标记）（100）控制单元;（101）存储单元;（102）介质;（AA，BB，CC，DD）N_2气体

公开(公告)号：KR1019950001882A

公开(公告)日：1995-01-04

申请号：KR1019940001926

申请日：1994-02-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 니이노레이지 ,  오부도모유키 ,  이케가와히로아키 ,  나타오켄 ,  후지다요시유키 ,  하라오카쓰도무 ,  고바야시마코토 ,  가네다나오야

IPC: H01L21/26

Abstract: 반도체 웨이퍼의 표면에 대한 막형성을 위하여 웨이퍼 보우트의 링형상 얹어놓는대의 여러개의 웨이퍼를 각각 얹어놓는 한편, 반응관내 온도를 가령 400℃로 하며, 또한 질소가스 분위기로 하여 두고, 웨이퍼 보우트를 반응관 내로 반입한 후, 반응관 내를 가령 100℃/분의 속도로 620℃까지 승온하고, 실리콘 기판의 표면에 SiH
4 가스를 공급하여 폴리실리콘막을 형성한다. 막형성 후, 가열부 표면을 따라서 통풍하여 반응관 내를 강제 냉각시킨다. 또, 실리콘 기판의 표면의 금속막을 형성한 웨이퍼를 사용하여 금속 실리콘막을 형성하는 경우는 가령 반응관 내를 100℃로 설정하고, 웨이퍼를 로우딩한다. 이에 의하여 자연 산화막의 성장이 억제되고, 반도체 디바이스의 특성이 향상된다. 같은 원리는 산화막 형성 및 불순물 확산을 위해서도 사용된다.