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公开(公告)号：KR101812687B1
公开(公告)日：2017-12-27
申请号：KR1020110056992
申请日：2011-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 강명진
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L45/1683 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2445 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1608
Abstract: 가변저항메모리소자가제공된다. 기판상에, 기판의상면과평행한제 1 방향을따라교대로배치된도전패턴들및 제 1 절연패턴들을형성하고, 도전패턴들상에제 1 절연패턴들의측벽들과접하는예비희생패턴들을형성하고, 예비희생패턴들을식각마스크로도전패턴들을식각하여예비하부전극들을형성한다. 예비희생패턴들및 상기예비하부전극들을패터닝하여제 1 방향과교차하는제 2 방향으로분리된희생패턴들및 하부전극들을형성하고, 희생패턴들을가변저항패턴들로교체한다.
Abstract translation: 提供了一种可变电阻存储元件。 上的基板，在上表面和沿第一方向平行的形成牺牲预图案以形成导电图案和交替布置在所述第一绝缘图案，在接触导电图案与所述衬底的所述第一介电图案的侧壁 并且用蚀刻掩模蚀刻初步牺牲图案以形成初步下电极。 形成预牺牲图案和牺牲图案和通过图案化初步下部电极在第二方向交叉的第一方向，和更换牺牲图案到可变电阻器图案分离的下电极。
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公开(公告)号：KR1020170019733A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：KR1020150113941
申请日：2015-08-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01Q1/24 , H01Q1/48 , H04M1/02 , H04B1/3827
Abstract: 본발명의다양한실시예에따른전자장치는하우징, 상기하우징의내부에위치하거나, 상기하우징의일부에의하여형성된안테나, 상기안테나를이용하여무선신호를송수신하도록구성된 RF(Radio Frequency) 모듈, 상기하우징의일부에형성된개구내에형성된홈, 상기홈 내부에배치된전기커넥터, 상기하우징내부에배치된그라운드부재, 상기 RF 모듈및 상기전기커넥터에전기적으로연결된프로세서, 및상기프로세서와전기적으로연결된메모리를포함하고, 상기메모리는, 실행시에, 상기프로세서가, 상기전기커넥터내의외부전기커넥터의삽입을감지하고, 상기외부전기커넥터의삽입에적어도일부응답하여, 상기 RF 모듈과상기그라운드부재사이에복수의전기적경로들중 적어도하나를선택하도록하는인스트럭션들을저장하는것을특징으로한다. 다른실시예들도가능하다.
Abstract translation: 提供了一种提高天线性能的方法和配置成改善天线性能的电子设备。 电子设备包括：壳体; 位于壳体内部或形成为壳体的一部分的天线; 射频（RF）接口，被配置为经由所述天线发送/接收无线信号; 形成在所述壳体的一部分中的开口内的凹槽; 设置在槽内的电连接器; 放置在壳体内的接地构件; 电连接到RF接口和电连接器的处理器; 以及电连接到处理器的存储器。 存储器存储指令，其使得处理器能够检测插入到电连接器中的外部电连接器，并且响应于插入的外部的至少一部分，选择RF接口和接地构件之间的多个电路径中的至少一个 电连接器。 提供了各种实施例。
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公开(公告)号：KR101653569B1
公开(公告)日：2016-09-02
申请号：KR1020090081976
申请日：2009-09-01
Applicant: 삼성전자주식회사 , 오보닉스, 아이엔씨.
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L45/141 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/144
Abstract: 본발명은, 낮은전압에서동작하고낮은전력소모특성을가지는상변화물질을포함하는비휘발성메모리소자를제공한다. 본발명의일실시예에따른비휘발성메모리소자는, 하부전극, 하부전극상에전기적으로연결되도록위치하고, InSbTe의조성을가지는상변화물질을포함하는상변화물질층, 및상변화물질층상에전기적으로연결되도록위치하는상부전극을포함한다. 여기에서, 0.001≤X≤0.3 이고, 0.001≤Y≤0.8 이고, 0.001≤Z≤0.7 이고, X+Y+Z=1 이다.
