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公开(公告)号:KR100138097B1
公开(公告)日:1998-06-15
申请号:KR1019900007282
申请日:1990-05-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
IPC: H01L21/469
Abstract: 내용 없음
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公开(公告)号:KR1019960010094A
公开(公告)日:1996-04-20
申请号:KR1019950032780
申请日:1995-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
IPC: B05C5/00
CPC classification number: B05C11/08 , B05C11/1039
Abstract: 본 발명은, 피처리체를 얹어놓은 상태에서 회전하는 피처리체 유지수단과, 피처리체 유지수단의 바깥쪽에 배치된 고리형상 컵과, 피처리체 윗쪽에 배치되고, 피처리체 표면상에 처리액을 공급하는 처리액 공급수단과, 고리형상 컵 하부에 장착되어 있으며, 처리액을 피처리체 표면상에 공급할 때에 비산한 처리액을 폐액으로 하여 배기가스와 함께 배출하는 배출수단과, 배출수단에 연결되고, 배출수단에 의하여 배출되는 폐액 및 배기가스를 저류하는 저류수단을 구비하며, 저류수단에 있어서 폐액 및 배기가스를 분리하는 도포장치를 제공한다.
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公开(公告)号:KR1020110083473A
公开(公告)日:2011-07-20
申请号:KR1020100110383
申请日:2010-11-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 사카모토야스히로
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/202
Abstract: PURPOSE: A heating device, a heating method thereof, and a recording medium thereof are provided to prevent an exhaust pipe from being blocked by heating a gas passing the exhaust pipe at a temperature higher than a sublimation temperature from a resist, thereby continually monitoring an exhausted gas amount. CONSTITUTION: An exhaust pipe(54) exhausts the atmosphere in a container. A heating unit(71) heats a gas passing the exhaust pipe at a temperature higher than a sublimation temperature of a sublimate of a coating film. A first temperature detecting unit(72) detects the temperature of the upper side of the heating unit. A second temperature detecting unit(73) detects the temperature of the lower side of the heating unit. An exhausted gas amount measuring unit measures the amount of exhausted gases based on the detection results of the first and second temperature detecting units.
Abstract translation: 目的:提供一种加热装置及其加热方法及其记录介质,以防止在距离抗蚀剂高于升华温度的温度下加热通过排气管的气体而阻止排气管,从而连续监测排气管 耗尽气量。 构成:排气管(54)排出容器中的气氛。 加热单元(71)在高于涂膜升华升华温度的温度下加热通过排气管的气体。 第一温度检测单元(72)检测加热单元的上侧的温度。 第二温度检测单元(73)检测加热单元的下侧的温度。 排气量测量单元基于第一和第二温度检测单元的检测结果来测量排出的气体量。
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公开(公告)号:KR100315137B1
公开(公告)日:2002-02-28
申请号:KR1019950029396
申请日:1995-09-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
IPC: H01L21/02
Abstract: 기판처리장치는, 적어도 기판을 가열하는 가열 유니트와, 기판을 냉각하는 냉각 유니트를 포함하는 여러개의 처리 유니트와, 처리 유니트를 출입시키기 위한 개구를 가지는 상하 여러단으로 배치되어 있는 여러개의 컴파트먼트를 가지는 외장 프레임을 구비하면, 또 컴파트먼트는, 처리 유니트의 조작에 필요로 하는 전기계, 제어계 및 유체계를 포함하는 유틸리티 라인에 연결되는 여러개의 제 1 이음부재를 가지며, 처리 유니트는, 상기 제 1 이음부재에 접속되는 여러개의 제 2 이음부재를 가진다.
