公开(公告)号：KR100871692B1

公开(公告)日：2008-12-08

申请号：KR1020060109580

申请日：2006-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박혜영 ,  조성래 ,  배병재 ,  이진일 ,  임지은 ,  박영림

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1233 ,  C07F7/30 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/31678

Abstract: 저온 증착용 금속 전구체, 그를 사용한 금속 박막 형성 방법 및 상변화 메모리 소자 제조 방법을 제공한다. 상기 금속 전구체는 고리를 구성하는 원소들 중 적어도 하나가 금속인 금속 고리화합물이다. 이로써, 금속 박막의 증착 온도를 감소시킬 수 있다. 나아가, 상기 금속 고리화합물을 금속 전구체로 사용함으로써 미세한 비아홀 내에 금속 박막을 보이드 없이 채울 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080041460A

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：KR1020060109580

申请日：2006-11-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박혜영 ,  조성래 ,  배병재 ,  이진일 ,  임지은 ,  박영림

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1233 ,  C07F7/30 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/31678 ,  G11C13/0004

Abstract: A method for forming a metal thin film using a metal precursor for low temperature deposition is provided to decrease the deposition temperature of a metal thin film by using a metal cyclic compound as a metal precursor. A lower electrode(135) is formed on a substrate(100). A mold insulation layer(140) is formed on the lower electrode. A via hole(140a) is formed in the mold insulation layer, exposing a part of the lower electrode. A metal precursor is supplied to the substrate to fill the via hole with a phase change material layer wherein the metal precursor is a metal cyclic compound in which at least one of elements constituting a cycle is metal. An upper electrode(160) is formed on the phase change material layer.

Abstract translation: 提供了使用金属前体进行低温沉积来形成金属薄膜的方法，通过使用金属环状化合物作为金属前体来降低金属薄膜的沉积温度。 在基板（100）上形成下电极（135）。 在下部电极上形成有模具绝缘层（140）。 在模具绝缘层中形成通孔（140a），暴露下部电极的一部分。 金属前体被提供给基板以用相变材料层填充通孔，其中金属前体是其中构成循环的元素中的至少一个元素是金属的金属环状化合物。 在相变材料层上形成上电极（160）。

公开(公告)号：KR1020080035844A

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：KR1020060102415

申请日：2006-10-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박영림 ,  조성래 ,  배병재 ,  이진일 ,  박혜영 ,  임지은

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/2436 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45553 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675

Abstract: A method for forming a phase change material layer and a method for manufacturing a phase change memory device are provided to implement excellent junction characteristic with a lower layer and to implement excellent electrical characteristic by using plasma whose hydrogen gas is properly controlled. Hydrogen gas of a first flux is introduced into a reactive chamber where a substrate(10) is loaded to form a first plasma. A cyclic chemical vapor deposition process using first, second, and third precursors is performed in the chamber where the first plasma is formed to form a lower phase change material layer(20) on the substrate. The lower phase change material layer has a first dimension of grain. Hydrogen gas of a third flux smaller than the first flux is introduced into the chamber to form a second plasma. A cyclic chemical vapor deposition process using first, second, and third precursors is performed in the chamber where the second plasma is formed to form an upper phase change material layer(30) on the substrate. The upper phase change material layer has a second dimension of grain smaller than the first dimension.

Abstract translation: 提供一种形成相变材料层的方法和相变存储器件的制造方法，以通过使用适当控制氢气的等离子体来实现与下层的优良结合特性并实现优异的电特性。 将第一通量的氢气引入反应室中，其中衬底（10）被加载以形成第一等离子体。 在其中形成第一等离子体的室中进行使用第一，第二和第三前体的循环化学气相沉积工艺，以在衬底上形成下相变材料层（20）。 下相变材料层具有晶粒的第一尺寸。 将小于第一通量的第三通量的氢气引入室中以形成第二等离子体。 在其中形成第二等离子体的腔室中进行使用第一，第二和第三前体的循环化学气相沉积工艺，以在衬底上形成上相变材料层（30）。 上相变材料层具有小于第一尺寸的颗粒的第二尺寸。

公开(公告)号：KR100785458B1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：KR1020050041568

申请日：2005-05-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최석헌 ,  배병재 ,  손윤호 ,  홍창기 ,  박정헌

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L27/11507 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/75

