公开(公告)号：KR101552856B1

公开(公告)日：2015-09-14

申请号：KR1020110047724

申请日：2011-05-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라다카츠시게 ,  모로즈미유이치로 ,  히시야신고

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02189 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40

Abstract: (과제) 요철형상부위에도리크전류가작아고유전율의지르코니아계막을확실히성막할수 있는성막방법및 성막장치를제공하는것이다. (해결수단) 진공보지(保持) 가능한처리용기내에피(被)처리체를삽입하고, 처리용기내를진공으로보지한상태로하고, 처리용기내에지르코늄원료와산화제를이 순서로공급하여피처리체상에 ZrO막을형성하는제1 공정과, 상기처리용기내에지르코늄원료와실리콘원료와산화제를이 순서로공급하여피처리체상에 Si가도프된 ZrO막을형성하는제2 공정을, 각각의횟수를조정하여실시함으로써, 막중의 Si 농도를제어하면서소정막두께의지르코니아계막을성막한다.

公开(公告)号：KR101515675B1

公开(公告)日：2015-04-27

申请号：KR1020110097193

申请日：2011-09-26

Applicant: 엘피다 메모리 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로타도시유키 ,  기요무라다카카즈 ,  모로즈미유이치로 ,  히시야신고

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/205

Abstract: 캐퍼시터의 유전체막에 있어서, 리크 특성 개선을 위한 Al 도프층을 형성해도 유전체막이 Al 도프층에 의해 분단되지 않고, 사이즈 효과의 영향을 억제하여 결정성이 양호한 유전체막을 제공하기 위해, 유전체막 중에 적어도 1 층의 Al 도프층을 가지며, Al 도프층의 1 층에 있어서의 Al 원자의 면 밀도를 1.4E＋14[atoms/㎠] 만으로 한다. 또, 그 면 밀도를 달성하기 위해, 통상적인 ALD 에 의한 유전체막 성막과, Al 소스의 흡착 사이트를 제한하는 블로커 분자의 흡착을 실시한 후, Al 소스를 흡착시키고, 반응 가스를 도입하여 반응시키는 흡착 사이트ㆍ블로킹 ALD 법에 의한 Al 첨가의 조합을 채용한다.

Abstract translation: 在该电容器的电介质膜，以形成用于提高泄漏特性的电介质膜不被Al掺杂层划分的Al掺杂层中，为了抑制提供膜具有良好结晶度的电介质，至少在所述电介质膜的尺寸效应的影响 并且Al掺杂层的一层中的Al原子的表面密度设定为1.4E + 14 [atoms / cm 2]。 此外，为了实现所述表面密度，然后进行阻断剂分子的吸附，以限制所形成的介电膜，和通过常规的ALD Al源的吸附位点，通过引入反应气体吸附Al源，反应的吸附 采用了通过站点阻塞ALD方法添加Al的组合。

公开(公告)号：KR1020130090808A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：KR1020130010761

申请日：2013-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와무라유 ,  아키야마코지 ,  히시야신고 ,  하라다카츠시게

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/60 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02356 ,  H01L28/75 ,  H01L28/92

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a capacitor, the capacitor, and a method for forming a dielectric layer used for the capacitor are provided to suppress a leak current of a bottom electrode by forming a first TiO2 layer. CONSTITUTION: A bottom electrode layer is formed on a substrate. A first TiO2 layer is formed on the bottom electrode layer. A ZrO2 layer is formed on the first TiO2 layer. An annealing process is performed on the ZrO2 layer. A second TiO2 layer is formed on the ZrO2 layer. [Reference numerals] (A1) Bottom electrode layer is formed on the concave part of an insulation layer; (A2) Process 1; (B1) Etching and removing an insulation layer; (B2) Process 2; (C1) First TiO2 layer is formed on a bottom electrode layer; (C2) Process 3; (D1) ZrO2 layer is formed on a first TiO2 layer; (D2) Process 4; (E1) Anneal for crystallizing ZrO2; (E2) Process 5; (F1) Second TiO2 layer is formed on a ZrO2 layer; (F2) Process 6; (G1) Top electrode layer is formed on a second TiO2 layer; (G2) Process 7