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公开(公告)号:KR100198145B1
公开(公告)日:1999-06-15
申请号:KR1019920006612
申请日:1992-04-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67265 , H01L21/67796 , Y10S414/137
Abstract: 웨이퍼카셋트 내에 수납된 웨이퍼를 옮겨싣는 웨이퍼 유지수단을 이동시켜 웨이퍼의 반송을 행하는 웨이퍼반송장치로서, 발광수단을 형성한 제1의 아암과, 발광수단에서 조사된 광을 검출하는 수광수단을 형성한 제2의 아암과, 이 수광수단의 출력정보에 기초하여 웨이퍼카셋트내의 웨이퍼의 유무 또는 수납상태를 검지하는 판정수단을 가지는 웨이퍼 검출수단을 구비함.
또한, 반송기대에 형상되어 그의 앞끝단부에 발광수단을 가지는 제1의 아암과 그의 앞끝단부에 수광수단을 가지는 제2의 아암을 웨이퍼카셋트 내의 웨이퍼의 외주면의 바깥쪽의 위쪽 또는 아래쪽으로 이동하여 위치시켜, 제1의 아암과 제2의 아암을 웨이퍼의 두께방향으로 이동시키면서, 발광수단으로부터의 광을 조사하고 수광수단으로 검출하여 웨이퍼의 외관상의 두께를 측정한다.
그리고, 측정에 의하여 얻어진 웨이퍼의 외관상의 두께를 웨이퍼의 실제의 두께와 비교하여 수납된 웨이퍼의 경사를 검출하고, 검출된 웨이퍼의 경사에 의하여 웨이퍼의 옮겨싣기를 하거나, 웨이퍼수납의 미세한 수정을 하거나, 또는 아암처리를 행함.-
公开(公告)号:KR1019960015804A
公开(公告)日:1996-05-22
申请号:KR1019950034070
申请日:1995-10-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
IPC: H01L21/324
Abstract: 메인아암에 의하여 가열처리부로 웨이퍼를 반송하는 단계와, 가열단계에서 웨이퍼를 장착하고, 가열스테이지상에 장착된 웨이퍼를 가열하며, 그와 같이 가열된 웨이퍼를 가열스테이지로부터 들어올리는 단계와, 그와 같이 들어올려진 웨이퍼를 가열스테이지로 냉각하기 위하여 위쪽으로 냉각 홀더를 접근시키는 단계와, 상기 가열 스테이지로부터 냉각된 웨이퍼를 반송하는 단계를 포함하여 구성되는 기판의 가열 및 냉각방법.
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公开(公告)号:KR1019960012285A
公开(公告)日:1996-04-20
申请号:KR1019950029396
申请日:1995-09-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
IPC: H01L21/02
Abstract: 기판처리장치는, 적어도 기판을 가열하는 가열 유니트와, 기판을 냉각하는 냉각 유니틀르 포함하는 여러개의 처리 유니트와, 처리 유니트를 출입시키기 위한 개구를 가지는 상하 여러단으로 배치되어 있는 여러개의 컴파트먼트를 가지는 외장 프레임을 구비하면, 또 컴파트먼트는, 처리 유니트의 조작에 필요로 하는 전기계, 제어계 및 유체계를 포함하는 유틸리티 라인에 연결되는 여러개의 제1이음부재를 가지며, 처리 유니트는, 상기 제1이음부재에 접속되는 여러개의 제2이음부재를 가진다.
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公开(公告)号:KR101197170B1
公开(公告)日:2012-11-02
申请号:KR1020100110383
申请日:2010-11-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 사카모토야스히로
IPC: H01L21/027
Abstract: 배기 유량을 계속적으로 감시할 수 있는 열처리 장치를 제공한다. 웨이퍼에 형성된 도포막을 가열 처리하는 용기에 접속되고, 유량 조정부 예를 들면 팬이 개설된 배기관(54)에, 도포막으로부터의 승화물의 승화 온도 이상으로 가열하는 히터(71)와, 이 히터(71)의 상류측 및 하류측에 각각 제 1 온도 센서(72) 및 제 2 온도 센서(73)를 설치한다. 그리고 각 온도 센서(72, 73)는 서로 대응하는 위치에서 둘레 방향으로 복수 설치하고, 각 제 1 온도 센서(72) 및 제 2 온도 센서(73)의 조의 온도 검출치로부터 얻어진 배기 유량 측정치를 평균화하고, 그 평균치를 배기 유량 측정치로서 예를 들면 팬의 유량 제어에 이용한다.
