-
公开(公告)号:KR101831533B1
公开(公告)日:2018-02-22
申请号:KR1020160176342
申请日:2016-12-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L31/068
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/02366 , H01L31/0392 , H01L31/0684 , H01L31/18
Abstract: 본발명은투명전도막상에전극을형성하는방법에관한것이고, 또한본 발명은실리콘이종접합태양전지에전극을형성하는방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른투명전도막상에전극을형성하는방법은, 투명전도막(Transparent Conductive Oxide) 상에산화막을형성하는단계; 레이저스크라이빙(laser scribing)을이용하여전극을형성할위치에서상기투명전도막의일부및 상기산화막을식각하는단계; 상기식각된빈 공간에전극을형성하는계; 및상기산화막을제거하는단계를포함한다.
-
公开(公告)号:KR1020110107664A
公开(公告)日:2011-10-04
申请号:KR1020100026926
申请日:2010-03-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: A22C21/00
Abstract: 본 발명은 닭 도체의 개체를 추적하는 시스템에 대한 것으로서, 특히 닭 도체의 가공 시 샤클을 카운트하여 해당 샤클에 이송되는 닭 도체의 개체를 추적할 수 있는 닭 도체 개체 추적시스템에 관한 것이다. 본 발명은 샤클 카운트 센서로 샤클을 카운트하여 닭 도체를 추적할 수 있는 닭 도체 개체 추적시스템을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 RFID 태그를 생략하고 샤클 카운트 센서만이 구비되므로 저비용으로 닭 도체를 추적할 수 있는 닭 도체 개체 추적시스템을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 샤클 카운트 센서에 샤클 카운트 카메라를 더 구비하여 닭 도체를 효과적으로 추적할 수 있는 닭 도체 개체 추적시스템을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 샤클 카운트 센서로 추적된 닭 도체를 닭 도체의 품질 등급과 함께 추적할 수 있는 닭 도체 추적시스템을 제공할 수 있다.
-
公开(公告)号:KR101305307B1
公开(公告)日:2013-09-06
申请号:KR1020120052147
申请日:2012-05-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H04B17/0087 , H04B1/7075 , H04J13/0059
Abstract: PURPOSE: A simulation device for the time synchronization in a spread spectrum system and a method thereof are provided to implement a spread spectrum system for each block by using an S-function, so that a process desired by a user can be freely configured. CONSTITUTION: A transmission part (100) generates a first transmission signal based on a constant amplitude zero autocorrelation (CAZAC) sequence and transmits the signal. A timing offset generation part (110) generates a phase delay for the transmission signal. A reception part (120) receives the first transmission signal and a second transmission signal. The reception part synchronizes the first transmission signal with the second transmission signal. The second transmission signal is generated by adding the phase delay to the first transmission signal. [Reference numerals] (100) Transmission part; (102) Cazac sequence generation part; (105) Clock; (110) Timing offset generation part; (120) Reception part; (122) Signal obtaining and tracking; (140) Display unit; (142) Timing offset (channel); (144) Timing offset (signal obtaining); (146) Timing offset (signal tracking)
Abstract translation: 目的:提供扩频系统中的时间同步的模拟装置及其方法,以通过使用S功能来实现每个块的扩频系统,从而可以自由地构造用户期望的处理。 构成:发送部(100)基于恒幅零自相关(CAZAC)序列生成第一发送信号,并发送该信号。 定时偏移生成部(110)生成发送信号的相位延迟。 接收部分(120)接收第一发送信号和第二发送信号。 接收部件将第一发送信号与第二发送信号同步。 通过将相位延迟加到第一传输信号来产生第二传输信号。 (附图标记)(100)透射部; (102)卡扎克序列生成部分; (105)时钟; (110)定时偏移生成部; (120)接待部分; (122)信号获取跟踪; (140)显示单元; (142)定时偏移(通道); (144)定时偏移(信号获取); (146)定时偏移(信号跟踪)
-
公开(公告)号:KR101181225B1
公开(公告)日:2012-09-10
申请号:KR1020110001400
申请日:2011-01-06
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 AZO막을 포함하는 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 태양광이 입사하는 반대 측에 형성된 투명전도막층을 포함하는 태양전지의 제조방법에 있어서, 알루미늄이 첨가된 산화아연 타겟을 이용한 스퍼터링에 의하여 상기 투명전도막층을 형성하는 공정을 포함하며, 상기 스퍼터링이 150℃~200℃의 온도범위에서 진행되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 최적화된 조건에서 AZO막을 형성함으로써, 후면전극 또는 후면반사막으로 AZO막을 사용한 태양전지를 제공하는 효과가 있다.
