公开(公告)号：KR100297285B1

公开(公告)日：2001-10-24

申请号：KR1019950034070

申请日：1995-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  사카모토야스히로 ,  하라다고지

IPC: H01L21/324

Abstract: 메인아암에 의하여 가열처리부로 웨이퍼를 반송하는 단계와, 가열단계에서 웨이퍼를 장착하고, 가열스테이지상에 장착된 웨이퍼를 가열하며, 그와 같이 가열된 웨이퍼를 가열스테이지로부터 들어올리는 단계와, 그와 같이 들어올려진 웨이퍼를 가열스테이지의 냉각하기 위하여 위쪽으로 냉각 홀더로 접근시키는 단계와, 상기 가열 스테이지로부터 냉각된 웨이퍼를 반송하는 단계를 포함하여 구성되는 기판의 가열 및 냉각방법.

公开(公告)号：KR100264109B1

公开(公告)日：2000-09-01

申请号：KR1019950018716

申请日：1995-06-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  기무라요시오 ,  하세베게이죠 ,  나가시마신지 ,  셈바노리오 ,  이이다나루아키 ,  하라다고지 ,  우에다잇세이 ,  고니시노부오

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184

Abstract: 본 발명은, 복수매의 피처리체를 수용한 적어도 하나의 카세트를 얹어놓는 카세트 스테이션과, 피처리체에 처리를 하는 복수의 처리실 및 처리실에 피처리체를 반입하고, 처리실로 부터 피처리체를 반출하는 피처리체 반송수단을 포함하는 처리스테이션과, 카세트 스테이션과 처리스테이션과의 사이에서 피처리체를 주고 받는 제1의 피처리체 주고 받기 수단과, 피처리체를 대기시키는 피처리체 대기영역 및 처리스테이션과의 사이에서 피처리체의 주고 받기를 하는 제2의 피처리체 주고 받기 수단을 포함하는 인터페이스부를 가지며, 처리스테이션에 있어서의 처리실이 피처리체 반송수단의 둘레에 배치되어 있고, 피처리체 반송수단은 연직방향으로 거의 평행한 회전축을 가지며, 회전축을 따라서 연직방향으로 승강가능하며, 회전축에 대하여 회전 가능한 기판처리시스템을 제공한다.

公开(公告)号：KR1019960002497A

公开(公告)日：1996-01-26

申请号：KR1019950018716

申请日：1995-06-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  기무라요시오 ,  하세베게이죠 ,  나가시마신지 ,  셈바노리오 ,  이이다나루아키 ,  하라다고지 ,  우에다잇세이 ,  고니시노부오

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은, 복수매의 피처리체를 수용한 적어도 하나의 카세트를 얹어 놓는 카세트 스테이션과, 피처리체에 처리를 복수의 처리실 및 처리실에 피처리체를 반입하고, 처리실로 부터 피처리체를 반출하는 피처리체 반송수단을 포함하는 처리 스테이션과, 카세트 스테이션과 처리 스테이션과의 사이에서 피처리체를 주고 받는 제1의 피처리체 주고 받기 수단과, 피처리체를 대기시키는 피처리체 대기영역 및 처리 스테이션과의 사이에서 피처리체의 주고 받기를 하는 제2의 피처리체 주고받기 수단을 포함하는 인텨페이스부를 가지며, 처리 스테이션에 있어서의 처리실이 피처리체 반송수단의 둘레에 배치되어 있고, 피처리체 반송수단은 연직방향으로 거의 평행한 회전축을 가지며, 회전축을 따라서 연직방향으로 승강가능하며, 회전축에 대하여 회전가 능한 기판처리 시스템을 제공한다.

