-
公开(公告)号：KR1020110041969A
公开(公告)日：2011-04-22
申请号：KR1020100006793
申请日：2010-01-26
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L33/10
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/04 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A family III nitride thin film lattice reflector is provided to obtain the high reflectivity for the incident light of a particular wavelength by comprising the lattice shape grid structure being parallel. CONSTITUTION: A buffer layer is arranged on a substrate. A first layer made of the family III nitride comprises an air gap(235) on the buffer layer. A second level made of III family nitride comprises the lattice shape thin film grid structure being parallel where lattice and air hole(244) are periodically arranged on the first layer. Since the second light passing through the first light and air hole each other raises the destructive interference the incident light is reflected to the grid structure surface.
Abstract translation: 目的：提供一种III族氮化物薄膜点阵反射器，以通过包括平行的格子状网格结构来获得特定波长的入射光的高反射率。 构成：在衬底上布置缓冲层。 由III族氮化物构成的第一层包括缓冲层上的气隙（235）。 由III族氮化物构成的第二级包括晶格形状薄膜栅格结构平行，其中晶格和空气孔（244）周期性地布置在第一层上。 由于通过第一光和空气孔的第二光使得入射光被反射到栅格结构表面而引起相消干涉。
-
-
公开(公告)号：KR1020150079253A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130169338
申请日：2013-12-31
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/06 , H01L2933/0008
Abstract: 본발명은발광다이오드제조방법및 그를통해제조된발광다이오드에관한것으로서, 더욱상세하게는, 성장기판을마련하는단계; 상기성장기판상에희생 GaN 층을성장시키는단계; 상기희생 GaN 층상에적어도하나의반도체층, 및활성층을포함하는발광구조물을성장하는단계; 및상기희생 GaN 층을제거하여상기발광구조물과상기성장기판을분리하는단계;를포함하는발광다이오드제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种通过其制造的发光二极管制造方法和发光二极管。 更具体地说，该方法包括：制备生长衬底的步骤; 在生长衬底上生长牺牲GaN层的步骤; 在牺牲GaN层上生长包括至少一个半导体层和有源层的发光结构的步骤; 以及通过去除牺牲GaN层来分离生长衬底与发光结构的步骤。 在生长衬底和发光结构之间形成牺牲层，因此通过除去牺牲层来分离生长衬底和发光结构。
-
公开(公告)号：KR101457057B1
公开(公告)日：2014-10-31
申请号：KR1020130038543
申请日：2013-04-09
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: B01J19/088 , B01J2219/0877 , C01G23/047 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/64
Abstract: 간단하면서 지속적인 합성이 가능한 티타늄 산화물 나노 구조 제조 방법 및 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 티타늄 산화물 나노 구조 제조 방법에서는 반응 챔버 내부에 티타늄 함유 전구체 용액을 투입한 후, 펄스 방식의 전원을 인가하여 플라즈마 아크 방전을 일으켜 티타늄 산화물 나노 구조를 생성한다. 본 발명에 따르면, 나노 구조를 구성하는 조성으로 전극을 구성할 필요가 없고 추가의 기체 공급이 필요 없으므로 기존의 방법에 비하여 간단하고, 용이하며, 공정 비용의 절감뿐만 아니라 대량 생산이 가능하다.
-
公开(公告)号：KR101444255B1
公开(公告)日：2014-09-26
申请号：KR1020120128955
申请日：2012-11-14
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 선천적 또는 후천적 요인으로 인해 한 쪽 손을 사용 할 수 없는 사람들이 한 손만을 사용하여 머리 끈으로 머리카락을 묶을 수 있도록 돕는 보조기구, 이지타이(Easy Tie)이다. 본 발명은 줄, 집게, 링, 세 개의 부품으로 구성되면 각각 머리카락을 한 다발로 모으는 기능, 주변의 머리를 쓸어 모아 정리하는 기능, 마지막으로 머리 끈 안으로 머리카락다발을 통과시키는 기능을 수행하도록 설계되어 있다. 또한 편의성을 고려하여 부피를 최소화 하였으며 다른 동력원을 필요로 하지 않고 오직 하나의 손만으로 동작할 수 있도록 하였다. 모든 부품은 함께 제작한 보관함에 손쉽게 수납할 수 있으며 이 보관함은 휴대가 편리하도록 설계하였다. 본 발명은 한 손만을 사용하여 동작이 가능하고, 시중에 판매되는 머리 끈을 이용할 수 있으며, 여러 번 사용할 수 있는 내구성을 지니고 있고, 제품을 사용하기 위한 특별한 기술이 필요하기 않으며, 휴대가 간편하고, 다양한 헤어 스타일의 연출이 가능하며 시제품 제작비용이 저렴하고 제품 양산을 위해 제작방법이 간단하다는 효과가 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140018447A
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：KR1020120075414
申请日：2012-07-11
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/042 , H01L31/0224 , H01B5/14 , H01B1/08
CPC classification number: Y02E10/542 , H01L31/042 , H01B1/08 , H01B5/14 , H01L31/0224
Abstract: Disclosed is a new three-component oxide semiconductor layer replacing a TiO2 layer used as an opto-electronic electrode for an existing dye sensitized solar cell. The present invention is to provide an opto-electronic electrode for a solar cell that includes a conductive and transparent substrate; a multicomponent oxide semiconductor layer of BaSnO3 formed on the substrate. According to the present invention, the oxide semiconductor has high dye adsorption property and photoelectric energy efficiency.