Abstract: 향상된 특성을 갖는 강유전체 박막의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 유기 금속 화학 기상 증착 공정으로 PZT를 증착하여 예비 강유전체막을 형성한 후, 기판이 장착되는 캐리어 및 예비 강유전체막의 표면에 접촉되는 연마 패드를 갖는 화학 기계적 연마 장치를 사용하고, 기판을 연마 패드에 접촉시키는 압력 및 연마 패드의 회전 속도를 조절하면서 예비 강유전체막의 표면을 연마하여 기판 상에 강유전체 박막을 형성한다. 연마된 강유전체 박막을 세정한 다음, 세정된 강유전체 박막을 큐어링한다. 적절한 공정 조건 하에서 표면 연마 공정을 적용하여 얇은 두께를 갖는 강유전체 박막을 구현할 수 있을 뿐만 아니라 강유전체 박막의 열화를 개선할 수 있다. 강유전체 박막의 데이터 보존력 또는 분극 보존력을 일정하게 유지시킬 수 있으며, 누설 전류 특성을 크게 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100729231B1

公开(公告)日：2007-06-15

申请号：KR1020050071152

申请日：2005-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임지은 ,  유동철 ,  배병재 ,  임동현 ,  김석필

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 향상된 특성을 갖는 강유전체 구조물, 강유전체 구조물의 제조 방법, 강유전체 구조물을 포함하는 강유전체 캐패시터, 강유전체 캐패시터의 제조 방법, 강유전체 캐패시터를 구비하는 반도체 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. 제1 금속 산화물을 사용하여 제1 하부 전극막을 형성한 후, 제1 하부 전극막 상에 제2 하부 전극막을 형성한다. 제2 하부 전극막은 제1 금속, 제1 금속 산화물 및/또는 제1 합금을 사용하여 형성된다. 제1 하부 전극막 아래에는 제2 금속 또는 제2 금속 질화물로 이루어진 접착층이 형성된다. 제2 하부 전극막 상에 강유전체층을 형성한 다음, 강유전체층 상에 제2 금속 산화물을 사용하여 제1 상부 전극막을 형성한다. 제1 상부 전극막 상에 제2 합금을 사용하여 제2 상부 전극막을 형성한다. 제1 및 제2 상부 전극막을 포함하는 강유전체 구조물의 분극 또는 데이터 보존력의 향상, 피로 저항 증가, 센싱 마진의 증가 등과 같이 강유전적 및 전기적 특성을 크게 개선할 수 있으며, 이러한 강유전체 구조물을 갖는 강유전체 캐패시터의 강유전적 및 전기적 특성을 현저하게 향상시킬 수 있다.

Abstract translation: 一种强电介质结构，产生的强电介质结构的方法，公开了一种制造铁电电容器，铁电电容器，包括强电介质结构中，半导体器件及其制造方法，其包括具有改进的特性的铁电电容器的方法。 在使用第一金属氧化物形成第一下部电极膜之后，在第一下部电极膜上形成第二下部电极膜。 第二下电极膜使用第一金属，第一金属氧化物和/或第一合金形成。 在第一下电极膜之下形成由第二金属或第二金属氮化物制成的粘合剂层。 在第二下电极膜上形成铁电层，然后在铁电层上使用第二金属氧化物形成第一上电极膜。 通过使用第二合金在第一上部电极膜上形成第二上部电极膜。 第一和第二偏振或改善铁电结构，包括上部电极膜的数据保持，所以能够显著改善铁电体完全和电学性质，如耐疲劳性增加时，增加了感测裕度，强电介质电容器具有这样的铁电结构 铁电和电特性可以显着改善。

公开(公告)号：KR1020060127507A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：KR1020050048531

申请日：2005-06-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고화영 ,  주석호 ,  배병재 ,  김희석 ,  변경래 ,  함진환

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/65

Abstract: A method for manufacturing a ferroelectric capacitor and a semiconductor device manufacturing method using the same are provided to improve an effective surface of the capacitor by using a hard mask structure composed of first and second hard masks. A lower electrode structure(130) composed of at least one or more lower electrode layers is formed on a substrate(100). A ferroelectric film(135) is formed on the lower electrode structure. An upper electrode layer(140) is formed on the ferroelectric film. A hard mask structure(165) composed of first and second hard masks is formed on the upper electrode layer. A ferroelectric capacitor is completed on the resultant structure by an etching process using the hard mask structure as an etch mask.

