Abstract:
적층형 반도체 패키지를 인쇄회로기판에 실장할 때 사용되는 카트리지 및 이를 이용한 실장방법에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은, 적층형 반도체 패키지를 인쇄회로기판 위에 실장할 때 사용되는 카트리지(cartridge) 본체와, 상기 카트리지 본체에서 반도체 패키지가 실장되는 영역에 형성된 개구부와, 상기 개구부의 가장자리에 형성되어 반도체 패키지의 적층형 실장을 가능케 하는 가이더(guider)와, 상기 카트리지 본체에 연결되어 형성되고, 상기 인쇄회로기판에 장착하는데 사용되는 장착수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 적층형 반도체 패키지 실장시 사용되는 카트리지를 제공한다.
Abstract:
본 발명은 외부 접속 단자로서 솔더 볼을 갖는 반도체 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 솔더 조인트의 신뢰성을 향상시키는 볼 그리드 어레이(BGA) 반도체 장치 및 그의 제조 방법을 제공한다. 즉, 솔더 볼 구조 내부에 하나의 거대 캐버티를 형성함으로써, BGA 반도체 장치에서의 솔더 볼 접속의 신뢰성이 향상될 수 있다. 본 발명에 의하면 제 1 평면 요소의 제 1 금속 접촉 패드를 제 2 평면 요소의 제 2 금속 접촉 패드에 전기적, 기계적으로 접속하며, 제 1 체적을 갖는 굴곡된 외부 표면을 갖는 솔더링 수단 및 제 2 체적을 갖는 내부 캐버티를 포함하는 것을 특징으로 하는 솔더 구조가 제공된다. 또한 본 발명은 제 1 평면 요소의 제 1 금속 접촉부를 제 2 평면 요소의 제 2 금속 접촉부에 전기적, 기계적으로 접속하기 위한 공동의 솔더 구조의 제조 방법을 제공하며, 이 제조 방법은 a) 환상의 랜드 패턴을 갖는 제 1 금속 접촉부를 에칭하는 단계, b) 원형의 랜드 패턴을 갖는 제 2 금속 접촉부를 에칭하는 단계, c) 환상의 랜드 패턴과 접촉하는 솔더링 수단을 배열하는 단계, d) 제 1 평면 요소와 평행하여 솔더링 수단과 접촉하는 제 2 금속 접촉부를 갖는 제 2 평면 요소를 위치시키는 단계, e) 솔더링 수단을 용융 상태로 변화시키기 위해 열을 가하는 단계, f) 용융된 솔더가 제 1 및 제 2 금속 접촉부 표면상에 리플로우되도록, 소정의 시간 동안 온도를 유지하는 단계, 및 g) 솔더링 수단을 고체 상태로 되돌리기 위해서 열을 제거하는 단계를 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: An integrated circuit chip, integrated circuit chip manufacturing method, flip chip package with the integrated circuit chip and flip chip package manufacturing method are provided to separate a second bump structure from the central line of a wiring line as much as a fixed distance, thereby preventing stress from being concentrated on the wiring line. CONSTITUTION: An integrated circuit structure comprises a first area with a wiring line and a second area without a wiring line. The integrated circuit structure comprises a plurality of conductive structures and a wiring line(116). An electrode pad comprises a first electrode pad and a second electrode pad(114b). A passivation layer pattern comprises a first opening and a second opening and is arranged on the electrode pad. A bump structure comprises a first bump structure and a second bump structure(130).
Abstract:
PURPOSE: A semiconductor device is provided to prevent the crack between a solder bump and a bonding pad by using a stick as a cane. CONSTITUTION: A semiconductor device is included in an active region. A bonding pad(108) is included in the upper one side of a semiconductor substrate(100) and can be used as the input/output terminal of the semiconductor device. A passivation layer(112'), a buffer layer(114'), and an insulating layer(116') are sequentially laminated on the semiconductor substrate which includes the bonding pad. The passivation layer, the buffer layer, and the insulating layer are removed so that the bonding pad is exposed.
Abstract:
반도체 패키지의 휨(warpage) 현상을 방지할 수 있는 EMC 몰딩(molding)을 수행하지 않는 BGA(Ball Grid Array) 패키지에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은 ①반도체 칩이 하부에서 탑재되고 가운데 슬릿(slit)이 형성된 기판과, ②기판 하부의 다이 패드에 도포된 접착수단으로 반도체 칩과 기판과의 열팽창계수(CTE) 차이에 기인한 수축력 발생을 최소화하기 위해 부분적으로 도포된 접착수단, ③접착수단에 의해 상기 기판 하부에 부착된 반도체 칩, ④반도체 칩과 기판 상부의 본드 핑거(finger)를 슬릿을 통해 연결하는 와이어(wire)와, ⑤반도체 칩의 본드패드 및 기판의 본드 핑거를 봉합하는 엔캡슐런트(encapsulant)와, ⑥기판의 하면에 부착된 솔더볼을 구비하는 것을 특징으로 하는 EMC 몰딩을 수행하지 않는 BGA 패키지를 제공한다. 따라서 부분적으로 도포된 접착수단에 의해 반도체 패키지의 휨 발생을 억제할 수 있다. 휨(warpage), 비지에이(BGA), 접착수단, 반도체 패키지, 열팽창계수(CTE).
Abstract:
A semiconductor package and a method for forming the same are provided. The semiconductor package comprises a chip having an active surface and a back surface. The semiconductor package further comprises a substrate having an upper surface and a lower surface opposite the upper surface. The chip is electrically connected to the upper surface of the substrate. A lid is thermally coupled to the back surface of the chip. A thermal interface material (TIM) is located between the chip and the lid. The TIM includes voids to reduce thermomechanical stresses applied on the chip and the TIM, thereby preventing package cracks.
Abstract:
PURPOSE: A semiconductor package having thermal interface material(TIM) formed voids is provided to improve the efficiency of heat release by using solder as thermal interface material. CONSTITUTION: A plurality of contact bumps are attached on a lower portion of a CPU(Central Processing Unit) chip. The CPU chip is bonded on an upper surface of a PCB(Printed Circuit Board) by a flip chip bonding method. An outer connection terminal is formed on the lower surface of the PCB, wherein the outer connection terminal is electrically connected with the CPU chip. A cover(140) is located at the upper portion of the CPU chip for releasing the heat from the CPU chip to the outer portion. Thermal interface material(160) is located between the CPU chip and the cover(140) for releasing the heat from the CPU chip to the cover(140). At this time, solder having uniformly distributed voids(180) is used as the thermal interface material(160).