Abstract translation: 目的：提供一种制造电容器的方法，电容器和用于形成用于电容器的电介质层的方法，以通过形成第一TiO 2层来抑制底部电极的漏电流。 构成：在基板上形成底部电极层。 在底部电极层上形成第一TiO 2层。 在第一TiO 2层上形成ZrO 2层。 在ZrO2层上进行退火处理。 在ZrO 2层上形成第二TiO 2层。 （A1）在绝缘层的凹部上形成底电极层， （A2）方法1; （B1）蚀刻除去绝缘层; （B2）方法2; （C1）第一TiO 2层形成在底部电极层上; （C2）方法3; （D1）在第一TiO 2层上形成ZrO 2层; （D2）方法4; （E1）ZrO2结晶退火; （E2）方法5; （F1）在ZrO2层上形成第二TiO 2层; （F2）方法6; （G1）顶电极层形成在第二TiO 2层上; （G2）工艺7

公开(公告)号：KR1020110131096A

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：KR1020110047724

申请日：2011-05-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라다카츠시게 ,  모로즈미유이치로 ,  히시야신고

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02189 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40

Abstract: PURPOSE: A film depositing method and a film forming apparatus are provided to form a zirconia type film which does not drop a dielectric constant and a leak property. CONSTITUTION: A manifold(3) supports the bottom of a treatment basin. A heater(40) is arranged in the circumference of the treatment basin. A zirconium material supply device(15) supplies a zirconium material to the inside of the treatment basin. A silicon material supply device(16) supplies a silicon material to the inside of the treatment basin. An oxidizer supply device(14) supplies an oxidizer to the inside of the treatment basin.

Abstract translation: 目的：提供薄膜沉积方法和成膜装置，以形成不降低介电常数和泄漏性能的氧化锆型薄膜。 构成：歧管（3）支撑处理盆的底部。 加热器（40）布置在处理盆的周边。 锆材料供给装置（15）将锆材料供应到处理池的内部。 硅材料供给装置（16）将硅材料供应到处理池的内部。 氧化剂供给装置（14）将氧化剂供应到处理池的内部。

公开(公告)号：KR1020090105870A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：KR1020090028426

申请日：2009-04-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네꼬히로후미 ,  이노우에히사시 ,  시오나가게이시 ,  히시야신고 ,  엔도오아쯔시

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67098 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67303

Abstract: PURPOSE: A reaction pipe and a heat processing apparatus for a semiconductor process are provided to perform a thermal treatment with a high uniformity. CONSTITUTION: A reaction pipe and a heat processing apparatus for a semiconductor process are composed of a reaction tube(3), a heater(22), a substrate holder, a gas supply system, and a gas exhaust system. The reaction tube performs a thermal treatment by receiving while receiving a plurality of targets at a certain interval, and a heater surrounds the reaction tube. A substrate holder maintains the target in the reaction tube, and the gas supply system supplies a process gas into the reaction tube.

Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体工艺的反应管和热处理装置，以高均匀性进行热处理。 构成：用于半导体工艺的反应管和热处理装置由反应管（3），加热器（22），基板保持器，气体供应系统和排气系统组成。 反应管在一定间隔接收多个靶时进行热处理，加热器围绕反应管。 衬底保持器将反射管中的靶保持在反应管中，并且气体供给系统将工艺气体供应到反应管中。

公开(公告)号：KR100886997B1

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020037007373

申请日：2001-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히시야신고 ,  후루사와요시카즈 ,  우메자와고타 ,  하야시데루유키 ,  사이토미사코 ,  사토쇼이치

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02046 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109

Abstract: 열처리장치(1)는 승온용 히터(12)를 갖아, 유기물이 부착한 웨이퍼(10)를 수용하는 반응관(2)과, 반응관(2)내에 산소가스를 공급하는 제 1 가스도입관(13)과, 수소가스를 공급하는 제 2 가스도입관(14)을 구비하고 있다. 제 1 가스도입관(13)에 의해 산소가스, 제 2 가스도입관(14)에 의해 수소가스가 반응관(2)내에 공급되어, 승온용 히터(12)에 의해 반응관(2)이 산소가스 및 수소가스가 활성화가능한 온도로 가열된다. 그리고, 반응관(2)내에서 연소반응이 일어나, 웨이퍼(10)에 부착한 유기물이 산화, 분해하여, 제거된다.