또한, 후면전극 또는 후면반사막으로 AZO막을 사용하여 태양전지의 효율이 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号:KR101083402B1
公开(公告)日:2011-11-14
申请号:KR1020100038143
申请日:2010-04-23
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/075 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은박막형태양전지와그 제조방법에관한것으로, 더욱자세하게는 p형반도체층에밴드갭이큰 물질을사용하여태양전지의효율을향상시킨박막형태양전지에관한것이다. 본발명에의한박막형태양전지는, i형반도체층; 상기 i형반도체층의일면에접하는 n형반도체층; 및상기 i형반도체층의타면에접하는 p형의비정질 SiO박막으로이루어진 p형반도체층을포함하는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 밴드갭이큰 물질을태양광이입사하는 p형반도체층에적용함으로써박막형태양전지의효율이크게향상되는효과가있다.
-
公开(公告)号:KR101013432B1
公开(公告)日:2011-02-14
申请号:KR1020080086990
申请日:2008-09-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 박막 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 비정질 실리콘 박막 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 박막 태양전지 제조방법은, 유리기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 투명전극층을 형성하는 단계; 상기 투명전극층 위에 p형의 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 p형의 비정질 실리콘층 위에 i형의 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 i형의 비정질 실리콘층 위에 씨드층을 형성하는 단계; 상기 씨드층 위로 레이저광선을 주사하여 상기 i형의 비정질 실리콘층을 결정화하는 단계; 결정화된 i형의 실리콘층 위에 n형의 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 및 상기 n형의 비정질 실리콘층 위에 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 레이저광선을 주사하는 면에 씨드층을 형성함으로써 적은 데미지로 비정질 실리콘층을 균일하게 결정화하여 간단한 공정으로 효율이 향상된 박막 태양전지를 제조할 수 있다.
태양전지, 박막 태양전지, 비정질 실리콘 박막 태양전지, 결정화-
公开(公告)号:KR1020100098140A
公开(公告)日:2010-09-06
申请号:KR1020090017162
申请日:2009-02-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/268
CPC classification number: H01L21/32155 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A method for doping using a laser and an absorption layer is provided to dope a dopant by using a method of controlling the energy output of an optic fiber laser through an absorption layer. CONSTITUTION: An amorphous silicon-dopant layer(200) is evaporated on a crystalline silicon substrate(100). An absorber(300) is formed on the amorphous silicon-dopant film. A laser(400) is projected on the absorber. The absorber is one of a micro crystalline poly-silicon and a polycrystalline silicon layer. The dopant of the amorphous - dopant film is one of a p-dopant including the boron or an n type dopant including the phosphorus.
Abstract translation: 目的:提供使用激光和吸收层进行掺杂的方法,以通过使用通过吸收层控制光纤激光器的能量输出的方法来掺杂掺杂剂。 构成:在晶体硅衬底(100)上蒸发非晶硅 - 掺杂剂层(200)。 在非晶硅 - 掺杂剂膜上形成吸收体(300)。 激光器(400)投射在吸收器上。 吸收体是微结晶多晶硅和多晶硅层之一。 非晶掺杂剂膜的掺杂剂是包括硼或包含磷的n型掺杂剂的p掺杂剂之一。
-
-
-
-
-
-