公开(公告)号：KR100230693B1

公开(公告)日：1999-11-15

申请号：KR1019940001584

申请日：1994-01-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 하라다고지 ,  사토다카미 ,  아나이노리유키 ,  노무라마사후미 ,  오모리쓰다에

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4485 ,  C23C16/4412 ,  Y10S427/101

Abstract: 반도체 웨이퍼의 소수화 처리를 하기 위한 소수화 처리장치는, 액상상태의 HMDS를 저장하는 탱크와, 웨이퍼 처리를 하는 처리실과, 탱크로부터 처리실로 액상상태의 HMDS를 필요한 때에 필요한 양만큼 송출하는 기구를 구비한다. 처리실은 배기관을 통하여 접속된 에젝터에 의하여 감압 상태로 설정가능하게 된다. 처리실 내에는 웨이퍼를 재치하기 위한 재치대가 배치되며, 이것은 히터를 내장한다. 재치대의 주위에는 링이 배치되며 링에는 2군데에 오목형상의 액받이부가 형성된다. HMDS를 공급하는 2개의 배관이 액받이부 바로 위까지 뻗어 있다. HMDS는 액상상태로 처리실에 공급되며 여기에서 기화한다. 처리실에 있어서의 HMDS의 농도는 액상상태의 HMDS의 공급량을 조정함으로써 제어된다.

公开(公告)号：KR1019940018927A

公开(公告)日：1994-08-19

申请号：KR1019940001584

申请日：1994-01-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 하라다고지 ,  사토다카미 ,  아나이노리유키 ,  노무라마사후미 ,  오모리쓰다에

IPC: H01L21/304

公开(公告)号：KR1019960015804A

公开(公告)日：1996-05-22

申请号：KR1019950034070

申请日：1995-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 아키모토마사미 ,  사카모토야스히로 ,  하라다고지

IPC: H01L21/324

Abstract: 메인아암에 의하여 가열처리부로 웨이퍼를 반송하는 단계와, 가열단계에서 웨이퍼를 장착하고, 가열스테이지상에 장착된 웨이퍼를 가열하며, 그와 같이 가열된 웨이퍼를 가열스테이지로부터 들어올리는 단계와, 그와 같이 들어올려진 웨이퍼를 가열스테이지로 냉각하기 위하여 위쪽으로 냉각 홀더를 접근시키는 단계와, 상기 가열 스테이지로부터 냉각된 웨이퍼를 반송하는 단계를 포함하여 구성되는 기판의 가열 및 냉각방법.

公开(公告)号：KR100700764B1

公开(公告)日：2007-03-27

申请号：KR1020000051481

申请日：2000-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오쿠라준 ,  하라다고지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67248

Abstract: 미리 웨이퍼의 목표처리온도와 오프셋(offset)치를 테이블화하여 온도제어장치에 기억시켜 둔다. 목표처리온도를 변경하면, 테이블내의 오프셋치에 기초하여 웨이퍼의 목표처리온도에 대응하는 열판온도를 산출한다. 그 값을 토대로, 열판온도는 히터제어장치가 히터를 제어하는 것으로 변경된다. 이것에 의해, 다른 온도에서 가열처리하는 기판의 가열처리장치에 있어서, 각 온도에 대응한 오프셋치가 자동적으로 변경되고, 적절한 온도로 기판을 가열할 수 있다.

Abstract translation: 晶片的目标处理温度和偏移值预先制表并存储在温度控制装置中。 当目标处理温度改变时，基于表中的偏移值来计算与晶片的目标处理温度相对应的热板温度。 根据该值，通过加热器控制装置改变加热板温度以控制加热器。 因此，在不同的温度下进行热处理的基板的热处理装置中，与各温度对应的偏移值自动变化，能够将基板加热到适当的温度。

公开(公告)号：KR1020010030216A

公开(公告)日：2001-04-16

申请号：KR1020000051481

申请日：2000-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오쿠라준 ,  하라다고지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67248

Abstract: PURPOSE: A substrate heat treatment apparatus, a substrate heat treatment method, a substrate processing apparatus and a substrate processing method are provided to heat a substrate at a proper temperature by automatically changing the offset value corresponding to each temperature in the heat treatment of a substrate using different temperatures. CONSTITUTION: The target treatment temperature and offset value of a wafer W are stored at a temperature control device(61) based on a previous table. If the target treatment temperature is changed, a temperature of heating plate corresponding to the target treatment temperature of the wafer W is calculated based upon offset value in the table. According to the value, a heater control device(64) controls a heater, so that the temperature of heating plate may be changed.

