公开(公告)号：KR1020100098140A

公开(公告)日：2010-09-06

申请号：KR1020090017162

申请日：2009-02-27

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  김성철 ,  이영석 ,  김영국 ,  윤기찬

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/32155 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A method for doping using a laser and an absorption layer is provided to dope a dopant by using a method of controlling the energy output of an optic fiber laser through an absorption layer. CONSTITUTION: An amorphous silicon-dopant layer(200) is evaporated on a crystalline silicon substrate(100). An absorber(300) is formed on the amorphous silicon-dopant film. A laser(400) is projected on the absorber. The absorber is one of a micro crystalline poly-silicon and a polycrystalline silicon layer. The dopant of the amorphous - dopant film is one of a p-dopant including the boron or an n type dopant including the phosphorus.

Abstract translation: 目的：提供使用激光和吸收层进行掺杂的方法，以通过使用通过吸收层控制光纤激光器的能量输出的方法来掺杂掺杂剂。 构成：在晶体硅衬底（100）上蒸发非晶硅 - 掺杂剂层（200）。 在非晶硅 - 掺杂剂膜上形成吸收体（300）。 激光器（400）投射在吸收器上。 吸收体是微结晶多晶硅和多晶硅层之一。 非晶掺杂剂膜的掺杂剂是包括硼或包含磷的n型掺杂剂的p掺杂剂之一。

公开(公告)号：KR102102823B1

公开(公告)日：2020-04-22

申请号：KR1020180130398

申请日：2018-10-30

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  조영현 ,  조은철 ,  주민규 ,  말렘,쿠마 ,  김영국

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

公开(公告)号：KR101831533B1

公开(公告)日：2018-02-22

申请号：KR1020160176342

申请日：2016-12-22

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  이영석 ,  김상호 ,  오동현 ,  박진주

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/068

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/18

Abstract: 본발명은투명전도막상에전극을형성하는방법에관한것이고, 또한본 발명은실리콘이종접합태양전지에전극을형성하는방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른투명전도막상에전극을형성하는방법은, 투명전도막(Transparent Conductive Oxide) 상에산화막을형성하는단계; 레이저스크라이빙(laser scribing)을이용하여전극을형성할위치에서상기투명전도막의일부및 상기산화막을식각하는단계; 상기식각된빈 공간에전극을형성하는계; 및상기산화막을제거하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020120059372A

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020110122524

申请日：2011-11-22

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  신종훈 ,  안시현 ,  박진주 ,  조재현 ,  장주연 ,  박형식

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/04 ,  H01L31/075

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/072 ,  H01L31/04 ,  H01L31/075

Abstract: PURPOSE: A hetero-junction silicon solar cell and a manufacturing method thereof are provided to increase a surface area of a crystalline silicon substrate by forming an amorphous thin film laminated body on an amorphous silicon substrate. CONSTITUTION: An emitter layer(110) is formed at the upper side of a crystalline silicon substrate. Texture is formed by etching the crystalline silicon substrate with a lithography method. A passivation layer(120) is formed at the upper side of the emitter layer. An amorphous thin film laminated body(130) is formed at the upper side of the passivation layer. A front side electrode(140) is formed at the upper side of the amorphous silicon layer. A rear side electrode(150) is formed at the rear side of the crystalline silicon substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种异质结硅太阳能电池及其制造方法，以通过在非晶硅基板上形成非晶薄膜层叠体来增加晶体硅衬底的表面积。 构成：在晶体硅衬底的上侧形成发射极层（110）。 通过用光刻法蚀刻晶体硅衬底形成纹理。 钝化层（120）形成在发射极层的上侧。 在钝化层的上侧形成无定形薄膜叠层体（130）。 在非晶硅层的上侧形成有前侧电极（140）。 背面电极（150）形成在晶体硅衬底的后侧。

公开(公告)号：KR101123821B1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：KR1020090047021

