公开(公告)号：KR1020010014835A

公开(公告)日：2001-02-26

申请号：KR1020000022424

申请日：2000-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데구치마사토시

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67745 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67225

Abstract: PURPOSE: Provided is a substrate processing apparatus capable of transferring substrates efficiently. CONSTITUTION: The substrate transfer apparatus is provided with a film-forming unit group(10) and a development processing unit group(16) which are opposed to each other while interposing a space(20) therebetween, a first transfer means(30) interposed between the space(20). A first heat-treatment unit group(50) and a second heat-treatment unit group(60) interpose the means(30) therebetween, and a third heat-treatment unit group(70) and a fourth heat-treatment unit group(80) interpose the means(40) therebetween. The means(30) transfers wafers W via a first transfer path 30A, and the means(40) transfers wafers W via a second transfer path(40A).

Abstract translation: 目的：提供能够有效地转印基板的基板处理装置。 构成：衬底传送装置设置有成膜单元组（10）和显影处理单元组（16），它们彼此相对，同时在其间插入空间（20），第一传送装置（30）插入 在空间（20）之间。 第一热处理单元组（50）和第二热处理单元组（60）将构件（30）夹在其间，第三热处理单元组（70）和第四热处理单元组（80 ）在其间插入装置（40）。 装置（30）通过第一传送路径30A传送晶片W，并且装置（40）经由第二传送路径（40A）传送晶片W。

公开(公告)号：KR101849788B1

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：KR1020120091730

申请日：2012-08-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다신지 ,  시라이시마사토시 ,  데구치마사토시 ,  요시타카나오토 ,  스기하라신타로 ,  마츠나가마사타카

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67092 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707

Abstract: 본발명은지지기판과접합된웨이퍼에휘어짐이나왜곡이생기는것을억제하는것을과제로한다. 피처리웨이퍼(W)와지지웨이퍼(S)를접합하는접합장치(30)는, 내부를밀폐가능한처리용기(100)와, 접착제를통해피처리웨이퍼(W)와지지웨이퍼(S)를눌러접합하는접합부(113)와, 접합부(113)에서접합된중합웨이퍼(T)를온도조절하는중합기판온도조절부로서의전달아암(120)을갖는다. 접합부(113) 및전달아암(120)은처리용기(100) 내에배치되어있다.

公开(公告)号：KR1020130029006A

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：KR1020120091730

申请日：2012-08-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다신지 ,  시라이시마사토시 ,  데구치마사토시 ,  요시타카나오토 ,  스기하라신타로 ,  마츠나가마사타카

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67092 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707

Abstract: PURPOSE: A bonding apparatus, a bonding system, a bonding method and a computer storage medium are provided to prevent the warpage of a substrate. CONSTITUTION: A process chamber(100) is hermetically sealed. A bonding part(113) combines a wafer(W) with a support wafer(S). A polymerization wafer(T) is bonded to the bonding part. A polymerization wafer temperature control part adjusts the polymerization substrate. The bonding part and a transfer arm(120) are arranged in the process chamber.

Abstract translation: 目的：提供接合装置，接合系统，接合方法和计算机存储介质以防止基板翘曲。 构成：处理室（100）被气密密封。 接合部（113）将晶片（W）与支撑晶片（S）组合。 聚合晶片（T）结合到接合部分。 聚合晶片温度控制部分调节聚合基板。 接合部和传送臂（120）布置在处理室中。

公开(公告)号：KR1020060090212A

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：KR1020060068647

申请日：2006-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노준이치 ,  마츠야마유지 ,  키타노타카히로 ,  카타노타카유키 ,  마츠이히데후미 ,  스즈키요 ,  야마시타마사미 ,  아오야마토루 ,  이와키히로유키 ,  시무라사토루 ,  데구치마사토시 ,  요시하라코우스케 ,  이이다나루아키

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67178 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67778 ,  Y10T29/41 ,  G03F7/70875 ,  H01L21/67098

Abstract: 도포현상 처리시스템에 있어서 경계판에 의해 나누어진 각 영역, 즉 카세트 스테이션, 처리 스테이션 및 인터페이스부의 상부에 각 영역 내로 불활성 기체를 공급하는 기체 공급부를 각각 설치한다. 상기 각 영역의 하부에는 각 영역 내의 분위기를 배기하기 위한 배기관을 설치한다. 각 기체 공급장치로 산소 등의 불순물이나 미립자를 포함하지 않는 불활성 기체를 각 영역 내로 공급하고 각 영역 내의 분위기를 배기관으로 배기함으로써 각 영역 내의 분위기를 청정한 상태로 유지한다.