Abstract translation: 提供了一种能够连续监测排气流量的热处理设备。 连接到容器上的加热器71,用于对形成在晶片上的涂膜进行热处理,并从涂膜加热到高于升华物的升华温度的温度;以及加热器71 第一温度传感器72和第二温度传感器73分别设置在上游侧和下游侧。 与各温度传感器(72,73),并且在彼此相对应的位置安装在所述圆周方向的多个,第一温度传感器72和平均的从一组第二温度传感器73的温度检测值的所得到的废气流速测量 并且该平均值被用作例如用于控制风扇的流量的排气流量测量值。
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公开(公告)号:KR1020110068835A
公开(公告)日:2011-06-22
申请号:KR1020100109935
申请日:2010-11-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 사카모토야스히로
IPC: H01L21/027 , G03F7/26
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/2041 , G03F7/265 , G03F7/70341
Abstract: PURPOSE: A liquid processing device, coating/developing device, coating/developing method, and storage medium are provided to certainly determine whether a substrate is normally hydrophobic based on an inspection liquid photographing result. CONSTITUTION: A liquid processing device forms a coating film by supplying processing liquid from a resist discharge nozzle to a wafer for forming an integrated circuit. A substrate holding unit can rotate and holds a substrate horizontally. A cup surrounds the substrate held in the substrate holding unit. A pure water supply unit(60) supplies pure water from the outside of an integrated circuit forming area onto a hydrophobic surface. A photographing unit(7) photographs inspection liquid supplied onto the substrate. A determination unit(95) determines whether a wafer is normally hydrophobic based on the image of photographed pure water.
Abstract translation: 目的:提供液体处理装置,涂布/显影装置,涂布/显影方法和存储介质,以基于检查液体拍摄结果确定基材是否正常疏水。 构成:液体处理装置通过从抗蚀剂排出喷嘴向用于形成集成电路的晶片提供处理液而形成涂膜。 基板保持单元可以水平旋转并保持基板。 杯子围绕保持在基板保持单元中的基板。 纯水供应单元(60)将纯水从集成电路形成区域的外部供应到疏水表面上。 拍摄单元(7)拍摄供应到基板上的检查液。 确定单元(95)基于所拍摄的纯水的图像来确定晶片是否是正常疏水的。
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公开(公告)号:KR1019960032577A
公开(公告)日:1996-09-17
申请号:KR1019960002585
申请日:1996-02-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
Abstract: 기판처리장치는, 웨이퍼(W)가 반송되는 Y축 방향으로 늘어지는 공통의 통로와, 이 공통 통로의 양측에 다단계로 적층된 복수의 처리 유니트와, 이들의 처리 유니트에 웨이퍼(W)를 반입/반출하기 위하여, 공통의 통로내를 Y축 방향으로 이동함과 동시에, Z축 주위에 θ회전하는 주 헨드라와, 이 주 헨드라내에서 Z축 방향으로 이동하도록 설치된 아암부와, 각각이 웨이퍼(W)를 유지하도록 상기 아암부에 다단으로 배설되어, 각각이 상기 아암부로부터 XY면내에서 전진 또는 후퇴하는 복수의 유지 아암과, 아암부에 설치되어 복수의 유지아암에 있어서의 웨이퍼(W)의 유지상태를 검지하는 광학 센서와, 이 광학 센서로부터의 검지결과를 토대로, 주 헨드라의 동작, 아암부의 동작, 및 복수의 유지아암의 동작을 각각 제어하는 제어기를 구비하며, 제어기에 의해, 헨드라 및 아암부 중 적어도 한쪽을 동작시키면서, 각 유지아암을 전진 또는 후퇴시키고, 유지아암이 처리유니트에 도착하기 전에 유지아암에 의한 웨이퍼(W)의 유지상태를 광학 센서로 검지해 둔다.
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