公开(公告)号：KR100935257B1

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：KR1020060021536

申请日：2006-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 주파오화 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76829

Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스 또는 산질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스와 탄화수소 가스를 포함하는 제3 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 절연막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1 공정에서는 처리 영역에 대한 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 처리 영역에 대한 제2 처리 가스의 공급을 정지한다. 제2 공정에서는 처리 영역에 대한 제1, 제2, 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다. 제3 공정에서는 처리 영역에 대한 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 처리 영역에 대한 제1 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다. 제4 공정에서는 처리 영역에 대한 제1, 제2, 및 제3 처리 가스의 공급을 정지한다.
처리 용기, 매니폴드, 덮개체, 회전축, 승강 기구, 아암

公开(公告)号：KR1020080108912A

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：KR1020080054102

申请日：2008-06-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  마쯔나가마사노부 ,  하세베가즈히데 ,  우메자와고오따 ,  주파오화

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: A film formation method and an apparatus for a semiconductor process, and a computer readable medium are provided to suppress the generation of particle and form the silicon nitride film in which the thin film is excellent with the high deposition rate. A film formation method for a semiconductor process comprises the following processes. A plurality of cycles are performed within the process area(5) in which the processed substrate is arranged. The film forming process for the silicon nitride film which has the predetermined thickness by laminating the thin film is provided. Each cycle comprises the first supply process and the second supply process. The first supply process performs the supply of the first process gas about the process area. The first supply process maintains the cut off of the supply of the second process gas about the process area. The second supply process performs the supply of the second process gas about the process area. The second supply process maintains the cut off of the supply of the first process gas about the process area. The first cycle set and the second cycle set is repeated without the task which materially changes the fixing heating temperature about the process area to the mixed product.

Abstract translation: 提供一种成膜方法和半导体工艺装置以及计算机可读介质，以抑制颗粒的产生并形成其中薄膜以高沉积速率优异的氮化硅膜。 半导体工艺的成膜方法包括以下工序。 在其中布置经处理的基板的处理区域（5）内执行多个周期。 提供了通过层叠薄膜而具有预定厚度的氮化硅膜的成膜工艺。 每个循环包括第一个供应过程和第二个供应过程。 第一供应过程执行关于处理区域的第一工艺气体的供应。 第一供应过程维持关于处理区域的第二工艺气体的供应的切断。 第二供应过程执行关于处理区域的第二处理气体的供应。 第二供应过程维持关于处理区域的第一工艺气体的供应的切断。 重复第一循环组和第二循环组，而没有任何将对加工区域的定影加热温度实质上改变为混合产物的任务。

公开(公告)号：KR1020080007129A

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：KR1020070070009

申请日：2007-07-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 주파오화 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405

Abstract: A film formation apparatus for semiconductor process and a method for using the same are provided to prevent particle contamination when an application range of a film formation apparatus utilizing plasma assistance is widened. A process vessel(4) includes a processing region for receiving a target substrate. A supporting member is formed to support the target substrate in the inside of the process region. A heater(72) is formed to heat the target substrate in the inside of the process region. An exciting unit(50) includes a plasma generation region within a space connected to the process region. A gas supply unit(28,30,32) is formed to supply a process gas into the process region. An exhaust unit is formed to exhaust the gas from the process region. A method includes a process for forming a first film on a first target substrate in the inside of the process region, a process for cleaning the first target substrate in the inside of the process region, and a process for forming a second film on the first target substrate in the inside of the process region. The cleaning process includes a process for supplying the cleaning gas to the process region and generating plasma of the cleaning gas by using an exciting unit. The second film forming process includes a process for generating plasma of a second film forming gas by using the excitation unit.

Abstract translation: 提供了一种用于半导体工艺的成膜装置及其使用方法，以便在利用等离子体辅助的成膜装置的应用范围变宽时防止颗粒污染。 处理容器（4）包括用于接收目标衬底的处理区域。 形成支撑构件以在处理区域的内部支撑目标衬底。 形成加热器（72）以加热处理区域内的目标基板。 激励单元（50）包括在与处理区域连接的空间内的等离子体产生区域。 形成气体供应单元（28,30,32）以将处理气体供应到处理区域中。 形成排气单元以从处理区域排出气体。 一种方法包括在工艺区域的内部的第一靶基板上形成第一膜的工艺，在工艺区域的内部清洁第一靶基板的工序，以及在第一工艺区域形成第二膜的工序 目标衬底在工艺区域的内部。 清洗过程包括通过使用激励单元将清洁气体供应到处理区域并产生清洁气体的等离子体的过程。 第二成膜方法包括通过使用激发单元产生第二成膜气体的等离子体的方法。