公开(公告)号：KR100563686B1

公开(公告)日：2006-03-28

申请号：KR1020000013631

申请日：2000-03-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데구치마사토시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67161 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67742

Abstract: 기판에 대하여 복수의 공정으로 구성되는 처리, 예를들어 레지스트 도포·현상처리를 행하는 기판처리장치에 있어서, 복수의 공정에 대응하여 각각 기판에 대하여 소정의 처리를 행하는 복수의 처리기구와, 기판의 반송을 행하는 반송부를 구비한다.
반송부는, 복수의 처리기구에 대하여 기판을 반입 또는 반출하는 복수의 반송기구와, 복수의 반송기구의 어느 쪽으로부터도 진입이 가능한 위치에 설치되어, 기판을 일시적으로 대기시키는 대기부를 갖추는 버퍼(buffer)기구를 구비하고 있고, 복수의 처리기구는 반송부의 주위에 설치되어 있다.

Abstract translation: 由多个处理的相对于所述基板的制造方法，例如，抗蚀剂涂覆和middot;以及在所述基板处理装置，用于根据多个处理执行显影处理，对于每个基板进行预定的处理，所述衬底中的多个处理机构 以及用于传送纸张的传送单元。

公开(公告)号：KR1020020068952A

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：KR1020020009199

申请日：2002-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데구치마사토시 ,  세키모토에이이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to heat from conducting to the outside of a casing by controlling an increase of an atmospheric temperature inside a process station while using radiant heat from a heat treatment unit. CONSTITUTION: The heat treatment unit is formed in the casing(30) of the processing apparatus and has a heating section in which a heat treatment of a substrate is performed. A duct(36) is provided on a side part on the heating section side of the casing. A cooling flow passage is formed in the duct for allowing a cooling fluid to flow therethrough. Heat generated from the heating section is prevented from conducting by an air current flowing in the duct. The heat is absorbed by the cooling fluid.

Abstract translation: 目的：通过在使用来自热处理单元的辐射热的同时控制处理站内的大气温度的升高，提供基板处理装置，从而从壳体的外部加热。 构成：热处理单元形成在处理装置的壳体（30）中，具有进行基板的热处理的加热部。 在壳体的加热部侧的侧部设置有管道（36）。 在管道中形成冷却流路，以使冷却流体流过。 通过在管道中流动的气流阻止从加热部产生的热量。 热被冷却液吸收。

公开(公告)号：KR1020020010442A

公开(公告)日：2002-02-04

申请号：KR1020010004660

申请日：2001-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노준이치 ,  마츠야마유지 ,  키타노타카히로 ,  카타노타카유키 ,  마츠이히데후미 ,  스즈키요 ,  야마시타마사미 ,  아오야마토루 ,  이와키히로유키 ,  시무라사토루 ,  데구치마사토시 ,  요시하라코우스케 ,  이이다나루아키

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/67178 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67778 ,  Y10T29/41

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus and method are provided to prevent an adhesion of fine impurities or particles on a substrate and to improve a uniformity of line-width between substrates. CONSTITUTION: On top of respective areas divided by partition plates, that is, a cassette station(2), a processing station(3), and an interface section(4) in a coating and developing processing system, gas supply sections(70,71,72) for supplying an inert gas into the respective areas are provided. Exhaust pipes(75,76,77) for exhausting atmospheres in the respective areas are provided at the bottom of the respective areas. The atmospheres in the respective areas are maintained in a clean condition by supplying the inert gas not containing impurities such as oxygen and fine particles from the respective gas supply sections into the respective areas and exhausting the atmospheres in the respective areas from the exhaust pipes(75,76,77).

Abstract translation: 目的：提供基板处理装置和方法，以防止细小的杂质或颗粒附着在基板上并提高基板之间的线宽的均匀性。 构成：在涂覆和显影处理系统中，由分隔板（即，盒式磁带站（2）），处理站（3）和接口区段（4）分隔的各个区域之上， 71,72）用于将惰性气体供应到各个区域。 在各个区域的底部设置用于排出各区域的气氛的排气管（75,76,77）。 通过将不含杂质的惰性气体（例如氧气和细颗粒）从各个气体供应区域供应到各个区域并且从排气管（75）排出各个区域中的气氛，将各个区域中的气氛保持在清洁状态 ，76,77）。