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公开(公告)号：KR1020120096790A
公开(公告)日：2012-08-31
申请号：KR1020110016100
申请日：2011-02-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1683 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/04 , G11C13/0004 , H01L29/45
Abstract: PURPOSE: A variable resistance memory device is provided to simplify a manufacturing process by forming an ohmic pattern and a first electrode pattern in a process of using a sacrificed pattern, a first spacer, and a second spacer. CONSTITUTION: An ohmic pattern(140) is arranged on a substrate. A first electrode pattern(138) comprises a plate shaped first part contacting an upper side of the ohmic pattern and a second part extended from one end of the first part to the top. A variable resistance pattern is electrically connected to the first electrode pattern. A second electrode pattern(144) is electrically connected to the variable resistance pattern. One end of the ohmic pattern and the other end of the first part are arranged on the same plane.
Abstract translation: 目的：提供可变电阻存储器件以通过在使用牺牲图案，第一间隔件和第二间隔件的过程中形成欧姆图案和第一电极图案来简化制造工艺。 构成：在衬底上布置有欧姆图案（140）。 第一电极图案（138）包括接触欧姆图案的上侧的板状第一部分和从第一部分的一端延伸到顶部的第二部分。 可变电阻图案电连接到第一电极图案。 第二电极图案（144）电连接到可变电阻图案。 欧姆图的一端和第一部分的另一端布置在同一平面上。
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公开(公告)号：KR1020090103566A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：KR1020080029249
申请日：2008-03-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: PURPOSE: A contact structure, a semiconductor device using the same, and a manufacturing method thereof are provided to form a stable contact on an information storage pattern having a concave region in a top surface. CONSTITUTION: A contact structure includes a bottom pattern, a flattened buffer pattern(126), and a conductive pattern(131). The bottom pattern is formed on a substrate(100), and has a concave region in a top surface. The flattened buffer pattern is formed on the information storage pattern. The conductive pattern is formed on the flattened buffer pattern, and is self-aligned with the bottom pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种接触结构，使用其的半导体器件及其制造方法，以在上表面具有凹区的信息存储图案上形成稳定的接触。 构成：接触结构包括底部图案，扁平缓冲图案（126）和导电图案（131）。 底部图案形成在基板（100）上，并且在顶面具有凹形区域。 扁平缓冲图案形成在信息存储图案上。 导电图案形成在扁平缓冲图案上，并且与底部图案自对准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090013419A
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：KR1020070077510
申请日：2007-08-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1683 , Y10T428/24273 , H01L45/143
Abstract: A phase change memory device and a method of forming the same are provided to prevent the characteristic deterioration of the phase change material layer by filling the opening with the phase change material layer. The insulating layer(110) is arranged on the substrate(100). The insulating layer comprises the oxide film. The bottom electrode(120) can fill up the lower part of the opening(115). The bottom electrode is electrically connected to the substrate having the selection element. The phase change material pattern is arranged within the opening. The wetting pattern is interposed between the side wall of the opening and phase change material pattern(130a). The phase change material pattern contacts with the wetting pattern. The wetting pattern is extended and interposed between the phase change material pattern and the bottom electrode. The phase change material pattern and bottom electrode are electrically connected through the wetting pattern.
Abstract translation: 提供了相变存储器件及其形成方法，以通过用相变材料层填充开口来防止相变材料层的特性劣化。 绝缘层（110）设置在基板（100）上。 绝缘层包括氧化物膜。 底部电极（120）可以填充开口（115）的下部。 底部电极与具有选择元件的基板电连接。 相变材料图案布置在开口内。 润湿图案介于开口的侧壁和相变材料图案（130a）之间。 相变材料图案与润湿图案接触。 润湿图案被延伸并介于相变材料图案和底部电极之间。 相变材料图案和底部电极通过润湿图案电连接。
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公开(公告)号：KR101709323B1
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：KR1020100037911
申请日：2010-04-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/1683
Abstract: 가변저항메모리소자및 그제조방법을제공한다. 셀영역및 주변영역을포함하는기판을준비하고, 상기주변영역에주변트랜지스터를형성하고, 상기주변트랜지스터및 상기기판을덮는층간절연막을형성하고, 상기층간절연막을패터닝하여상기셀 영역에리세스영역을형성하고, 상기리세스영역및 상기층간절연막상에가변저항물질막을형성하고, 상기주변영역의상기가변저항물질막을제거하고, 평탄화공정에의하여가변저항물질패턴을형성한다.