公开(公告)号：KR1020060097672A

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：KR1020060022476

申请日：2006-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  김채호 ,  이병훈 ,  주파오화

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45512 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/509

Abstract: 본 발명의 반도체 처리용 성막 장치는 처리 가스를 처리 영역 내에 공급하는 처리 가스 공급 시스템을 포함한다. 처리 가스 공급 시스템은 제1 및 제3 처리 가스를 혼합하여 혼합 가스를 형성하는 가스 혼합 탱크와, 가스 혼합 탱크로부터 처리 영역에 혼합 가스를 공급하는 혼합 가스 공급 라인과, 가스 혼합 탱크를 경유하지 않고 처리 영역에 제2 처리 가스를 공급하는 제2 처리 가스 공급 라인을 갖는 제2 처리 가스 공급계와, 혼합 가스 공급 라인 및 제2 처리 가스 공급 라인에 각각 배치된 제1 및 제2 개폐 밸브를 포함한다. 제어부는 혼합 가스와 제2 처리 가스를 처리 영역에 대해 교대로 펄스형으로 공급하도록 제1 및 제2 개방 밸브의 개폐를 제어한다.
성막 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 회전축, 테이블

Abstract translation: 本发明的用于半导体加工的成膜设备包括用于将处理气体供应到处理区域中的处理气体供应系统。 工艺气体供应系统包括：气体混合罐，用于混合第一和第三处理气体以形成混合气体;混合气体供应管线，用于将混合气体从混合气罐供应到处理区域; 第二处理气体供应系统，具有用于向处理区域供应第二处理气体的第二处理气体供应管路，以及分别设置在混合气体供应管路和第二处理气体供应管路中的第一开关阀和第二开关阀 的。 控制单元控制第一打开阀和第二打开阀的打开和关闭，以便以脉冲方式交替地将混合气体和第二处理气体供给到处理区域。

公开(公告)号：KR101314002B1

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：KR1020130059837

申请日：2013-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 주파오화 ,  하세베가즈히데

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/00

Abstract: 성막 방법은, 처리 영역 내에서 이하의 사이클을 복수회 반복하여, SiCN막을 피처리 기판 상에 형성한다. 사이클의 각각은, 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스의 공급을 행하는 제1 공정과, 질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스의 공급을 행하는 제2 공정과, 탄화수소 가스를 포함하는 제3 처리 가스의 공급을 행하는 제3 공정과, 제1 처리 가스의 공급을 차단하는 제4 공정을 구비한다. 제1, 제2, 및 제3 처리 가스를, 처리 영역 밖에서 플라즈마화하지 않고 처리 영역으로 공급하고, 또한 처리 영역을 실란계 가스와 질화 가스와 탄화수소 가스가 서로 반응하는 제1 온도로 가열한다.

公开(公告)号：KR1020130064766A

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：KR1020130059837

申请日：2013-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 주파오화 ,  하세베가즈히데

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/00

Abstract: PURPOSE: A SiCN film formation method is provided to form a SiCN film on a processed substrate by reiterating a following cycle several times in a processing zone. CONSTITUTION: A SiCN film formation method comprises the following steps: a supply of a first raw gas about a processing zone(5) is performed; a supply of a second raw gas about the processing zone is performed; a supply of a third raw gas about the processing zone is performed; a supply of the first process gas about the processing zone is blocked; the first, second, third raw gas is supplied to the processing zone without a plasmization outside the processing zone; and through a first, a second, a third, and a fourth process, the processing zone is heated with a first temperature in which a silane gas, a nitrous gas, and a hydrocarbon gas are reacted each other.