公开(公告)号：KR101636093B1

公开(公告)日：2016-07-04

申请号：KR1020110059090

申请日：2011-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노츠요시 ,  난바히로미츠 ,  모로즈미유이치로 ,  히시야신고 ,  하라다가츠시게 ,  하야세후미아키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23F1/08

CPC classification number: C23F1/08 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 표면및 이면에티탄함유막이형성된기판의이면으로부터티탄함유막을제거할때에, 기판의이면에잔류하는티탄원소를종래부터짧은시간에제거할수 있는액 처리방법을제공한다. 본발명은처리액에의해기판의이면을처리하는액 처리방법으로, 회전가능하게설치되고기판을지지하는지지부에의해, 표면및 이면에티탄함유막이형성되어있는기판을지지하고, 지지부에지지되어있는기판을, 지지부와함께회전시키고, 회전하는기판의이면에플루오르화수소산을포함하는제1 처리액을공급하고, 공급한제1 처리액에의해기판의이면을처리하는제1 공정(S11)과, 제1 공정(S11) 후에, 회전하는기판의이면에암모니아과수를포함하는제2 처리액을공급하고, 공급한제2 처리액에의해기판의이면을처리하는제2 공정(S12)을포함한다.

公开(公告)号：KR101609182B1

公开(公告)日：2016-04-05

申请号：KR1020130010761

申请日：2013-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와무라유 ,  아키야마코지 ,  히시야신고 ,  하라다카츠시게

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/60 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02356 ,  H01L28/75 ,  H01L28/92

Abstract: (과제) 고유전율화및 저(低)리크전류화를양립시킬수 있는커패시터의제조방법및, 커패시터, 그리고, 그러한커패시터에이용되는유전체막의형성방법을제공하는것이다. (해결수단) 기판상의하부전극층을형성하는공정과, 하부전극층위에계면컨트롤기능을갖는제1 TiO막을형성하는공정과, 제1 TiO막위에 ZrO계막을형성하는공정과, ZrO계막을형성한후, ZrO계막의 ZrO를결정화하기위한어닐을행하는공정과, ZrO계막 위에, 용량막으로서기능하는제2 TiO막을형성하는공정과, 제2 TiO막위에상부전극층을형성하는공정에의해커패시터를제조한다.

公开(公告)号：KR1020120134009A

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：KR1020120051583

申请日：2012-05-15

Applicant: 엘피다 메모리 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기요무라다카카즈 ,  히로타도시유키 ,  모로즈미유이치로 ,  히시야신고

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02356 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: PURPOSE: A forming method for a titanium oxide film is provided to produce excellent leakage current characteristics by optimizing a thickness of a zirconium oxide film on a base. CONSTITUTION: An amorphous zirconium oxide film is formed. An amorphous titanium oxide film is formed by an atomic layer deposition method on an amorphous zirconium oxide film by using methylcyclocyclopentadienyl tris(dimethylamino) titanium as a titanium precursor. The amorphous titanium oxide film is crystallized with annealing at temperatures over 300°C. [Reference numerals] (AA) Dielectric constant increase caused by a Rutile phase; (BB) Relative dielectric constant of Tio; (CC,DD) Anatase crystal; (EE) The thickness of ZrO

Abstract translation: 目的：提供氧化钛膜的形成方法，通过优化基底上的氧化锆膜的厚度来产生优异的漏电流特性。 构成：形成无定形氧化锆膜。 通过使用甲基环戊二烯基三（二甲基氨基）钛作为钛前体，通过原子层沉积法在无定形氧化锆膜上形成无定形氧化钛膜。 无定形氧化钛膜在300℃以上退火时结晶。 （AA）由金红石相引起的介电常数增加; （BB）相对介电常数Tio; （CC，DD）锐钛矿晶体; （EE）ZrO的厚度

公开(公告)号：KR1020120031915A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：KR1020110097193

申请日：2011-09-26

Applicant: 엘피다 메모리 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로타도시유키 ,  기요무라다카카즈 ,  모로즈미유이치로 ,  히시야신고

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device, a manufacturing method thereof, and an absorption site/blocking atomic layer deposition method are provided to prevent a leakage current by doping Al while not separating TiO2 crystal grains. CONSTITUTION: A capacitor has a dielectric film arranged between a lower electrode(101) and an upper electrode(105). The lower electrode has a three-dimensional structure with an aspect ratio of 20 or greater. The dielectric film comprises one or more Al doped layers(103). The EOT(Equivalent Oxide Thickness) of the dielectric film is 0.9nm or less. The Al atom surface density of the Al doped layer is less than 1.4E+14 atoms per cm square.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法和吸收位置/阻挡原子层沉积方法，以在不分离TiO 2晶粒的同时通过掺杂Al来防止漏电流。 构成：电容器具有布置在下电极（101）和上电极（105）之间的电介质膜。 下电极具有纵横比为20或更大的三维结构。 电介质膜包括一个或多个Al掺杂层（103）。 电介质膜的EOT（等效氧化物厚度）为0.9nm以下。 Al掺杂层的Al原子表面密度小于1.4E + 14原子/ cm 2。