申请日：2009-05-28

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 정덕영 ,  이준신 ,  남혜진 ,  정순철 ,  장주연 ,  김영국 ,  한규민

IPC: H01L31/054

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 태양전지의 표면을 처리하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 태양전지의 표면처리 방법은, 미세 렌즈층을 몰딩하기 위한 미세한 곡면이 형성된 형틀을 제작하는 단계; 상기 형틀에 미세 렌즈층의 소재인 고분자 수지를 도포하는 단계; 상기 고분자 수지가 코팅된 형틀을 표면층에 올려놓고 상기 고분자 수지를 경화 및 접착하여 미세 렌즈층을 형성하는 단계; 및 상기 형틀을 미세 렌즈층에서 분리시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이때, 표면층은 유리기판, 실리콘태양전지 표면 및 태양전지모듈의 외면 중에서 선택된 하나일 수 있다.
본 발명에 따르면, 고분자 몰딩을 이용하여 마이크로미터 크기의 렌즈가 형성된 미세 렌즈층을 표면에 형성함으로써 반사율을 감소시켜 빛의 흡수율을 증가시킴으로써 태양전지의 효율을 높일 수 있는 효과가 있다. 특히 본 발명의 표면처리방법에 따른 미세 렌즈층은 그 형성방법이 간단할 뿐만 아니라 어떠한 면에도 쉽게 형성할 수 있는 효과가 있다.
태양전지, 태양전지모듈, 표면처리, 텍스처링, 반사방지막

公开(公告)号：KR1020110077446A

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：KR1020090134034

申请日：2009-12-30

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  박진주 ,  김영국

IPC: H01L31/0445

CPC classification number: H01L31/035281 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

Abstract: PURPOSE: A wire type thin film solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve photoelectric conversion efficiency by maximizing a pn junction surface with an aspect ratio and the density of a wire type thin film solar cell. CONSTITUTION: An n-type layer is deposited on the outer side of a metal wire by a plasma chemical vapor deposition method. A p type layer is deposited on the upper side of the deposited n type layer(120) with the plasma chemical vapor deposition method. A transparent electrode layer(150) is deposited on the upper side of the deposited p type layer.

Abstract translation: 目的：提供一种线型薄膜太阳能电池及其制造方法，以通过以纵横比和线型薄膜太阳能电池的密度最大化pn结表面来提高光电转换效率。 构成：通过等离子体化学气相沉积法在金属线的外侧上沉积n型层。 利用等离子体化学气相沉积方法在沉积的n型层（120）的上侧沉积p型层。 在沉积的p型层的上侧沉积透明电极层（150）。

公开(公告)号：KR1020110044413A

公开(公告)日：2011-04-29

申请号：KR1020090101064

申请日：2009-10-23

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  김성철 ,  양두환 ,  김선용

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04

Abstract: PURPOSE: A silicon substrate for a solar battery on which a selective pattern with a nano-porous structure is formed and manufacturing method thereof are provided to form a nano-porous structure on the silicon substrate to reduce reflectivity, thereby increasing the lifetime of a carrier. CONSTITUTION: A desired pattern is formed on a silicon substrate by a photolithographic method. Nitric acid and hydrofluoric acid are mixed so that an acid mixture solution is manufactured. The acid mixture solution is mixed with water whose amount is 1~5 times larger than the acid mixture solution so that a diluted acid mixture solution is manufactured. The silicon substrate is dipped in the diluted acid mixture solution so that a nano-porous structure is formed in the pattern.