Abstract translation: 目的：提供基板热处理装置，基板热处理方法，基板处理装置和基板处理方法，通过自动改变与基板的热处理中的各温度对应的偏移值，在适当的温度下加热基板 使用不同的温度。 构成：晶片W的目标处理温度和偏移值基于前一表存储在温度控制装置（61）。 如果目标处理温度改变，则根据表中的偏移值来计算对应于晶片W的目标处理温度的加热板的温度。 根据该值，加热器控制装置（64）控制加热器，从而可以改变加热板的温度。

公开(公告)号：KR1020010062267A

公开(公告)日：2001-07-07

申请号：KR1020000074629

申请日：2000-12-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하라다고지 ,  우에다잇세이

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: An apparatus for performing heat and cooling treatments for a substrate is provided to make in-plane temperature distribution of a substrate and cooling effects uniform and shifting to precise cooling treatment more promptly than before. CONSTITUTION: The apparatus includes a heating table(62) for mounting a substrate thereon to perform the heat treatment for the substrate; a cooling table(82) for mounting the substrate thereon to perform the cooling treatment for the substrate; a waiting table(91) for allowing the substrate to wait; a carrying mechanism for carrying the substrate between the heating table(62), the cooling table(82), and the waiting table(91); and airflow formation means(54) for forming airflow in a space in which the heating table(62), the cooling table(82), and the waiting table(91) are arranged. Since the substrate is mounted on the cooling table(82) during the cooling treatment, the cooling treatment can be performed for the entire substrate uniformly. Thus, the apparatus, in which precise cooling treatment is performed without delay, is excellent in time management on the heat and cooling treatments. Therefore, it is possible to make in-plane temperature distribution of the substrate uniform and to make the cooling effects on substrates the same even when the cooling treatment are performed for a plurality of substrates.

Abstract translation: 目的：提供一种用于对基板进行加热和冷却处理的装置，以使基板的面内温度分布和冷却效果均匀，并且比以前更迅速地转向精确的冷却处理。 构成：该装置包括用于在其上安装基板以对基板进行热处理的加热台（62） 用于将基板安装在其上以对基板执行冷却处理的冷却台（82）; 用于允许衬底等待的等待台（91）; 用于在加热台（62），冷却台（82）和等待台（91）之间承载基板的承载机构; 以及用于在其中布置有加热台（62），冷却台（82）和等待台（91）的空间中形成气流的气流形成装置（54）。 由于在冷却处理期间将基板安装在冷却台（82）上，因此可以对整个基板均匀地进行冷却处理。 因此，精确的冷却处理没有延迟地进行的设备在热和冷处理的时间管理上是优异的。 因此，即使对于多个基板进行冷却处理，也可以使基板的面内温度分布均匀，并使基板的冷却效果相同。

公开(公告)号：KR100710982B1

公开(公告)日：2007-04-24

申请号：KR1020000068318

申请日：2000-11-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오쿠라준 ,  하라다고지

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67248 ,  G05B11/42 ,  G05D23/1917 ,  H01L21/67109

Abstract: 기판을 냉각처리하는 장치에 있어서, 기판이 놓여지는 냉각판과, 상기 냉각판을 소정의 온도로 조정하는 냉각온도조정체와, 상기 냉각온도조정체의 온도를 전달함수에 따라서 제어하는 온도제어수단과, 상기 냉각판에 부착된 온도센서와, 냉각대상이 되는 기판을 상기 냉각판에 얹어 놓은 후의 상기 온도센서에 의해서 검출된 냉각판의 온도에 기초하여, 상기 전달함수의 제어파라미터중의 비례동작계수, 적분시간 또는 미분시간중의 적어도 어느 하나의 설정을 변경하는 제어파라미터 변경수단을 구비하고 있다. 냉각판에 놓여질 때의 기판온도의 여하에 상관없이, 과도특성이 개선되고, 소정의 온도까지 냉각할 때의 리커버리 타임을 단축할 수 있으며, 또한 정상편차[오프세트(offset)] 등이 억제되어, 보다 정밀도가 높은 온도제어를 행할 수 있다.