Abstract translation: 目的：提供SiCN膜形成方法，通过在处理区域中重复以下循环数次，在处理过的衬底上形成SiCN膜。 构成：SiCN膜形成方法包括以下步骤：在处理区（5）周围提供第一原料气体; 进行处理区域附近的第二原料气体的供给; 进行围绕处理区域的第三原料气体的供给; 围绕处理区域的第一处理气体的供应被阻止; 第一，第二，第三原料气体在加工区外没有等离子体化而被供给到处理区域; 并且通过第一，第二，第三和第四处理，在硅烷气体，亚氮气体和烃气体彼此反应的第一温度下加热处理区域。

公开(公告)号：KR100980126B1

公开(公告)日：2010-09-03

申请号：KR1020060072425

申请日：2006-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  주파오화 ,  오가와쥰 ,  김채호 ,  후꾸시마고오헤이 ,  다까하시도시끼 ,  사또오쥰

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와, 질화 가스, 산질화 가스 및 산화 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 가스를 포함하는 제2 처리 가스와, 퍼지 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 함유 절연막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1, 제2, 제3 및 제4 공정에 있어서, 각각 제1 처리 가스, 퍼지 가스, 제2 처리 가스 및 퍼지 가스를 공급하고, 나머지 2개의 가스의 공급을 정지한다. 제1 공정 내지 제4 공정에 걸쳐서, 개방도 조정용 밸브가 배치된 배기 통로를 거쳐서 처리 영역 내부를 계속적으로 진공 배기한다. 제1 공정에 있어서의 밸브의 개방도를 제2 및 제4 공정에 있어서의 밸브의 개방도의 5 내지 95 ％로 설정한다.
웨이퍼 보트, 승강 기구, 가스 분산 노즐, 가스 여기부, 배기구, 밸브구

公开(公告)号：KR100967238B1

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：KR1020060022476

申请日：2006-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  김채호 ,  이병훈 ,  주파오화

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45512 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/509

Abstract: 본 발명의 반도체 처리용 성막 장치는 처리 가스를 처리 영역 내에 공급하는 처리 가스 공급 시스템을 포함한다. 처리 가스 공급 시스템은 제1 및 제3 처리 가스를 혼합하여 혼합 가스를 형성하는 가스 혼합 탱크와, 가스 혼합 탱크로부터 처리 영역에 혼합 가스를 공급하는 혼합 가스 공급 라인과, 가스 혼합 탱크를 경유하지 않고 처리 영역에 제2 처리 가스를 공급하는 제2 처리 가스 공급 라인을 갖는 제2 처리 가스 공급계와, 혼합 가스 공급 라인 및 제2 처리 가스 공급 라인에 각각 배치된 제1 및 제2 개폐 밸브를 포함한다. 제어부는 혼합 가스와 제2 처리 가스를 처리 영역에 대해 교대로 펄스형으로 공급하도록 제1 및 제2 개방 밸브의 개폐를 제어한다.
성막 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 회전축, 테이블

公开(公告)号：KR1020090080019A

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：KR1020090003552

申请日：2009-01-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  노데라노부따께 ,  마쯔나가마사노부 ,  사또오쥰 ,  주파오화

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542

Abstract: A film formation method and a film formation apparatus for semiconductor processing are provided to improve characteristics of a device by controlling accurately elements of a silicon nitride layer. A film forming apparatus(2) includes a processing receptacle(4), a supporting member, a heater(86), an exhaust system(GE), a first processing gas supply system(30), a second processing gas supply system(28), an excitation unit, and a control unit(60). The processing receptacle has a processing area for receiving a processing target substrate. The supporting member supports the processing target substrate in the processing area. The heater heats the processing substrate within the processing area. The exhaust system exhausts the processing area. The first processing gas supply system supplies a first processing gas including a silane-based gas to the processing area. The second processing gas supply system supplies a second processing gas including a nitrous gas to the processing area. The excitation unit performs an excitation operation while the second processing gas supply system supplies the second processing gas to the processing area. The controller controls operations of the film forming apparatus.

Abstract translation: 提供一种用于半导体处理的成膜方法和成膜装置，以便精确地控制氮化硅层的元素来改善器件的特性。 成膜装置（2）包括处理容器（4），支撑构件，加热器（86），排气系统（GE），第一处理气体供应系统（30），第二处理气体供应系统 ），励磁单元和控制单元（60）。 处理容器具有用于接收处理目标衬底的处理区域。 支撑构件在处理区域中支撑处理目标基板。 加热器加热处理区域内的处理基板。 排气系统排出加工区域。 第一处理气体供给系统向处理区域提供包含硅烷类气体的第一处理气体。 第二处理气体供给系统向处理区域供给包含有氮气的第二处理气体。 励磁单元在第二处理气体供给系统向处理区域供给第二处理气体的同时进行励磁运转。 控制器控制成膜装置的操作。