公开(公告)号：KR2019970052839U

公开(公告)日：1997-09-08

申请号：KR2019960002927

申请日：1996-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전필권 ,  김진성

IPC: H01L21/66

公开(公告)号：KR1019950030297A

公开(公告)日：1995-11-24

申请号：KR1019940008857

申请日：1994-04-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전필권 ,  신해진 ,  김종수

IPC: H01L21/66

Abstract: 반도체 장치 제조에 출발물질로 사용하는 기판의 배면(backside) 파티클의 추출, 측정 및 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 기판의 배면 및 전면에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막이 형성되어 있는 기판을 기상분해조에 로딩하고 상기 절연막을 제거할 수 있는 게1용액을 투입하는 단계와, 상기 투입된 기판을 꺼내어, 파티클이 있는 배면에 상기 제1용액과 동일한 성질을 갖는 제2용액을 떨어뜨리는 단계와, 상기 제2용액이 떨어진 기판의 배면을 스캔닝하여 제2용액과 파티클이 포함된 용액방울을 형성하는 단계와, 상기 용액방울을 샘플링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 배면의 파티클 추출방법을 제공한다. 상기 추출된 용액 방울을 필터링 또는 파티클 검출기를 사용하여 파티클 갯수를 측정한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 웨이퍼 배면 파티클을 측정하고 더 나아가 성분분석까지 행할 수 있어, 배면 파티클로 인한 반도체 공정의 수율저하 원인을 파악할 수 있으며, 웨이퍼 자체의 질평가를 할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020140112230A

公开(公告)日：2014-09-23

申请号：KR1020130026683

申请日：2013-03-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정훈 ,  류진아 ,  이창호 ,  김동원 ,  김재호 ,  박정대 ,  유내리 ,  전필권

IPC: G01N21/956 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N23/20025 ,  G01N2223/611

Abstract: According to a method for detecting the inhomogeneity of a film, at least two sections of a film are irradiated with light at a first incident angle. First lights reflected from the two sections are detected. The at least two sections of the film are irradiated with light at a second incident angle. Second lights reflected from the two sections are detected. The inhomogeneity of the film is obtained by comparing the first and second reflection lights. Thus, the present invention can compare the reflectances of the lights totally reflected from foreign materials in the film among the lights reflected from the film with each other by irradiating the lights to the at least two sections of the film at the two or more incident angles; thereby accurately detecting the inhomogeneity of the film. Also, the present invention can prevent pattern defects since it can detect the film having defect factors, such as the foreign materials, beforehand.

Abstract translation: 根据用于检测膜的不均匀性的方法，以至少两个膜以第一入射角照射膜。 检测到从两个部分反射的第一个光。 膜的至少两个部分以第二入射角照射光。 检测到从两个部分反射的第二个光。 通过比较第一和第二反射光获得胶片的不均匀性。 因此，本发明可以比较通过在两个或更多个入射角度将光照射到膜的至少两个部分而将从膜反射的光中的膜中的异物全反射的光的反射率相比较 ; 从而准确地检测膜的不均匀性。 此外，本发明可以预防图案缺陷，因为它可以预先检测诸如异物的缺陷因素的膜。

公开(公告)号：KR100725460B1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：KR1020050131420

申请日：2005-12-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재석 ,  전필권 ,  박선희 ,  김미애

IPC: G01N1/36

Abstract: A method of manufacturing a standard specimen for metal contamination analysis is provided to manufacture the standard specimen existing in a certain depth and uniformly distributed in a semiconductor wafer. A method of manufacturing a standard specimen for metal contamination analysis includes a step of applying an organic silica solution(14a) including metal impurities(12) on a semiconductor wafer(10). The metal impurities are intentionally contained in the organic silica solution to analyze a metal contamination source. Concentration of the metal impurities can be adjusted by an operator. The metal impurities include iron, nickel, and so on. Before applying the organic silica solution on the semiconductor wafer, a natural oxide layer remaining on the semiconductor wafer can be removed. The semiconductor wafer is submerged in a first solution including ammonia, peroxide, and so on. Then, the semiconductor wafer is submerged in a second solution including fluoride.