Abstract translation: 形成可变电阻存储器件的方法包括图案化层间电介质层以限定其中可露出可变电阻存储单元的底部电极的开口，在衬底（例如，半导体衬底）的存储单元区域上。 这些方法还包括在开口中的暴露的底部电极上沉积可变电阻材料层（例如，相变材料），并且延伸到与衬底的外围电路区域相对延伸的层间电介质层的第一部分上。 然后依次选择性地蚀刻可变电阻材料层和层间电介质层的第一部分，以在层间介质层中限定凹陷。 然后将可变电阻材料层和层间电介质层平坦化，以在开口内限定可变电阻图案。
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公开(公告)号：KR1020150011658A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：KR1020130086896
申请日：2013-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/45 , H01L21/02532 , H01L21/76805 , H01L21/76895 , H01L21/823814 , H01L27/092 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/41725 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66636 , H01L29/7848 , H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L21/28556 , H01L29/785
Abstract: 반도체 장치 및 그 제조방법이 제공된다. 제조방법은 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판을 제공하는 것, 상기 제1 영역에 제1 마스크 패턴들을 형성하는 것, 및 상기 제2 영역에 상기 제1 마스크 패턴들과 식각 선택성이 다른 제2 마스크 패턴들을 형성하는 것을 포함한다. 상기 제1 마스크 패턴들 및 상기 제2 마스크 패턴들은 동시에 형성된다.
Abstract translation: 提供半导体器件和制造半导体器件的方法。 制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供包括第一区域和第二区域的衬底; 在所述第一区域上形成第一掩模图案; 以及与第二区域上的第一掩模图案相比，形成具有不同蚀刻选择性质的第二掩模图案。 同时形成第一掩模图案和第二掩模图案。
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公开(公告)号：KR1020130046641A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：KR1020110111150
申请日：2011-10-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1293 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , H01L45/143
Abstract: PURPOSE: A phase change memory device and a method for manufacturing the same are provided to prevent a thermal cross talk phenomenon by forming a phase change material pattern in a diagonal direction. CONSTITUTION: Word lines(20) are arranged in a second direction. The second direction is orthogonal to a first direction. Bottom electrodes(40) are arranged on the word lines. The bottom electrodes are arranged with a first tilt angle in the first direction. Phase change material patterns(50) are arranged on the bottom electrodes. [Reference numerals] (AA) First direction; (BB) Second direction
Abstract translation: 目的：提供相变存储器件及其制造方法，以通过在对角线方向上形成相变材料图案来防止热串扰现象。 构成：字线（20）布置在第二个方向。 第二方向与第一方向正交。 底部电极（40）布置在字线上。 底部电极在第一方向上以第一倾斜角度布置。 相变材料图案（50）布置在底部电极上。 （附图标记）（AA）第一方向; （BB）第二方向
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公开(公告)号：KR1020100007193A
公开(公告)日：2010-01-22
申请号：KR1020080067710
申请日：2008-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/06 , H01L21/02362 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: PURPOSE: A phase change memory device and a method for forming the same are provided to prevent damage to a phase change pattern in a patterning process after forming the phase change pattern by forming an upper electrode pattern and a conductive pattern with the same patterning process at the same time. CONSTITUTION: A bottom electrode(120) is formed on a semiconductor substrate(100). A phase change pattern(130) is electrically connected to the bottom electrode on the semiconductor substrate. A top electrode pattern(140) and a contact conductive pattern(150) are successively stacked. The phase change pattern, the top electrode pattern, and the contact conductive pattern are formed with the same patterning process as the same time. The side surfaces of the phase change pattern, the top electrode pattern, and the contact conductive pattern form the same plane.
Abstract translation: 目的：提供一种相变存储器件及其形成方法，以通过以相同的图案化工艺形成上电极图案和导电图案来防止在形成相变图案之后在图案化工艺中损坏相变图案 同一时间。 构成：在半导体衬底（100）上形成底电极（120）。 相变图案（130）电连接到半导体衬底上的底部电极。 依次层叠顶部电极图案（140）和接触导电图案（150）。 相变图案，顶部电极图案和接触导电图案以相同的图案化工艺形成。 相变图案，顶部电极图案和接触导电图案的侧表面形成相同的平面。
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