Abstract translation: 公开了一种替代用作现有染料敏化太阳能电池的光电电极的TiO 2层的新的三组分氧化物半导体层。 本发明提供一种太阳能电池用光电极，其包括导电透明基板; 在基板上形成的BaSnO 3的多组分氧化物半导体层。 根据本发明，氧化物半导体具有高的染料吸附性能和光电能效。
-
公开(公告)号：KR101061803B1
公开(公告)日：2011-09-05
申请号：KR1020100006793
申请日：2010-01-26
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L33/10
Abstract: Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체가 개시된다. 일 실시 예로서, Ⅲ족 질화물 박막 격자 반사체는 기판 및 상기 기판 위에 완충층이 배치되고 상기 완충층 위에 에어갭(air gap)을 포함하는 Ⅲ족 질화물로 된 제 1 층이 배치되고, 상기 제 1 층 위에 격자와 공기홀이 주기적으로 배열되는 평행한 창살형 박막 격자 구조를 포함하는 Ⅲ족 질화물로 된 제 2 층을 포함하여 외부에서 상기 격자 구조에 수직으로 입사하는 입사광 중 상기 격자를 통과하는 제 1 광과 상기 공기홀을 통과하는 제 2 광이 서로 상쇄간섭을 일으킴으로써 상기 입사광이 상기 격자 구조 표면에서 반사된다.
Abstract translation: 公开了一种III族氮化物薄膜晶格反射器。 在一个实施例中，Ⅲ族氮化物薄膜格栅反射器是包含设置在衬底和衬底和所述缓冲层上方的空气间隙（气隙）上的缓冲层被设置在一Ⅲ族氮化物的第一层，所述第一层 从外面看，包括光栅和第二层的空气孔，以ⅲ族氮化物，其包括平行炉排型薄膜格子，其被周期性地布置在穿过入射光的网格垂直入射在晶格结构中的第一光， 和已经通过空气孔通过了第二光从反射的入射光，所述通过使彼此相消干涉光栅的表面结构。
-
公开(公告)号：KR1020110059954A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：KR1020090116408
申请日：2009-11-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: A61L27/32 , A61C8/00 , A61F2/28 , A61L27/30 , A61L27/306 , A61L2430/02 , A61L2430/12
Abstract: PURPOSE: A bio-implantable device and a surface treatment method thereof are provided to enhance coupling power of bone and an implant by forming grooves on the surface of the implant. CONSTITUTION: A surface treatment method of a bio-implantable device comprises: a step forming grooves having the diameter of 10-50 micrometers on the surface of the bio-implantable device; and a step of forming a titanium dioxide nanoporous layer inside the groove. The formation of the groove is performed in a method of removing coated materials with an etching solution after spraying and coating biocompatible materials of a powdered state on the surface of the groove through a low temperature atomizing method. The nanoporous layer is formed through an anodizing method.
Abstract translation: 目的：提供生物可植入装置及其表面处理方法，以通过在植入物的表面上形成沟槽来增强骨骼和植入物的耦合力。 构成：生物可植入装置的表面处理方法包括：在生物可植入装置的表面上形成具有10-50微米直径的槽; 以及在槽内形成二氧化钛纳米多孔层的工序。 在通过低温雾化法在槽表面喷涂和涂覆粉末状的生物相容性材料之后，用蚀刻溶液除去涂覆材料的方法进行凹槽的形成。 纳米孔层通过阳极氧化法形成。
-
公开(公告)号：KR101026418B1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：KR1020080107926
申请日：2008-10-31
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/00
Abstract: 광전극은 전극 및 상기 전극 상에 형성되고 표면에 음이온이 흡착된 산화물 반도체 입자를 포함한다. 흡착된 음이온은 산화물 반도체 입자 내의 전자가 반도체와 전해질 계면을 통하여 손실되는 것을 방지한다. 따라서 광전극의 효율을 향상시킬 수 있다.
산 처리, 반도체, 광전극, 태양전지-
公开(公告)号：KR1020100048664A
公开(公告)日：2010-05-11
申请号：KR1020080107926
申请日：2008-10-31
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01G9/2027 , H01L31/18 , Y02E10/542
Abstract: PURPOSE: A photo-electrode and a method for forming the same are provided to prevent the loss of electrons in an oxide semiconductor particle through the interface between a semiconductor and electrolyte. CONSTITUTION: An electrode(20) is formed on a glass substrate(10). An oxide semiconductor layer is formed on the electrode. The oxide semiconductor layer includes an oxide semiconductor particle on which a negative ion(60) is absorbed. A photo-resist material(30) is absorbed on the surface of the oxide semiconductor particle. An acid treatment is performed to the electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种光电极及其形成方法，以通过半导体和电解质之间的界面来防止氧化物半导体颗粒中的电子损失。 构成：在玻璃基板（10）上形成电极（20）。 在电极上形成氧化物半导体层。 氧化物半导体层包括其上吸收负离子（60）的氧化物半导体颗粒。 光致抗蚀剂材料（30）被吸收在氧化物半导体颗粒的表面上。 对电极进行酸处理。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.025 seconds)