Abstract translation: 目的：提供一种用于太阳能电池的硅衬底，其上形成了具有纳米多孔结构的选择性图案及其制造方法，以在硅衬底上形成纳米多孔结构以降低反射率，从而增加载体的寿命 。 构成：通过光刻法在硅衬底上形成期望的图案。 将硝酸和氢氟酸混合，制成酸混合溶液。 将酸混合溶液与酸混合溶液的1〜5倍的水混合，制成稀酸的混合溶液。 将硅衬底浸入稀酸混合溶液中，使得以该图案形成纳米多孔结构。

公开(公告)号：KR101021479B1

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：KR1020080127918

申请日：2008-12-16

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 최병덕 ,  이준신 ,  정성욱 ,  장경수 ,  조재현

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66757

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터, 그의 형성방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시장치에 관한 것으로, 기판 상에 차례로 배치된 버퍼막 및 반도체막, 상기 반도체막 상에 차례로 배치된 절연패턴 및 게이트 전극패턴을 포함하는 게이트 패턴, 상기 게이트 패턴 하부의 반도체막을 채널영역으로 한정하고, 상기 게이트 패턴 외측의 상기 반도체막에 불순물이 주입되어 상기 채널영역의 양쪽 측면들과 연결된 소오스 및 드레인, 상기 게이트 패턴을 갖는 상기 기판 전면을 덮는 보호막, 상기 소오스 영역 상에 배치된 상기 보호막의 일영역 및 상기 일영역 하부의 상기 소오스를 관통하여 상기 소오스와 전기적으로 연결된 제1금속전극 및 상기 드레인 영역 상에 배치된 상기 보호막의 일영역 및 상기 일영역 하부의 상기 드레인을 관통하여 상기 드레인과 전기적으로 연결된 제2금속전극을 포함한다.
상기와 같은 박막 트랜지스터, 그의 형성방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시장치에 의해, 소오스와 드레인 영역에 금속을 침투시켜 박막 트랜지스터의 구동 시에 전류를 분산시킴으로써 전하의 이동도, 박막 트랜지스터의 수명 및 성능을 향상시킬 수 있다.
박막 트랜지스터, TFT, 평판 표시장치, 유기발광 다이오드

公开(公告)号：KR1020110020618A

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：KR1020090078324

申请日：2009-08-24

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  김영국 ,  박진주 ,  윤기찬 ,  박승만

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/075

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04 ,  H01L31/075

Abstract: 본 발명은 유무기 복합 적층형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 유무기 복합 적층형 태양전지의 제조방법은, 기판 위에 상이한 감도 파장 대역을 갖는 태양전지층이 적층된 적층형 태양전의 제조방법에 있어서, nip구조 또는 pin구조의 박막 실리콘태양전지층을 형성하는 단계; 상기 박막 실리콘태양전지 위에 유기 태양전지층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 박막 실리콘태양전지를 형성하는 단계에서, p형 층을 형성하는 방법이 N
2 O를 주입하여 p형의 비정질 수소화 SiO
x 박막을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, N
2 O가스를 사용하여 증착한 비정질 SiOx막을 포함하는 실리콘 태양전지를 유기 태양전지의 앞에 위치시킴으로써, 유기 태양전지에 비하여 단파장영역의 빛을 이용하는 무기 태양전지층을 추가하여 태양전지의 변환효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
태양전지, 적층형, 탠덤형, 폴리머 태양전지, 유무기 복합 태양전지

公开(公告)号：KR1020100069790A

公开(公告)日：2010-06-25

申请号：KR1020080128316

申请日：2008-12-17

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  최병덕 ,  정성욱 ,  장경수 ,  조재현

IPC: H01L21/205 ,  H01L27/115 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  B82Y10/00

Abstract: PURPOSE: A nano-crystal silicon layers using plasma deposition technology, a nonvolatile memory device, and forming methods thereof are provided to directly deposit a nano crystal silicon film on a glass substrate. CONSTITUTION: A buffer layer(23) is formed on a substrate(21). A nano crystal silicon layer(25) is formed using plasma deposition technology using gas containing hydrogen and silicon on the buffer layer.

Abstract translation: 目的：提供使用等离子体沉积技术的纳米晶硅层，非易失性存储器件及其形成方法，以将玻璃衬底上的纳米晶硅膜直接沉积。 构成：在衬底（21）上形成缓冲层（23）。 使用在缓冲层上含有氢和硅的气体的等离子体沉积技术形成纳米晶体硅层（25）。