Abstract translation: 提供一种制造用于金属污染物分析的标准样本的方法，以制造存在于一定深度并均匀分布在半导体晶片中的标准样本。 制造用于金属污染物分析的标准样品的方法包括在半导体晶片（10）上涂覆包含金属杂质（12）的有机二氧化硅溶液（14a）的步骤。 金属杂质有意地包含在有机二氧化硅溶液中以分析金属污染源。 操作人员可以调整金属杂质的浓度。 金属杂质包括铁，镍等。 在将有机二氧化硅溶液涂覆在半导体晶片上之前，可以去除残留在半导体晶片上的自然氧化层。 将半导体晶片浸没在包含氨，过氧化物等的第一溶液中。 然后，将半导体晶片浸没在包含氟化物的第二溶液中。

公开(公告)号：KR1020060082484A

公开(公告)日：2006-07-18

申请号：KR1020050002991

申请日：2005-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황동원 ,  이양구 ,  허동철 ,  전필권 ,  임광신 ,  이상언

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/31133 ,  H01L21/31053

Abstract: 경제적인 저유전율막 제거 방법 및 이를 이용한 웨이퍼 재생 방법에서, 저유전율막이 형성된 대상물을 불산으로 처리한 후, 상기 저유전율막을 대상물로부터 제거한다. 저유전율막을 대상물로부터 제거하기에 앞서, 상기 저유전율막에 포함된 실리콘-산소 결합을 약화시킴으로써 효율적으로 저유전율막을 제거할 수 있어 전체적인 반도체 제조 공정의 생산성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100570570B1

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：KR1020030052465

申请日：2003-07-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박상오 ,  이헌정 ,  전필권

IPC: H01L21/68

CPC classification number: Y02E40/62

Abstract: 본 발명은 웨이퍼 플랫존 얼라이너를 제공한다. 상기 웨이퍼 플랫존 얼라이너는 본체와, 상기 본체의 상부에 평행되게 설치되며, 외주연에 나선형태의 흡입홈이 형성되는 한 조의 회전로울러와, 상기 본체의 일측에 설치되어 상기 회전로울러를 회전시키는 구동부와, 상기 회전로울러의 일측에 설치되어 웨이퍼를 감지하는 웨이퍼 감지유닛과, 상기 회전로울러의 길이방향을 따라 상기 회전로울러의 내부에 관통 형성도되, 상기 흡입홈과 연통되는 흡입홀과, 상기 흡입홀에 관연결되어 진공흡입력을 발생시키는 진공펌프 및 상기 회전로울러에 연결되는 파티클제거모듈을 포함하되, 상기 파티클제거모듈은 상기 회전로울러의 하부에 설치되는 크린로울러와, 상기 크린로울러와 회전로울러에 감착되는 파티클접착밸트와, 상기 크린로울러를 수용하도록 세정액이 충진되는 세척조를 구비한다.

公开(公告)号：KR100562510B1

公开(公告)日：2006-03-21

申请号：KR1020040083688

申请日：2004-10-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이헌정 ,  박상오 ,  고용균 ,  전필권

IPC: H01L21/304

Abstract: 반도체기판의 세정/건조 공정에 사용되는 웨이퍼 가이드를 제공한다. 상기 웨이퍼 가이드는 반도체 웨이퍼들을 홀딩하는 주 웨이퍼 가이드(main wafer guide)와, 상기 주 웨이퍼 가이드보다 넓은 폭을 갖는 보조 웨이퍼 가이드(auxiliary wafer guide)를 포함한다. 상기 보조 웨이퍼 가이드는 상기 주 웨이퍼 가이드보다 넓은 보조 지지부(auxiliary supporter)와 상기 보조 지지부의 양 가장자리들 상에 각각 위치하여 상기 반도체 웨이퍼들을 추가로 홀딩하는 한 쌍의 평행한 웨이퍼 지지부들(wafer supporters)을 포함한다.
웨이퍼 가이드