Abstract translation: 提供一种强电介质电容器的制造方法和使用该方法的半导体器件制造方法，通过使用由第一和第二硬掩模构成的硬掩模结构来改善电容器的有效表面。 在基板（100）上形成由至少一个或多个下电极层构成的下电极结构（130）。 铁电薄膜（135）形成在下电极结构上。 在强电介质膜上形成上电极层（140）。 在上电极层上形成由第一和第二硬掩模构成的硬掩模结构（165）。 通过使用硬掩模结构作为蚀刻掩模的蚀刻工艺，在所得结构上完成铁电电容器。

公开(公告)号：KR100626366B1

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：KR1020030049204

申请日：2003-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이문숙 ,  배병재

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45574

Abstract: 기상 증착 시스템을 제공한다. 이 시스템은 반응 챔버, 기화기, 펌프 및 제 2 가스 공급 라인을 구비한다. 이때, 기화기는 제 1 공급 밸브를 구비하는 제 1 가스 공급 라인을 통해 반응 챔버에 연결되고, 펌프는 가스 배기 라인을 통해 기화기에 연결된다. 제 2 가스 공급 라인의 일단은 제 1 공급 밸브와 반응 챔버 사이에 연결되고, 제 2 가스 공급 라인의 다른 일단은 소정의 운송 가스에 연결된다.

公开(公告)号：KR1020050013082A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：KR1020040056482

申请日：2004-07-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이문숙 ,  배병재

IPC: H01L21/205 ,  H01L27/105

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45514

Abstract: PURPOSE: A MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) apparatus, a method for forming a ferroelectric capacitor and FRAM(Ferroelectric Random Access Memory) using the same are provided to obtain the crystalline growth of PZT(Pb(Zr,Ti)O3)with a preferred oriented columnar structure. CONSTITUTION: A FRAM layer is formed on the semiconductor substrate(100) within a chamber(500) performing MOCVD process. The semiconductor substrate on the susceptor(510) is heated to at least a temperature for chemical vapor deposition. A heated organometallic compound precursor gas and a heated carrier gas are injected into the chamber by a first injecting unit(520a). A heated oxidizing agent gas is injected into the chamber by a second injecting unit(520b). The pre-mixing of between the organometallic compound precursor gas and the oxidizing agent gas is inhibited by a shower head(520). A first and second gas introducing units(540,560) have a vaporizing unit(530) and a heating unit(550) respectively.

Abstract translation: 目的：提供MOCVD（金属有机化学气相沉积）装置，形成铁电电容器的方法和使用其的FRAM（铁电随机存取存储器），以获得PZT（Pb（Zr，Ti）O 3）的结晶生长， 优选的定向柱状结构。 构成：在进行MOCVD处理的室（500）内的半导体衬底（100）上形成FRAM层。 基座（510）上的半导体衬底被加热到化学气相沉积的至少一个温度。 加热的有机金属化合物前体气体和加热的载气通过第一注射单元（520a）注入腔室。 加热的氧化剂气体通过第二注入单元（520b）注入到腔室中。 有机金属化合物前体气体与氧化剂气体之间的预混合被喷淋头（520）抑制。 第一和第二气体引入单元（540,560）分别具有蒸发单元（530）和加热单元（550）。

公开(公告)号：KR102102783B1

公开(公告)日：2020-04-22

申请号：KR1020140001314

申请日：2014-01-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박종철 ,  배병재 ,  김인호 ,  권신 ,  노은선 ,  박인선 ,  이상민

IPC: H01L21/28 ,  G11C11/15 ,  H01L27/115

公开(公告)号：KR101685021B1

公开(公告)日：2016-12-12

申请号：KR1020100077087

申请日：2010-08-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오규환 ,  조성래 ,  배병재 ,  김익수 ,  임동현 ,  박두환

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

Abstract: 반도체소자의제조방법을제공한다. 기판에도전성패턴을형성한다. 상기도전성패턴을노출하는콘택홀을가진절연층을형성한다. 상기콘택홀의측벽및 상기도전성패턴상에하부전극을형성한다. 상기하부전극상에저항성패턴을형성한다. 상기저항성패턴및 상기하부전극은상기절연층의상부표면보다낮다. 상기하부전극및 상기저항성패턴상에데이터저장플러그를형성한다. 상기데이터저장플러그는상기하부전극의측벽에정렬된제1 측벽및 상기저항성패턴의측벽에정렬된제2 측벽을갖는다. 상기데이터저장플러그상에비트라인을형성한다.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成具有自对准插塞的半导体器件的方法，以通过在半导体衬底上形成多个底部电极结构和数据存储插头来形成具有优异电特性的存储器件。 构成：形成具有接触孔的绝缘层。 底部电极（51R）形成在接触孔的侧壁上和导电图案上。 底部电极包括上部和下部，以便于L形的纵向截面。 电阻率图案（53R）形成在底部电极上。 底部电极和电阻率图形比绝缘层的上表面低。 在底部电极和电阻率图案上形成数据存储插头（61）。 在数据存储插头上形成位线（67）。