公开(公告)号：KR100552591B1

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：KR1020030062357

申请日：2003-09-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박동진 ,  김진성 ,  전필권 ,  황진호 ,  손일현

IPC: G03F7/32

CPC classification number: H01L21/02071 ,  G03F7/422 ,  G03F7/425 ,  H01L21/31133

Abstract: 패드 형성을 위한 포토레지스트 제거용 조성물 및 이의 제조 방법이 개시되어 있다. 이러한 조성물은 하기식 (1)로 표시되는 에톡시(N-하이드록시알킬)알칸아미드, 알카놀아민 및 극성 물질을 포함하여 이루어진다.
CH
3 CH
2 -OR
3 -CO-NR
1 R
2 OH --- (1)
상기식 (1)에서 R
1 은 H 원자, 탄소수 1∼5개의 탄화수소기, R
2 는 탄소수 1∼5개의 탄화수소기, R
3 는 탄소수 1∼5개의 탄화수소기를 의미한다.
이는 특히 패드 형성을 위하여 적용되는 포토레지스트 패턴의 박리와 용해를 균형있게 진행해 주고, 스트립후 남던 실오라기형 폴리머 제거에 탁월한 효과가 있어서 포토레지스트 패턴의 제거후 잔사를 남기지 않는다. 이에 따라 잔존 폴리머로 인하여 야기되던 칩불량이 크게 감소된다.

公开(公告)号：KR100514167B1

公开(公告)日：2005-09-09

申请号：KR1020020035422

申请日：2002-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김대훈 ,  전상문 ,  김진성 ,  전필권 ,  박동진 ,  김정주 ,  류재준

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B08B7/0071 ,  B08B3/12 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/007

Abstract: 세정액 및 이를 사용한 세라믹 부품의 세정 방법이 개시되어 있다. 5 내지 10 중량%의 불화물염, 10 내지 20 중량%의 유기산 및 30 내지 50 중량 %의 유기 용매 및 20 내지 50 중량%의 물을 포함하는 세정액을 제공한다. 상기 세정액에 세라믹 부품을 침지한 후 상기 세정액을 헹구어 냄으로서, 플라즈마 반응 부산물이 흡착되어 있는 세라믹 부품을 세정할 수 있다.

公开(公告)号：KR100447285B1

公开(公告)日：2004-09-07

申请号：KR1020020053631

申请日：2002-09-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균 ,  류재준 ,  이헌정 ,  전필권

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034

Abstract: An apparatus for drying a substrate using an isopropyl alcohol vapor includes a container for receiving an isopropyl alcohol vapor to dry a plurality of substrates wherein an opening is vertically formed through an upper portion of the container to permit the loading and unloading of the substrates; a supporting member for supporting the plurality of substrates in the container in a vertical direction and for supporting the substrates side by side in a horizontal direction, wherein the supporting member extends through the container and through the opening; and a cover for obstructing a flow of clean air from flowing directly from an air cleaner disposed over the container into the container through the opening. In addition, the apparatus may include an inert gas supplying member to supply an inert gas onto the substrates to prevent native oxide films from forming on the substrates.

Abstract translation: 一种使用异丙醇蒸汽干燥衬底的设备包括：用于接收异丙醇蒸气以干燥多个衬底的容器，其中通过容器的上部竖直地形成开口以允许衬底的装载和卸载; 支撑部件，用于在垂直方向上支撑所述容器中的所述多个基板，并用于沿水平方向并排支撑所述基板，其中所述支撑部件延伸穿过所述容器并穿过所述开口; 以及用于阻止清洁空气流从设置在容器上方的空气清洁器通过开口直接流入容器的盖。 另外，所述设备可以包括惰性气体供应构件，以将惰性气体供应到基板上以防止在基板上形成自然氧化膜。